國(guó)瑞熱控針對(duì)離子注入后雜質(zhì)***工藝，開(kāi)發(fā)**加熱盤(pán)適配快速熱退火需求！采用氮化鋁陶瓷基材，熱導(dǎo)率達(dá)200W/mK，熱慣性小，升溫速率達(dá)60℃/秒，可在幾秒內(nèi)將晶圓加熱至1000℃，且降溫速率達(dá)40℃/秒，減少熱預(yù)算對(duì)晶圓的影響！加熱面采用激光打孔工藝制作微小散熱孔，配合背面惰性氣體冷卻，實(shí)現(xiàn)晶圓正反面溫度均勻（溫差小于2℃）！配備紅外高溫計(jì)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)晶圓表面溫度，測(cè)溫精度±2℃，通過(guò)PID控制確保溫度穩(wěn)定，適配硼、磷等不同雜質(zhì)的***溫度需求（600℃-1100℃）！與應(yīng)用材料離子注入機(jī)適配，使雜質(zhì)***率提升至95%以上，為半導(dǎo)體器件的電學(xué)性能調(diào)控提供關(guān)鍵支持！無(wú)錫國(guó)瑞熱控科技，專注加熱盤(pán)研發(fā)制造，是您值得信賴的合作伙伴。長(zhǎng)寧區(qū)刻蝕晶圓加熱盤(pán)定制

針對(duì)等離子體刻蝕環(huán)境的特殊性，國(guó)瑞熱控配套加熱盤(pán)采用藍(lán)寶石覆層與氮化鋁基底的復(fù)合結(jié)構(gòu)，表面硬度達(dá)莫氏9級(jí)，可耐受等離子體長(zhǎng)期轟擊而無(wú)材料脫落！加熱盤(pán)內(nèi)部嵌入鉬制加熱絲，經(jīng)后嵌工藝固定，避免高溫下電極氧化影響加熱性能，工作溫度范圍覆蓋室溫至500℃，控溫精度±1℃！底部設(shè)計(jì)環(huán)形冷卻通道，與加熱元件形成熱平衡調(diào)節(jié)系統(tǒng)，快速響應(yīng)刻蝕過(guò)程中的溫度波動(dòng)！設(shè)備采用全密封結(jié)構(gòu)，電氣強(qiáng)度達(dá)2000V/1min，在氟基、氯基刻蝕氣體環(huán)境中絕緣性能穩(wěn)定，適配中微半導(dǎo)體刻蝕機(jī)等主流設(shè)備，為圖形轉(zhuǎn)移工藝提供可靠溫控！長(zhǎng)寧區(qū)探針測(cè)試加熱盤(pán)生產(chǎn)廠家寬泛工作溫度范圍，滿足低溫烘烤到高溫?zé)Y(jié)不同需求。

針對(duì)半導(dǎo)體濕法工藝中溶液溫度控制需求，國(guó)瑞熱控濕法**加熱盤(pán)采用耐腐蝕不銹鋼材質(zhì)，經(jīng)電解拋光與鈍化處理，可耐受酸堿溶液長(zhǎng)期浸泡無(wú)腐蝕！加熱盤(pán)內(nèi)置密封式加熱元件，與溶液完全隔離，避免漏電風(fēng)險(xiǎn)，同時(shí)具備1500V/1min的電氣強(qiáng)度，使用安全可靠！通過(guò)底部加熱與側(cè)面保溫設(shè)計(jì)，使溶液溫度均勻性控制在±1℃以內(nèi)，溫度調(diào)節(jié)范圍覆蓋25℃至100℃，滿足濕法刻蝕、清洗等工藝的溫度要求！配備高精度溫度傳感器，實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)溶液溫度，當(dāng)溫度超出設(shè)定范圍時(shí)自動(dòng)啟動(dòng)加熱或冷卻調(diào)節(jié)，確保化學(xué)反應(yīng)平穩(wěn)進(jìn)行！設(shè)備適配不同規(guī)格的濕法工藝槽體，可根據(jù)槽體尺寸定制加熱盤(pán)形狀與功率，為半導(dǎo)體濕法工藝的穩(wěn)定性與重復(fù)性提供保障！

國(guó)瑞熱控12英寸半導(dǎo)體加熱盤(pán)專為先進(jìn)制程量產(chǎn)需求設(shè)計(jì)，采用氮化鋁陶瓷與高純銅復(fù)合基材，通過(guò)多道精密研磨工藝，使加熱面平面度誤差控制在0.015mm以內(nèi)，完美貼合大尺寸晶圓的均勻受熱需求！內(nèi)部采用分區(qū)式加熱元件布局，劃分8個(gè)**溫控區(qū)域，配合高精度鉑電阻傳感器，實(shí)現(xiàn)±0.8℃的控溫精度，滿足7nm至14nm制程對(duì)溫度均勻性的嚴(yán)苛要求！設(shè)備支持真空吸附與靜電卡盤(pán)雙重固定方式，適配不同類型的反應(yīng)腔結(jié)構(gòu)，升溫速率達(dá)20℃/分鐘，工作溫度范圍覆蓋室溫至600℃，可兼容PVD、CVD、刻蝕等多道關(guān)鍵工藝！通過(guò)與中芯國(guó)際、長(zhǎng)江存儲(chǔ)等企業(yè)的深度合作，已實(shí)現(xiàn)與國(guó)產(chǎn)12英寸晶圓生產(chǎn)線的無(wú)縫對(duì)接，為先進(jìn)制程規(guī)模化生產(chǎn)提供穩(wěn)定溫控支撐！獨(dú)特加熱元件設(shè)計(jì)，熱效率大幅提升，節(jié)能環(huán)保同時(shí)保證長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。

