如何測試DDR？

DDR測試有具有不同要求的兩個方面：芯片級測試DDR芯片測試既在初期晶片階段也在封裝階段進行。采用的測試儀通常是內存自動測試設備，其價值一般在數百萬美元以上。測試儀的部分是一臺可編程的高分辨信號發生器。測試工程師通過編程來模擬實際工作環境；另外，他也可以對計時脈沖邊沿前后進行微調來尋找平衡點。自動測試儀（ATE）系統也存在缺陷。它產生的任意波形數量受制于其本身的后備映象隨機內存和算法生成程序。由于映象隨機內存深度的局限性，使波形只能在自己的循環內重復。因為DDR帶寬和速度是普通SDR的二倍，所以波形變化也應是其二倍。因此，測試儀的映象隨機內存容量會很快被消耗殆盡。為此，要保證一定的測試分辨率，就必須增大測試儀的內存。建立測試頭也是一個棘手的問題。因為DDR內存的數據讀取窗口有1—2ns，所以管腳驅動器的上升和下降時間非常關鍵。為保證在數據眼中心進行信號轉換，需要較好的管腳驅動器轉向速度。在頻率為266MHz時，開始出現傳輸線反射。設計工程師發現在設計測試平臺時必須遵循直線律。為保證信號的統一性，必須對測試頭布局進行傳輸線模擬。管腳驅動器強度必須能比較大限度降低高頻信號反射。 DDR壓力測試的內容方案；信息化DDR測試價目表

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DDRDIMM內存條測試處理內存條測試儀重要的部分是自動處理機。處理機一般采用鍍金連接器以保證與內存條良好的電接觸。在頻率為266MHz時，2英寸長的連接器將會造成測試信號極大衰減。為解決上述難題，一種新型處理機面市了。它采用普通手動測試儀的插槽。測試儀可以模擬手動插入，平穩地插入待測內存條的插槽；一旦測試完成，內存條又可以平穩地從插槽中拔出。

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地址：深圳市南山區南頭街道中祥路8號君翔達大廈A棟2樓H區 信息化DDR測試價目表DDR測試技術介紹與工具分析；

    對于DDR源同步操作，必然要求DQS選通信號與DQ數據信號有一定建立時間tDS和保持時間tDH要求，否則會導致接收鎖存信號錯誤，DDR4信號速率達到了，單一比特位寬為，時序裕度也變得越來越小，傳統的測量時序的方式在短時間內的采集并找到tDS/tDH差值，無法大概率體現由于ISI等確定性抖動帶來的對時序惡化的貢獻，也很難準確反映隨機抖動Rj的影響。在DDR4的眼圖分析中就要考慮這些抖動因素，基于雙狄拉克模型分解抖動和噪聲的隨機性和確定性成分，外推出基于一定誤碼率下的眼圖張度。JEDEC協會在規范中明確了在DDR4中測試誤碼率為1e-16的眼圖輪廓，確保滿足在Vcent周圍Tdivw時間窗口和Vdivw幅度窗口范圍內模板內禁入的要求。

2.PCB的疊層（stackup）和阻抗對于一塊受PCB層數約束的基板（如4層板）來說，其所有的信號線只能走在TOP和BOTTOM層，中間的兩層，其中一層為GND平面層，而另一層為VDD平面層，Vtt和Vref在VDD平面層布線。而當使用6層來走線時，設計一種拓撲結構變得更加容易，同時由于Power層和GND層的間距變小了，從而提高了電源完整性。互聯通道的另一參數阻抗，在DDR2的設計時必須是恒定連續的，單端走線的阻抗匹配電阻50Ohms必須被用到所有的單端信號上，且做到阻抗匹配，而對于差分信號，100Ohms的終端阻抗匹配電阻必須被用到所有的差分信號終端，比如CLOCK和DQS信號。另外，所有的匹配電阻必須上拉到VTT，且保持50Ohms，ODT的設置也必須保持在50Ohms。在DDR3的設計時，單端信號的終端匹配電阻在40和60Ohms之間可選擇的被設計到ADDR/CMD/CNTRL信號線上，這已經被證明有很多的優點。而且，上拉到VTT的終端匹配電阻根據SI仿真的結果的走線阻抗，電阻值可能需要做出不同的選擇，通常其電阻值在30-70Ohms之間。而差分信號的阻抗匹配電阻始終在100Ohms。DDR的規范要求進行需求；

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DDRSDRAM即我們通常所說的DDR內存，DDR內存的發展已經經歷了五代，目前DDR4已經成為市場的主流，DDR5也開始進入市場。對于DDR總線來說，我們通常說的速率是指其數據線上信號的快跳變速率。比如3200MT/s,對應的工作時鐘速率是1600MHz。3200MT/s只是指理想情況下每根數據線上比較高傳輸速率，由于在DDR總線上會有讀寫間的狀態轉換時間、高阻態時間、總線刷新時間等，因此其實際的總線傳輸速率達不到這個理想值。

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DDR4信號質量測試 DDR4-DRAM的工作原理分析；信息化DDR測試價目表

DDR5具備如下幾個特點：·更高的數據速率·DDR5比較大數據速率為6400MT/s（百萬次/秒），而DDR4為3200MT/s，DDR5的有效帶寬約為DDR4的2倍。·更低的能耗·DDR5的工作電壓為1.1V，低于DDR4的1.2V，能降低單位頻寬的功耗達20％以上·更高的密度·DDR5將突發長度增加到BL16，約為DDR4的兩倍，提高了命令/地址和數據總線效率。相同的讀取或寫入事務現在提供數據總線上兩倍的數據，同時限制同一存儲庫內輸入輸出/陣列計時約束的風險。此外，DDR5使存儲組數量翻倍，這是通過在任意給定時間打開更多頁面來提高整體系統效率的關鍵因素。所有這些因素都意味著更快、更高效的內存以滿足下一代計算的需求。信息化DDR測試價目表

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