一種ddr4內存信號測試方法、裝置及存儲介質技術領域1.本發明涉及計算機測試技術領域，尤其是指一種ddr4內存信號測試方法、裝置及存儲介質。背景技術：2.為保證服務器的平穩運行以及服務器ddr4內存的完好使用，測量服務器內存的信號完整性是否符合標準已經成了服務器研發過程中必不可少的重要流程。目前服務器主流都是適用ddr4內存，為了保證數據的安全性和可靠性，ddr4鏈路的測試對服務器存儲性能評估有著至關重要的影響。3.目前服務器ddr4信號的測試無法進行正常工作狀態的讀寫分離，只能利用主控芯片進行讀寫命令來進行相應讀或寫的測試，效率較低且不能完全反映正常工作狀態下的波形，在信號完整性測試上有比較大的風險。DDR測試信號問題排查；海南DDR測試工廠直銷

實際的電源完整性是相當復雜的，其中要考慮到IC的封裝、仿真信號的切換頻率和PCB耗電網絡。對于PCB設計來說，目標阻抗的去耦設計是相對來說比較簡單的，也是比較實際的解決方案。在DDR的設計上有三類電源，它們是VDD、VTT和Vref。VDD的容差要求是5%，而其瞬間電流從Idd2到Idd7大小不同，詳細在JEDEC里有敘述。通過電源層的平面電容和用的一定數量的去耦電容，可以做到電源完整性，其中去耦電容從10nF到10uF大小不同，共有10個左右。另外，表貼電容合適，它具有更小的焊接阻抗。Vref要求更加嚴格的容差性，但是它承載著比較小的電流。顯然，它只需要很窄的走線，且通過一兩個去耦電容就可以達到目標阻抗的要求。由于Vref相當重要，所以去耦電容的擺放盡量靠近器件的管腳。然而，對VTT的布線是具有相當大的挑戰性，因為它不只要有嚴格的容差性，而且還有很大的瞬間電流，不過此電流的大小可以很容易的就計算出來。終，可以通過增加去耦電容來實現它的目標阻抗匹配。在4層板的PCB里，層之間的間距比較大，從而失去其電源層間的電容優勢，所以，去耦電容的數量將增加，尤其是小于10nF的高頻電容。詳細的計算和仿真可以通過EDA工具來實現。遼寧DDR測試配件DDR存儲器信號和協議測試；

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要注意的是，由于DDR的總線上存在內存控制器和內存顆粒兩種主要芯片，所以DDR的信號質量測試理論上也應該同時涉及這兩類芯片的測試。但是由于JEDEC只規定了對于內存顆粒這一側的信號質量的要求，因此DDR的自動測試軟件也只對這一側的信號質量進行測試。對于內存控制器一側的信號質量來說，不同控制器芯片廠商有不同的要求，目前沒有統一的規范，因此其信號質量的測試還只能使用手動的方法。這時用戶可以在內存控制器一側選擇測試點，并借助合適的信號讀/寫分離手段來進行手動測試。

DDR5具備如下幾個特點：·更高的數據速率·DDR5比較大數據速率為6400MT/s（百萬次/秒），而DDR4為3200MT/s，DDR5的有效帶寬約為DDR4的2倍。·更低的能耗·DDR5的工作電壓為1.1V，低于DDR4的1.2V，能降低單位頻寬的功耗達20％以上·更高的密度·DDR5將突發長度增加到BL16，約為DDR4的兩倍，提高了命令/地址和數據總線效率。相同的讀取或寫入事務現在提供數據總線上兩倍的數據，同時限制同一存儲庫內輸入輸出/陣列計時約束的風險。此外，DDR5使存儲組數量翻倍，這是通過在任意給定時間打開更多頁面來提高整體系統效率的關鍵因素。所有這些因素都意味著更快、更高效的內存以滿足下一代計算的需求。DDR測試系統和DDR測試方法與流程；

對于DDR2和DDR3，時鐘信號是以差分的形式傳輸的，而在DDR2里，DQS信號是以單端或差分方式通訊取決于其工作的速率，當以高度速率工作時則采用差分的方式。顯然，在同樣的長度下，差分線的切換時延是小于單端線的。根據時序仿真的結果，時鐘信號和DQS也許需要比相應的ADDR/CMD/CNTRL和DATA線長一點。另外，必須確保時鐘線和DQS布在其相關的ADDR/CMD/CNTRL和DQ線的當中。由于DQ和DM在很高的速度下傳輸，所以，需要在每一個字節里，它們要有嚴格的長度匹配，而且不能有過孔。差分信號對阻抗不連續的敏感度比較低，所以換層走線是沒多大問題的，在布線時優先考慮布時鐘線和DQS。DDR平均速率以及變化情況；機械DDR測試銷售廠

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DDR4一致性測試工作臺（用示波器中的一致性測試軟件分析DDR仿真波形）對DDR5來說，設計更為復雜，仿真軟件需要幫助用戶通過應用IBIS模型針對基于DDR5顆粒或DIMM的系統進行仿真驗證，比如仿真驅動能力、隨機抖動/確定性抖動、寄生電容、片上端接ODT、信號上升/下降時間、AGC(自動增益控制)功能、4tapsDFE(4抽頭判決反饋均衡)等。

克勞德高速數字信號測試實驗室

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