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微針器件與生物傳感集成：公司采用干濕法混合刻蝕工藝制備的微針陣列，兼具納米級前列銳度（曲率半徑<100 nm）與微米級結構強度（抗彎剛度≥1 GPa），可穿透角質層無創提取組織間液或實現透皮給藥。在藥物遞送領域，載藥微針通過可降解高分子涂層（如PLGA）實現藥物的緩釋控制。例如，胰島素微針貼片可在30分鐘內完成藥物釋放，生物利用度較皮下注射提升40%。此外，微針表面可修飾金納米顆?；驅щ娋酆衔铮勺杩?伏安傳感模塊，實時檢測炎癥因子（如IL-6）或病原體抗原，檢測限低至1 pg/mL。在電化學檢測場景中，微針陣列與微流控芯片聯用，可同步完成樣本提取、預處理與信號分析，將皮膚間質液檢測的全程時...

MEMS制作工藝-聲表面波器件的原理：聲表面波器件是在壓電基片上制作兩個聲一電換能器一叉指換能器。所謂叉指換能器就是在壓電基片表面上形成形狀像兩只手的手指交叉狀的金屬圖案，它的作用是實現聲一電換能。聲表面波SAW器件的工作原理是，基片左端的換能器(輸入換能器)通過逆壓電效應將愉入的電信號轉變成聲信號，此聲信號沿基片表面傳播，然后由基片右邊的換能器(輸出換能器)將聲信號轉變成電信號輸出。整個聲表面波器件的功能是通過對在壓電基片上傳播的聲信號進行各種處理，并利用聲一電換能器的特性來完成的。MEMS的單分子免疫檢測是什么？甘肅MEMS微納米加工 MEMS特點： 1.微型化：MEMS器件體積小...

MEMS制作工藝-太赫茲特性： 1.相干性由于它是由相千電流驅動的電偶極子振蕩產生，或又相千的激光脈沖通過非線性光學頻率差頻產生，因此有很好的相干性。THz的相干測量技術能夠直接測量電場振幅和相位，從而方便提取檢測樣品的折射率，吸收系數等。 2.低能性:THz光子的能量只有10^-3量級，遠小于X射線的10^3量級，不易破壞被檢測的物質，適合于生物大分子與活性物質結構的研究。 3.穿透性:THz輻射對于很多非極性物質，如塑料，紙箱，布料等包裝材料有很強的穿透能力，在環境控制與安全方面能有效發揮作用 4.吸收性:大多數極性分子對THz有強烈的吸收作用，可以用來進行醫療...

高壓SOI工藝在MEMS芯片中的應用創新：高壓SOI（絕緣體上硅）工藝是制備高耐壓、低功耗MEMS芯片的**技術，公司在0.18μm節點實現了發射與開關電路的集成創新。通過SOI襯底的埋氧層（厚度1μm）隔離高壓器件與低壓控制電路，耐壓能力達200V以上，漏電流＜1nA，適用于神經電刺激、超聲驅動等高壓場景。在神經電子芯片中，高壓SOI工藝實現了128通道**驅動，每通道輸出脈沖寬度1-1000μs可調，幅度0-100V可控，脈沖邊沿抖動＜5ns，確保精細的神經信號調制。與傳統體硅工藝相比，SOI芯片的寄生電容降低40%，功耗節省30%，芯片面積縮小50%。公司優化了SOI晶圓的鍵合與減薄工藝...

微機電系統是指集微型傳感器、執行器以及信號處理和控制電路、接口電路、通信和電源于一體的微型機電系統，是一個智能系統。主要由傳感器、作動器和微能源三大部分組成。微機電系統具有以下幾個基本特點，微型化、智能化、多功能、高集成度。微機電系統。它是通過系統的微型化、集成化來探索具有新原理、新功能的元件和系統微機電系統。微機電系統涉及航空航天、信息通信、生物化學、醫療、自動控制、消費電子以及兵器等應用領域。微機電系統的制造工藝主要有集成電路工藝、微米/納米制造工藝、小機械工藝和其他特種加工工種。微機電系統技術基礎主要包括設計與仿真技術、材料與加工技術、封裝與裝配技術、測量與測試技術、集成與系統技術等。超...

MEA柔性電極：MEMS工藝開發的MEA（微電極陣列）柔性電極，是腦機接口（BCI）與類***電生理研究的**技術載體。該電極采用超薄柔性基底材料（如聚酰亞胺或PDMS），厚度可精細控制在10-50微米范圍內，表面通過光刻與金屬沉積工藝集成高密度“觸凸”式微電極陣列。在腦機接口領域，柔性電極通過微創手術植入大腦皮層，用于癲癇病灶的精細定位與閉環電刺激***。在類***研究中，電極陣列與腦類***共培養系統結合，可長期監測神經元網絡的自發電活動與突觸可塑性變化，為阿爾茨海默病藥物篩選提供高分辨率電生理數據。此外，公司開發的“仿生褶皺結構”柔性電極，通過力學匹配設計進一步降低植入后的機械應力，延長...

