質譜使用的氮氣越純，所含雜氣越少，在離子化的過程中離子裂解更致，可以維持質譜更好的靈敏度，并提升實驗的重復性效果。不純的氮氣并不會立即對質譜有影響，導致大家都忽略了氣源的重要性，因此針對液質使用的氮氣發生器，推薦選擇附有進口的實時純度偵測的變壓吸附式的分子篩型氮氣發生器，不但可以維持良好的純度，也能隨時確保使用的氮氣品質。純度監測是使用含氧分析儀監測，分為電化學及氧化鋯兩種方式。電化學式的購入成本較低，但探頭為每年的耗材，氧化鋯式的含氧分析儀成本較高，但探頭不需更換，只需定期校正即可。日本東宇機電致力于提供氮氣發生器，有需求可以來電咨詢！東宇實驗室用氮氣發生器維修

激光切割主要使用的輔助氣體有氧氣、氮氣兩種切割方式。在氧氣切割時，氧氣參與燃燒，斷面可能會較粗糙，且氧化反應增大的熱影響區，切割質量相對氮氣切割會較差，可能出現切縫寬、斷面斜紋、表面粗糙度差及焊渣等質問題。氮氣切割中，氮氣的惰氣可避免過多的氧化反應，熔點區域溫度相對氧切割較低; 加上氮氣的冷卻保護作用，反應較平穩均勻，切割斷面較為光滑，表面粗糙度低，而且無氧化層。氧氣切割主要應用于碳鋼。氮氣切割適合鋁、黃銅、不銹鋼等。激光切割因為是高溫反應，需要極高的氮氣純度99.999%以上，目前國內技術需要加碳或加氫純化; 日本東宇的制氮機可不經過純化器，即可直接達到符合使用要求的99.999%高純氮氣。東宇分子篩氮氣發生器型號氮氣發生器，就選日本東宇機電，用戶的信賴之選，有想法可以來我司咨詢！

氣輔注塑是將高壓氮氣注射到熔融的膠料中，形成推動溶料前進，實現注射、保壓、冷卻等技術。利用氣體高效的壓力傳遞性，使氣道內各處的壓力保持一致，消除內部應力，防止產品變形，并且同時大幅降低模腔內壓力。利用此原理，在成型過程中可以降低鎖模力，減輕產品重量、消除縮痕…等。氣輔模具與傳統注塑模具差別是氣輔增加了進氣元件（氣針），以及氣道的設計。氮氣的純度會影響氣針的銹蝕程度，因此氣輔設備建議使用PSA變壓吸附，可產生穩定純度的氮氣，維持氣針的良好壽命，避免溶膠堵塞、氣針損壞等問題。

氮氣發生器以品質良好的進口碳分子篩（CMS）為吸附劑，氮氣發生器采用常溫下變壓吸附原理（PSA）分離空氣制取高純度的氮氣。應用： LCMS（液相色譜儀） GC（氣相色譜） 產業 （食物,電子,化工等等) 制氮機系統原理編輯 氧、氮兩種氣體分子在分子篩表面上的擴散速率不同，直徑較小的氣體分子（O2）擴散速率較快，較多的進入碳分子篩微孔，直徑較大的氣體分子（N2）擴散速率較慢，進入碳分子篩微孔較少。利用碳分子篩對氮和氧的這種選擇吸附性差異，導致短時間內氧在吸附相富集，氮在氣體相富集，如此氧氮分離，在PSA條件下得到氣相富集物氮氣。 氮氣發生器日本東宇機電值得用戶放心。

SMT的回焊爐加氮氣較主要是避免空氣中的氧氣與金屬接觸產生氧化的反應，降低氧氣可能造成的氧化反應造成焊接表面的污染的物質并且提高焊接的潤濕性。氮氣環境下，焊錫的表面張力比在空氣中小，錫膏的流動性與潤濕性較好，可減少過爐氧化，提升焊接能力、增強焊錫性、減少空洞率等等。但是添加氮氣也有可能造成墓碑效應、燈芯效應等等。因此，不是每一種電路板或零件都適合采用氮氣回流焊。需要了解自己的零件或電路板的特性以及吃錫效果、墓碑效應、燈芯效應等，是否造成不量率的過多提高。日本東宇機電為您提供氮氣發生器，有想法的不要錯過哦！日本東宇食品用氮氣發生器原理

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變壓吸附原理（Pressure Swing Adsorption，簡稱PSA技術）是一種先進的氣體分離技術，以吸附劑（多孔固體物質）內部表面對氣體分子的物理吸附為基礎，利用吸附劑在相同壓力下易吸收高沸點氣體、不易吸收低沸點氣體，和高壓下被吸收氣體的吸附量增加、低壓下被吸收氣體的吸附量減少的特性來實現氣體的分離。這種在壓力下吸附雜質、減壓下解吸雜質使吸附劑再生的過程，就是變壓吸附循環。碳分子篩在吸附同一氣體時，氣體壓力越高則吸附劑的吸附量越大。反之，壓力越低則吸附量越小。特點： 分子篩采用TOU高密度充填技術，分子篩不易粉化，使用壽命長； 能耗低、產品氮氣純度高； 合理的內部構件，氣流分布均勻，減輕氣流高速沖擊； 整套設備的自動化程度高； 多功能監控系統，實現氣量、純度、壓力在線 LCD 顯示，設備故障報警，維護保養提示，實時掌握設備運行狀況； 可全集成撬裝設計，使安裝和調試簡便迅速； 可選配氮氣流量，遠程監控系統等。東宇實驗室用氮氣發生器維修