只在TOP和BOTTOM層進行了布線，存儲器由兩片的SDRAM以菊花鏈的方式所構(gòu)成。而在DIMM的案例里，只有一個不帶緩存的DIMM被使用。對TOP/BOTTOM層布線的一個閃照圖和信號完整性仿真圖。

ADDRESS和CLOCK網(wǎng)絡(luò)，右邊的是DATA和DQS網(wǎng)絡(luò)，其時鐘頻率在800 MHz，數(shù)據(jù)通信率為1600Mbps

ADDRESS和CLOCK網(wǎng)絡(luò)，右邊的是DATA和DQS網(wǎng)絡(luò)，其時鐘頻率在400 MHz，數(shù)據(jù)通信率為800Mbps

ADDRESS和CLOCK網(wǎng)絡(luò)，右邊的是DATA和DQS網(wǎng)絡(luò)

個經(jīng)過比較過的數(shù)據(jù)信號眼圖，一個是仿真的結(jié)果，而另一個是實際測量的。在上面的所有案例里，波形的完整性的完美程度都是令人興奮的。

11.結(jié)論本文，針對DDR2/DDR3的設(shè)計，SI和PI的各種相關(guān)因素都做了的介紹。對于在4層板里設(shè)計800Mbps的DDR2和DDR3是可行的，但是對于DDR3-1600Mbps是具有很大的挑戰(zhàn)性。 協(xié)助DDR有那些工具測試；河北DDR測試參考價格

DDR測試DDR/LPDDR簡介目前在計算機主板和各種嵌入式的應(yīng)用中，存儲器是必不可少的。常用的存儲器有兩種：一種是非易失性的，即掉電不會丟失數(shù)據(jù)，常用的有Flash(閃存)或者ROM(Read-OnlyMemory),這種存儲器速度較慢，主要用于存儲程序代碼、文件以及長久的數(shù)據(jù)信息等；另一種是易失性的，即掉電會丟失數(shù)據(jù)，常用的有RAM(RandomAccessMemory,隨機存儲器),這種存儲器運行速度較快，主要用于程序運行時的程序或者數(shù)據(jù)緩存等。圖5.1是市面上一些主流存儲器類型的劃分海南通信DDR測試DDR測試USB眼圖測試設(shè)備？

8.PCBLayout在實際的PCB設(shè)計時，考慮到SI的要求，往往有很多的折中方案。通常，需要優(yōu)先考慮對于那些對信號的完整性要求比較高的。畫PCB時，當(dāng)考慮以下的一些相關(guān)因素，那么對于設(shè)計PCB來說可靠性就會更高。1）首先，要在相關(guān)的EDA工具里設(shè)置好拓撲結(jié)構(gòu)和相關(guān)約束。2）將BGA引腳突圍，將ADDR/CMD/CNTRL引腳布置在DQ/DQS/DM字節(jié)組的中間，由于所有這些分組操作，為了盡可能少的信號交叉，一些的管腳也許會被交換到其它區(qū)域布線。3）由串?dāng)_仿真的結(jié)果可知，盡量減少短線（stubs）長度。通常，短線（stubs）是可以被削減的，但不是所有的管腳都做得到的。在BGA焊盤和存儲器焊盤之間也許只需要兩段的走線就可以實現(xiàn)了，但是此走線必須要很細，那么就提高了PCB的制作成本，而且，不是所有的走線都只需要兩段的，除非使用微小的過孔和盤中孔的技術(shù)。終，考慮到信號完整性的容差和成本，可能選擇折中的方案。

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在進行接收容限測試時，需要用到多通道的誤碼儀產(chǎn)生帶壓力的DQ、DQS等信號。測試中被測件工作在環(huán)回模式，DQ引腳接收的數(shù)據(jù)經(jīng)被測件轉(zhuǎn)發(fā)并通過LBD引腳輸出到誤碼儀的誤碼檢測端口。在測試前需要用示波器對誤碼儀輸出的信號進行校準(zhǔn)，如DQS與DQ的時延校準(zhǔn)、信號幅度校準(zhǔn)、DCD與RJ抖動校準(zhǔn)、壓力眼校準(zhǔn)、均衡校準(zhǔn)等。圖5.21展示了一整套DDR5接收端容限測試的環(huán)境。

克勞德高速數(shù)字信號測試實驗室

地址：深圳市南山區(qū)南頭街道中祥路8號君翔達大廈A棟2樓H區(qū) DDR信號質(zhì)量的測試方法、測試裝置與測試設(shè)備與流程；

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大部分的DRAM都是在一個同步時鐘的控制下進行數(shù)據(jù)讀寫，即SDRAM(Synchronous Dynamic Random -Access Memory) 。SDRAM根據(jù)時鐘采樣方式的不同，又分為SDR   SDRAM(Single Data Rate SDRAM)和DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM) 。SDR  SDRAM只在時鐘的上升或者下降沿進行數(shù)據(jù)采樣，而DDR SDRAM在時鐘的上升和下降 沿都會進行數(shù)據(jù)采樣。采用DDR方式的好處是時鐘和數(shù)據(jù)信號的跳變速率是一樣的，因 此晶體管的工作速度以及PCB的損耗對于時鐘和數(shù)據(jù)信號是一樣的。 DDR測試信號問題排查；天津DDR測試銷售價格

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除了DDR以外，近些年隨著智能移動終端的發(fā)展，由DDR技術(shù)演變過來的LPDDR(Low-PowerDDR,低功耗DDR)也發(fā)展很快。LPDDR主要針對功耗敏感的應(yīng)用場景，相對于同一代技術(shù)的DDR來說會采用更低的工作電壓，而更低的工作電壓可以直接減少器件的功耗。比如LPDDR4的工作電壓為1.1V,比標(biāo)準(zhǔn)的DDR4的1.2V工作電壓要低一些，有些廠商還提出了更低功耗的內(nèi)存技術(shù)，比如三星公司推出的LPDDR4x技術(shù)，更是把外部I/O的電壓降到了0.6V。但是要注意的是，更低的工作電壓對于電源紋波和串?dāng)_噪聲會更敏感，其電路設(shè)計的挑戰(zhàn)性更大。除了降低工作電壓以外，LPDDR還會采用一些額外的技術(shù)來節(jié)省功耗，比如根據(jù)外界溫度自動調(diào)整刷新頻率(DRAM在低溫下需要較少刷新)、部分陣列可以自刷新，以及一些對低功耗的支持。同時，LPDDR的芯片一般體積更小，因此占用的PCB空間更小。 河北DDR測試參考價格

深圳市力恩科技有限公司是以提供實驗室配套，誤碼儀，協(xié)議分析儀，矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀為主的有限責(zé)任公司，力恩科技是我國儀器儀表技術(shù)的研究和標(biāo)準(zhǔn)制定的重要參與者和貢獻者。力恩科技致力于構(gòu)建儀器儀表自主創(chuàng)新的競爭力，產(chǎn)品已銷往多個國家和地區(qū)，被國內(nèi)外眾多企業(yè)和客戶所認可。