DDR測(cè)試

在進(jìn)行接收容限測(cè)試時(shí)，需要用到多通道的誤碼儀產(chǎn)生帶壓力的DQ、DQS等信號(hào)。測(cè)試中被測(cè)件工作在環(huán)回模式，DQ引腳接收的數(shù)據(jù)經(jīng)被測(cè)件轉(zhuǎn)發(fā)并通過LBD引腳輸出到誤碼儀的誤碼檢測(cè)端口。在測(cè)試前需要用示波器對(duì)誤碼儀輸出的信號(hào)進(jìn)行校準(zhǔn)，如DQS與DQ的時(shí)延校準(zhǔn)、信號(hào)幅度校準(zhǔn)、DCD與RJ抖動(dòng)校準(zhǔn)、壓力眼校準(zhǔn)、均衡校準(zhǔn)等。圖5.21展示了一整套DDR5接收端容限測(cè)試的環(huán)境。

克勞德高速數(shù)字信號(hào)測(cè)試實(shí)驗(yàn)室

地址：深圳市南山區(qū)南頭街道中祥路8號(hào)君翔達(dá)大廈A棟2樓H區(qū) 不同種類的DDR協(xié)議測(cè)試探頭；測(cè)試服務(wù)DDR測(cè)試價(jià)格優(yōu)惠

6.信號(hào)及電源完整性這里的電源完整性指的是在比較大的信號(hào)切換情況下，其電源的容差性。當(dāng)未符合此容差要求時(shí)，將會(huì)導(dǎo)致很多的問題，比如加大時(shí)鐘抖動(dòng)、數(shù)據(jù)抖動(dòng)和串?dāng)_。這里，可以很好的理解與去偶相關(guān)的理論，現(xiàn)在從”目標(biāo)阻抗”的公式定義開始討論。Ztarget=Voltagetolerance/TransientCurrent（1）在這里，關(guān)鍵是要去理解在差的切換情況下瞬間電流（TransientCurrent）的影響，另一個(gè)重要因素是切換的頻率。在所有的頻率范圍里，去耦網(wǎng)絡(luò)必須確保它的阻抗等于或小于目標(biāo)阻抗（Ztarget）。在一塊PCB上，由電源和地層所構(gòu)成的電容，以及所有的去耦電容，必須能夠確保在100KHz左右到100-200MH左右之間的去耦作用。頻率在100KHz以下，在電壓調(diào)節(jié)模塊里的大電容可以很好的進(jìn)行去耦。而頻率在200MHz以上的，則應(yīng)該由片上電容或用的封裝好的電容進(jìn)行去耦。測(cè)試服務(wù)DDR測(cè)試價(jià)格優(yōu)惠DDR3關(guān)于信號(hào)建立保持是的定義；

DDR測(cè)試按照存儲(chǔ)信息方式的不同，隨機(jī)存儲(chǔ)器又分為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器SRAM(StaticRAM)和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM(DynamicRAM)。SRAM運(yùn)行速度較快、時(shí)延小、控制簡(jiǎn)單，但是SRAM每比特的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需要多個(gè)晶體管，不容易實(shí)現(xiàn)大的存儲(chǔ)容量，主要用于一些對(duì)時(shí)延和速度有要求但又不需要太大容量的場(chǎng)合，如一些CPU芯片內(nèi)置的緩存等。DRAM的時(shí)延比SRAM大，而且需要定期的刷新，控制電路相對(duì)復(fù)雜。但是由于DRAM每比特?cái)?shù)據(jù)存儲(chǔ)只需要一個(gè)晶體管，因此具有集成度高、功耗低、容量大、成本低等特點(diǎn)，目前已經(jīng)成為大容量RAM的主流，典型的如現(xiàn)在的PC、服務(wù)器、嵌入式系統(tǒng)上用的大容量?jī)?nèi)存都是DRAM。

DDR應(yīng)用現(xiàn)狀隨著近十年以來智能手機(jī)、智能電視、AI技術(shù)的風(fēng)起云涌，人們對(duì)容量更高、速度更快、能耗更低、物理尺寸更小的嵌入式和計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器的需求不斷提高，DDRSDRAM也不斷地響應(yīng)市場(chǎng)的需求和技術(shù)的升級(jí)推陳出新。目前，用于主存的DDRSDRAM系列的芯片已經(jīng)演進(jìn)到了DDR5了，但市場(chǎng)上對(duì)經(jīng)典的DDR3SDRAM的需求仍然比較旺盛。測(cè)試痛點(diǎn)測(cè)試和驗(yàn)證電子設(shè)備中的DDR內(nèi)存，客戶一般面臨三大難題：如何連接DDR內(nèi)存管腳；如何探測(cè)和驗(yàn)證突發(fā)的讀寫脈沖信號(hào)；配置測(cè)試系統(tǒng)完成DDR內(nèi)存一致性測(cè)試。DDR在信號(hào)測(cè)試中解決的問題有那些；

對(duì)于DDR2和DDR3，時(shí)鐘信號(hào)是以差分的形式傳輸?shù)模贒DR2里，DQS信號(hào)是以單端或差分方式通訊取決于其工作的速率，當(dāng)以高度速率工作時(shí)則采用差分的方式。顯然，在同樣的長(zhǎng)度下，差分線的切換時(shí)延是小于單端線的。根據(jù)時(shí)序仿真的結(jié)果，時(shí)鐘信號(hào)和DQS也許需要比相應(yīng)的ADDR/CMD/CNTRL和DATA線長(zhǎng)一點(diǎn)。另外，必須確保時(shí)鐘線和DQS布在其相關(guān)的ADDR/CMD/CNTRL和DQ線的當(dāng)中。由于DQ和DM在很高的速度下傳輸，所以，需要在每一個(gè)字節(jié)里，它們要有嚴(yán)格的長(zhǎng)度匹配，而且不能有過孔。差分信號(hào)對(duì)阻抗不連續(xù)的敏感度比較低，所以換層走線是沒多大問題的，在布線時(shí)優(yōu)先考慮布時(shí)鐘線和DQS。DDR測(cè)試USB眼圖測(cè)試設(shè)備？測(cè)試服務(wù)DDR測(cè)試價(jià)格優(yōu)惠

DDR的規(guī)范要求進(jìn)行需求；測(cè)試服務(wù)DDR測(cè)試價(jià)格優(yōu)惠

這里有三種方案進(jìn)行對(duì)比考慮：一種是，通過過孔互聯(lián)的這個(gè)過孔附近沒有任何地過孔，那么，其返回路徑只能通過離此過孔250mils的PCB邊緣來提供；第二種是，一根長(zhǎng)達(dá)362mils的微帶線；第三種是，在一個(gè)信號(hào)線的四周有四個(gè)地過孔環(huán)繞著。圖6顯示了帶有60Ohm的常規(guī)線的S-Parameters，從圖中可以看出，帶有四個(gè)地過孔環(huán)繞的信號(hào)過孔的S-Parameters就像一根連續(xù)的微帶線，從而提高了S21特性。

由此可知，在信號(hào)過孔附近缺少返回路徑的情況下，則此信號(hào)過孔會(huì)增高其阻抗。當(dāng)今的高速系統(tǒng)里，在時(shí)延方面顯得尤為重要。 測(cè)試服務(wù)DDR測(cè)試價(jià)格優(yōu)惠

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