對(duì)于DDR源同步操作，必然要求DQS選通信號(hào)與DQ數(shù)據(jù)信號(hào)有一定建立時(shí)間tDS和保持時(shí)間tDH要求，否則會(huì)導(dǎo)致接收鎖存信號(hào)錯(cuò)誤，DDR4信號(hào)速率達(dá)到了，單一比特位寬為，時(shí)序裕度也變得越來越小，傳統(tǒng)的測(cè)量時(shí)序的方式在短時(shí)間內(nèi)的采集并找到tDS/tDH差值，無法大概率體現(xiàn)由于ISI等確定性抖動(dòng)帶來的對(duì)時(shí)序惡化的貢獻(xiàn)，也很難準(zhǔn)確反映隨機(jī)抖動(dòng)Rj的影響。在DDR4的眼圖分析中就要考慮這些抖動(dòng)因素，基于雙狄拉克模型分解抖動(dòng)和噪聲的隨機(jī)性和確定性成分，外推出基于一定誤碼率下的眼圖張度。JEDEC協(xié)會(huì)在規(guī)范中明確了在DDR4中測(cè)試誤碼率為1e-16的眼圖輪廓，確保滿足在Vcent周圍Tdivw時(shí)間窗口和Vdivw幅度窗口范圍內(nèi)模板內(nèi)禁入的要求。 DDR協(xié)議檢查后生成的測(cè)試報(bào)告；機(jī)械DDR測(cè)試項(xiàng)目

DDR測(cè)試

DDR的信號(hào)仿真驗(yàn)證由于DDR芯片都是采用BGA封裝，密度很高，且分叉、反射非常嚴(yán)重，因此前期的仿真是非常必要的。是借助仿真軟件中專門針對(duì)DDR的仿真模型庫(kù)仿真出的通道損耗以及信號(hào)波形。仿真出信號(hào)波形以后，許多用戶需要快速驗(yàn)證仿真出來的波形是否符合DDR相關(guān)規(guī)范要求。這時(shí)，可以把軟件仿真出的DDR的時(shí)域波形導(dǎo)入到示波器中的DDR測(cè)試軟件中,并生成相應(yīng)的一致性測(cè)試報(bào)告，這樣可以保證仿真和測(cè)試分析方法的一致，并且便于在仿真階段就發(fā)現(xiàn)可能的信號(hào)違規(guī)。 PCI-E測(cè)試DDR測(cè)試執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)DDR4信號(hào)質(zhì)量自動(dòng)測(cè)試軟件；

7.時(shí)序?qū)τ跁r(shí)序的計(jì)算和分析在一些相關(guān)文獻(xiàn)里有詳細(xì)的介紹，下面列出需要設(shè)置和分析的8個(gè)方面：1）寫建立分析：DQvs.DQS2）寫保持分析：DQvs.DQS3）讀建立分析：DQvs.DQS4）讀保持分析：DQvs.DQS5）寫建立分析：DQSvs.CLK6）寫保持分析：DQSvs.CLK7）寫建立分析：ADDR/CMD/CNTRLvs.CLK8）寫保持分析：ADDR/CMD/CNTRLvs.CLK

一個(gè)針對(duì)寫建立（WriteSetup）分析的例子。表中的一些數(shù)據(jù)需要從控制器和存儲(chǔ)器廠家獲取，段”Interconnect”的數(shù)據(jù)是取之于SI仿真工具。對(duì)于DDR2上面所有的8項(xiàng)都是需要分析的，而對(duì)于DDR3，5項(xiàng)和6項(xiàng)不需要考慮。在PCB設(shè)計(jì)時(shí)，長(zhǎng)度方面的容差必須要保證totalmargin是正的。

DDR測(cè)試

DDR4/5的協(xié)議測(cè)試除了信號(hào)質(zhì)量測(cè)試以外，有些用戶還會(huì)關(guān)心DDR總線上真實(shí)讀/寫的數(shù)據(jù)是否正確，以及總線上是否有協(xié)議的違規(guī)等，這時(shí)就需要進(jìn)行相關(guān)的協(xié)議測(cè)試。DDR的總線寬度很寬，即使數(shù)據(jù)線只有16位，加上地址、時(shí)鐘、控制信號(hào)等也有30多根線，更寬位數(shù)的總線甚至?xí)玫缴习俑€。為了能夠?qū)@么多根線上的數(shù)據(jù)進(jìn)行同時(shí)捕獲并進(jìn)行協(xié)議分析，適合的工具就是邏輯分析儀。DDR協(xié)議測(cè)試的基本方法是通過相應(yīng)的探頭把被測(cè)信號(hào)引到邏輯分析儀，在邏輯分析儀中運(yùn)行解碼軟件進(jìn)行協(xié)議驗(yàn)證和分析。 DDR信號(hào)質(zhì)量的測(cè)試方法、測(cè)試裝置與測(cè)試設(shè)備與流程；

