磷化銦(InP)光子晶圓易產生邊緣散射損耗。中清航科采用等離子體刻蝕輔助裂片技術,切割面垂直度達89.5°±0.2°,側壁粗糙度Ra<20nm,插入損耗降低至0.15dB/cm。中清航科SkyEye系統通過5G實時回傳設備運行數據(振動/電流/溫度),AI引擎15分鐘內定位故障根因。遠程AR指導維修,MTTR(平均修復時間)縮短至45分鐘,服務覆蓋全球36國。基于微區X射線衍射技術,中清航科繪制切割道殘余應力三維分布圖(分辨率10μm),提供量化改進方案。客戶芯片熱循環壽命提升至5000次(+300%),滿足車規級AEC-Q104認證。晶圓切割后清洗設備中清航科專利設計,殘留顆粒<5個/片。徐州芯片晶圓切割劃片廠

中清航科注重與科研機構的合作創新,與國內多所高校共建半導體切割技術聯合實驗室。圍繞晶圓切割的前沿技術開展研究,如原子層切割、超高頻激光切割等,已申請發明專利50余項,其中“一種基于飛秒激光的晶圓超精細切割方法”獲得國家發明專利金獎,推動行業技術進步。晶圓切割設備的軟件系統是其智能化的中心,中清航科自主開發了切割控制軟件,具備友好的人機交互界面與強大的功能。支持多種格式的晶圓版圖文件導入,可自動生成切割路徑,同時提供離線編程功能,可在不影響設備運行的情況下完成新程序的編制與模擬,提高設備利用率。嘉興芯片晶圓切割切割冷卻液在線凈化裝置中清航科研發,雜質濃度自動控制<1ppm。

8英寸晶圓在功率半導體、MEMS等領域仍占據重要市場份額,中清航科針對這類成熟制程開發的切割設備,兼顧效率與性價比。設備采用雙主軸并行切割設計,每小時可加工40片8英寸晶圓,且通過優化機械結構降低振動噪聲至65分貝以下,為車間創造更友好的工作環境,深受中小半導體企業的青睞。晶圓切割工藝的數字化轉型是智能制造的重要組成部分。中清航科的切割設備內置工業物聯網模塊,可實時采集切割壓力、溫度、速度等100余項工藝參數,通過邊緣計算節點進行實時分析,生成工藝優化建議。客戶可通過云端平臺查看生產報表與趨勢分析,實現基于數據的精細化管理。
半導體制造對潔凈度要求嚴苛,晶圓切割環節的微塵污染可能導致芯片失效。中清航科的切割設備采用全封閉防塵結構與高效HEPA過濾系統,工作區域潔凈度達到Class1標準,同時配備激光誘導等離子體除塵裝置,實時清理切割產生的微米級顆粒,使產品不良率降低至0.1%以下。在成本控制成為半導體企業核心競爭力的現在,中清航科通過技術創新實現切割耗材的大幅節約。其自主研發的金剛石切割刀片,使用壽命較行業平均水平延長50%,且通過刀片磨損實時監測與自動補償技術,減少頻繁更換帶來的停機損失,幫助客戶降低20%的耗材成本,在激烈的市場競爭中構筑成本優勢。采用中清航科激光隱形切割技術,晶圓分片效率提升40%以上。

面向磁傳感器制造,中清航科開發超導磁懸浮切割臺。晶圓在強磁場(0.5T)下懸浮,消除機械接觸應力,切割后磁疇結構畸變率<0.3%,靈敏度波動控制在±0.5%。中清航科電化學回收裝置從切割廢水中提取金/銅/錫等金屬,純度達99.95%。單條產線年回收貴金屬價值超$80萬,回收水符合SEMIF78標準,實現零廢液排放。針對HJT電池脆弱電極層,中清航科采用熱激光控制技術(LCT)。紅外激光精確加熱切割區至200℃,降低材料脆性,電池效率損失<0.1%,碎片率控制在0.2%以內。切割機預測性維護平臺中清航科上線,關鍵部件壽命預警準確率99%。舟山碳化硅半導體晶圓切割廠
中清航科聯合高校成立切割技術研究院,突破納米級切割瓶頸。徐州芯片晶圓切割劃片廠
隨著Chiplet技術的興起,晶圓切割需要更高的位置精度以保證后續的異構集成。中清航科開發的納米級定位切割系統,采用氣浮導軌與光柵尺閉環控制,定位精度達到±0.1μm,配合雙頻激光干涉儀進行實時校準,確保切割道位置與設計圖紙的偏差不超過0.5μm,為Chiplet的高精度互聯奠定基礎。中清航科深諳半導體設備的定制化需求,可為客戶提供從工藝驗證到設備交付的全流程服務。其技術團隊會深入了解客戶的晶圓規格、材料特性與產能要求,定制專屬切割方案,如針對特殊異形Die的切割路徑優化、大尺寸晶圓的分片切割策略等,已成功為多家頭部半導體企業完成定制化項目交付。徐州芯片晶圓切割劃片廠