MEMS制作工藝柔性電子的定義： 柔性電子可概括為是將有機/無機材料電子器件制作在柔性/可延性塑料或薄金屬基板上的新興電子技術，以其獨特的柔性/延展性以及高效、低成本制造工藝，在信息、能源、醫療等領域具有廣泛應用前景，如柔性電子顯示器、有機發光二極管OLED、印刷RFID、薄膜太陽能電池板、電子用表面粘貼(SkinPatches)等。與傳統IC技術一樣，制造工藝和裝備也是柔性電子技術發展的主要驅動力。柔性電子制造技術水平指標包括芯片特征尺寸和基板面積大小，其關鍵是如何在更大幅面的基板上以更低的成本制造出特征尺寸更小的柔性電子器件。 SU8 硅片 / 石英片微流控模具加工技術，支持 6...

微針器件與生物傳感集成：公司采用干濕法混合刻蝕工藝制備的微針陣列，兼具納米級前列銳度（曲率半徑<100 nm）與微米級結構強度（抗彎剛度≥1 GPa），可穿透角質層無創提取組織間液或實現透皮給藥。在藥物遞送領域，載藥微針通過可降解高分子涂層（如PLGA）實現藥物的緩釋控制。例如，胰島素微針貼片可在30分鐘內完成藥物釋放，生物利用度較皮下注射提升40%。此外，微針表面可修飾金納米顆粒或導電聚合物，集成阻抗/伏安傳感模塊，實時檢測炎癥因子（如IL-6）或病原體抗原，檢測限低至1 pg/mL。在電化學檢測場景中，微針陣列與微流控芯片聯用，可同步完成樣本提取、預處理與信號分析，將皮膚間質液檢測的全程時...

MEMS技術的主要分類：傳感MEMS技術是指用微電子微機械加工出來的、用敏感元件如電容、壓電、壓阻、熱電耦、諧振、隧道電流等來感受轉換電信號的器件和系統。它包括速度、壓力、濕度、加速度、氣體、磁、光、聲、生物、化學等各種傳感器，按種類分主要有:面陣觸覺傳感器、諧振力敏感傳感器、微型加速度傳感器、真空微電子傳感器等。傳感器的發展方向是陣列化、集成化、智能化。由于傳感器是人類探索自然界的觸角，是各種自動化裝置的神經元，且應用領域大，未來將備受世界各國的重視。MEMS 微納米加工技術是現代制造業中的關鍵領域，它能夠在微觀尺度上制造出高精度的器件。北京MEMS微納米加工風格物聯網普及極大拓展MEMS應...

MEMS四種刻蝕工藝的不同需求： 1.體硅刻蝕：一些塊體蝕刻些微機電組件制造過程中需要蝕刻挖除較大量的Si基材，如壓力傳感器即為一例，即通過蝕刻硅襯底背面形成深的孔洞，但未蝕穿正面，在正面形成一層薄膜。還有其他組件需蝕穿晶圓，不是完全蝕透晶背而是直到停在晶背的鍍層上。基于Bosch工藝的一項特點，當要維持一個近乎于垂直且平滑的側壁輪廓時，是很難獲得高蝕刻率的。因此通常為達到很高的蝕刻率，一般避免不了伴隨產生具有輕微傾斜角度的側壁輪廓。不過當采用這類塊體蝕刻時，工藝中很少需要垂直的側壁。 2.準確刻蝕：精確蝕刻精確蝕刻工藝是專門為體積較小、垂直度和側壁輪廓平滑性上升為關鍵因素的組...

MEMS技術的主要分類：生物MEMS技術是用MEMS技術制造的化學/生物微型分析和檢測芯片或儀器，統稱為Bio-sensor技術，是一類在襯底上制造出的微型驅動泵、微控制閥、通道網絡、樣品處理器、混合池、計量、增擴器、反應器、分離器以及檢測器等元器件并集成為多功能芯片?？梢詫崿F樣品的進樣、稀釋、加試劑、混合、增擴、反應、分離、檢測和后處理等分析全過程。它把傳統的分析實驗室功能微縮在一個芯片上。生物MEMS系統具有微型化、集成化、智能化、成本低的特點。功能上有獲取信息量大、分析效率高、系統與外部連接少、實時通信、連續檢測的特點。國際上生物MEMS的研究已成為熱點，不久將為生物、化學分析系統帶來一...

神經電子芯片的MEMS微納加工技術與臨床應用：神經電子芯片作為植入式醫療設備的**組件，對微型化、生物相容性及功能集成度提出了極高要求。公司依托0.35/0.18μm高壓工藝，成功開發多通道神經電刺激SoC芯片，可實現無線充電與通訊功能，將控制信號轉化為精細電刺激脈沖，用于神經感知、調控及阻斷。以128像素視網膜假體芯片為例，通過MEMS薄膜沉積技術在硅基基板上制備高密度電極陣列，單個電極尺寸*50μm×50μm，間距100μm，確保對視網膜神經細胞的靶向刺激。芯片表面采用聚酰亞胺（PI）與氮化硅復合涂層，經120℃高溫固化處理后，涂層厚度控制在5-8μm，有效抑制蛋白吸附與炎癥反應，植入體壽...