DDR測(cè)試

什么是DDR？

DDR是雙倍數(shù)據(jù)速率(DoubleDataRate)。DDR與普通同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)內(nèi)存（DRAM）非常相象。普通同步DRAM（現(xiàn)在被稱為SDR）與標(biāo)準(zhǔn)DRAM有所不同。標(biāo)準(zhǔn)的DRAM接收的地址命令由二個(gè)地址字組成。為節(jié)省輸入管腳，采用了復(fù)用方式。地址字由行地址選通（RAS）鎖存在DRAM芯片。緊隨RAS命令之后，列地址選通（CAS）鎖存第二地址字。經(jīng)過RAS和CAS，存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)可以被讀取。同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)內(nèi)存（SDRDRAM)將時(shí)鐘與標(biāo)準(zhǔn)DRAM結(jié)合，RAS、CAS、數(shù)據(jù)有效均在時(shí)鐘脈沖的上升邊沿被啟動(dòng)。根據(jù)時(shí)鐘指示，可以預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)和其它信號(hào)的位置。因而，數(shù)據(jù)鎖存選通可以精確定位。由于數(shù)據(jù)有效窗口的可預(yù)計(jì)性，所以可將內(nèi)存劃分成4個(gè)組進(jìn)行內(nèi)部單元的預(yù)充電和預(yù)獲取。通過突發(fā)模式，可進(jìn)行連續(xù)地址獲取而不必重復(fù)RAS選通。連續(xù)CAS選通可對(duì)來自相同行的數(shù)據(jù)進(jìn)行讀取。 一種DDR4內(nèi)存信號(hào)測(cè)試方法；測(cè)試服務(wù)DDR測(cè)試一致性測(cè)試

DDR測(cè)試USB眼圖測(cè)試設(shè)備？機(jī)械DDR測(cè)試項(xiàng)目

對(duì)于DDR2和DDR3，時(shí)鐘信號(hào)是以差分的形式傳輸?shù)模贒DR2里，DQS信號(hào)是以單端或差分方式通訊取決于其工作的速率，當(dāng)以高度速率工作時(shí)則采用差分的方式。顯然，在同樣的長(zhǎng)度下，差分線的切換時(shí)延是小于單端線的。根據(jù)時(shí)序仿真的結(jié)果，時(shí)鐘信號(hào)和DQS也許需要比相應(yīng)的ADDR/CMD/CNTRL和DATA線長(zhǎng)一點(diǎn)。另外，必須確保時(shí)鐘線和DQS布在其相關(guān)的ADDR/CMD/CNTRL和DQ線的當(dāng)中。由于DQ和DM在很高的速度下傳輸，所以，需要在每一個(gè)字節(jié)里，它們要有嚴(yán)格的長(zhǎng)度匹配，而且不能有過孔。差分信號(hào)對(duì)阻抗不連續(xù)的敏感度比較低，所以換層走線是沒多大問題的，在布線時(shí)優(yōu)先考慮布時(shí)鐘線和DQS。機(jī)械DDR測(cè)試項(xiàng)目

深圳市力恩科技有限公司位于深圳市南山區(qū)南頭街道南聯(lián)社區(qū)中山園路9號(hào)君翔達(dá)大廈辦公樓A201，交通便利，環(huán)境優(yōu)美，是一家服務(wù)型企業(yè)。是一家有限責(zé)任公司企業(yè)，隨著市場(chǎng)的發(fā)展和生產(chǎn)的需求，與多家企業(yè)合作研究，在原有產(chǎn)品的基礎(chǔ)上經(jīng)過不斷改進(jìn)，追求新型，在強(qiáng)化內(nèi)部管理，完善結(jié)構(gòu)調(diào)整的同時(shí)，良好的質(zhì)量、合理的價(jià)格、完善的服務(wù)，在業(yè)界受到寬泛好評(píng)。公司始終堅(jiān)持客戶需求優(yōu)先的原則，致力于提供高質(zhì)量的實(shí)驗(yàn)室配套，誤碼儀/示波器，矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀，協(xié)議分析儀。力恩科技以創(chuàng)造***產(chǎn)品及服務(wù)的理念，打造高指標(biāo)的服務(wù)，引導(dǎo)行業(yè)的發(fā)展。