針對(duì)原子層沉積工藝對(duì)溫度的嚴(yán)苛要求，國(guó)瑞熱控ALD**加熱盤(pán)采用多分區(qū)溫控設(shè)計(jì)，通過(guò)仿真優(yōu)化加熱絲布局，確保表面溫度分布均勻性符合精密制程標(biāo)準(zhǔn)！設(shè)備溫度調(diào)節(jié)范圍覆蓋室溫至600℃，升溫速率可達(dá)25℃/分鐘，搭配鉑電阻傳感器實(shí)現(xiàn)±0.1℃的控溫精度，滿足ALD工藝中前驅(qū)體吸附與反應(yīng)的溫度窗口需求！采用氮化鋁陶瓷基底與密封結(jié)構(gòu)，在真空環(huán)境下無(wú)揮發(fā)性物質(zhì)釋放，且能抵御反應(yīng)腔體內(nèi)腐蝕性氣體侵蝕！適配8英寸至12英寸晶圓規(guī)格，通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)化接口與拓荊、中微等廠商的ALD設(shè)備無(wú)縫兼容，為原子層沉積的高保形性薄膜制備提供保障！優(yōu)化散熱結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，表面溫度均勻一致，避免局部過(guò)熱現(xiàn)象。甘肅晶圓鍵合加熱盤(pán)定制

工作溫度范圍寬泛，滿足低溫烘烤至高溫?zé)Y(jié)需求。長(zhǎng)寧區(qū)刻蝕晶圓加熱盤(pán)定制

國(guó)瑞熱控推出加熱盤(pán)節(jié)能改造方案，針對(duì)存量設(shè)備能耗高問(wèn)題提供系統(tǒng)升級(jí)！采用石墨烯導(dǎo)熱涂層技術(shù)提升熱傳導(dǎo)效率，配合智能溫控算法優(yōu)化加熱功率輸出，使單臺(tái)設(shè)備能耗降低20%以上！改造內(nèi)容包括加熱元件更換、隔熱層升級(jí)與控制系統(tǒng)迭代，保留原有設(shè)備主體結(jié)構(gòu)，改造成本*為新設(shè)備的40%！升級(jí)后的加熱盤(pán)溫度響應(yīng)速度提升30%，溫度波動(dòng)控制在±1℃以內(nèi)，符合半導(dǎo)體行業(yè)節(jié)能標(biāo)準(zhǔn)！已為華虹半導(dǎo)體等企業(yè)完成200余臺(tái)設(shè)備改造，年節(jié)約電費(fèi)超百萬(wàn)元，助力半導(dǎo)體工廠實(shí)現(xiàn)綠色生產(chǎn)轉(zhuǎn)型！長(zhǎng)寧區(qū)刻蝕晶圓加熱盤(pán)定制

無(wú)錫市國(guó)瑞熱控科技有限公司是一家有著先進(jìn)的發(fā)展理念，先進(jìn)的管理經(jīng)驗(yàn)，在發(fā)展過(guò)程中不斷完善自己，要求自己，不斷創(chuàng)新，時(shí)刻準(zhǔn)備著迎接更多挑戰(zhàn)的活力公司，在江蘇省等地區(qū)的電工電氣中匯聚了大量的人脈以及**，在業(yè)界也收獲了很多良好的評(píng)價(jià)，這些都源自于自身的努力和大家共同進(jìn)步的結(jié)果，這些評(píng)價(jià)對(duì)我們而言是比較好的前進(jìn)動(dòng)力，也促使我們?cè)谝院蟮牡缆飞媳３謯^發(fā)圖強(qiáng)、一往無(wú)前的進(jìn)取創(chuàng)新精神，努力把公司發(fā)展戰(zhàn)略推向一個(gè)新高度，在全體員工共同努力之下，全力拼搏將共同無(wú)錫市國(guó)瑞熱控科技供應(yīng)和您一起攜手走向更好的未來(lái)，創(chuàng)造更有價(jià)值的產(chǎn)品，我們將以更好的狀態(tài)，更認(rèn)真的態(tài)度，更飽滿的精力去創(chuàng)造，去拼搏，去努力，讓我們一起更好更快的成長(zhǎng)！