射頻MEMS器件分為MEMS濾波器、MEMS開關、MEMS諧振器等。射頻前端模組主要由濾波器、低噪聲放大器、功率放大器、射頻開關等器件組成，其中濾波器是射頻前端中重要的分立器件，濾波器的工藝就是MEMS，在射頻前端模組中占比超過50%，主要由村田制作所等國外公司生產。因為沒有適用的國產5GMEMS濾波器，因此華為手機只能用4G，也是這個原因，可見MEMS濾波器的重要性。濾波器（SAW、BAW、FBAR等），負責接收通道的射頻信號濾波，將接收的多種射頻信號中特定頻率的信號輸出，將其他頻率信號濾除。以SAW聲表面波為例，通過電磁信號-聲波-電磁信號的兩次轉換，將不受歡迎的頻率信號濾除?；⌒沃狱c陣...

新材料或將成為國產MEMS發展的新機會。截止到目前，硅基MEMS發展已經有40多年的發展歷程，如何提高產品性能、降低成本是全球企業都在思考的問題，而基于新材料的MEMS器件則成為擺在眼前的大奶酪，PZT、氮化鋁、氧化釩、鍺等新材料MEMS器件的研究正在進行中，搶先一步投入應用，將是國產MEMS彎道超車的好時機。另外，將多種單一功能傳感器組合成多功能合一的傳感器模組，再進行集成一體化，也是MEMS產業新機會。提高自主創新意識，加強創新能力，也不是那么的遙遠。MEMS 微納米加工的成本效益隨著技術的成熟逐漸提高，為其大規模商業化應用奠定了基礎。代理MEMS微納米加工生物芯片高壓SOI工藝在MEMS...

微納結構的多圖拼接測量技術：針對大尺寸微納結構的完整表征，公司開發了多圖拼接測量技術，結合SEM與圖像算法實現亞微米級精度的全景成像。首先通過自動平移臺對樣品進行網格掃描，獲取多幅局部SEM圖像（分辨率5nm，視野范圍10-100μm）；然后利用特征點匹配算法（如SIFT/SURF）進行圖像配準，誤差＜±2nm/100μm；通過融合算法生成完整的拼接圖像，可覆蓋10mm×10mm區域。該技術應用于微流控芯片的流道檢測時，可快速識別全長10cm流道內的微小缺陷（如5μm以下的毛刺或堵塞），檢測效率較單圖測量提升10倍。在納米壓印模具檢測中，多圖拼接可精確分析100μm×100μm范圍內的結構一致...

MEMS微納加工的產業化能力與技術儲備：公司在MEMS微納加工領域構建了完整的技術體系與產業化能力，涵蓋從設計仿真（使用COMSOL、Lumerical等軟件）到工藝開發（10+種主流加工工藝）、批量生產（萬級潔凈車間，月產能50,000片）的全鏈條服務。技術儲備方面，持續投入下一代微納加工技術，包括：①納米壓印技術實現10nm級結構復制，支持單分子測序芯片開發；②激光誘導正向轉移（LIFT）技術實現金屬電極的無掩膜直寫，加工速度提升5倍；③可降解聚合物加工工藝，開發聚乳酸基微流控芯片，適用于體內短期植入檢測。在設備端，引進了電子束曝光機（分辨率5nm）、電感耦合等離子體刻蝕機（ICP，刻蝕速...

高壓SOI工藝在MEMS芯片中的應用創新：高壓SOI（絕緣體上硅）工藝是制備高耐壓、低功耗MEMS芯片的**技術，公司在0.18μm節點實現了發射與開關電路的集成創新。通過SOI襯底的埋氧層（厚度1μm）隔離高壓器件與低壓控制電路，耐壓能力達200V以上，漏電流＜1nA，適用于神經電刺激、超聲驅動等高壓場景。在神經電子芯片中，高壓SOI工藝實現了128通道**驅動，每通道輸出脈沖寬度1-1000μs可調，幅度0-100V可控，脈沖邊沿抖動＜5ns，確保精細的神經信號調制。與傳統體硅工藝相比，SOI芯片的寄生電容降低40%，功耗節省30%，芯片面積縮小50%。公司優化了SOI晶圓的鍵合與減薄工藝...

MEMS四種刻蝕工藝的不同需求： 絕緣層上的硅蝕刻即SOI器件刻蝕：先進的微機電組件包含精細的可移動性零組件，例如應用于加速計、陀螺儀、偏斜透鏡(tiltingmirrors).共振器(resonators)、閥門、泵、及渦輪葉片等組件的懸臂梁。這些許多的零組件，是以深硅蝕刻方法在晶圓的正面制造，接著藉由橫方向的等向性底部蝕刻的方法從基材脫離，此方法正是典型的表面細微加工技術。而此技術有一項特點是以掩埋的一層材料氧化硅作為針對非等向性蝕刻的蝕刻終止層，達成以等向性蝕刻實現組件與基材間脫離的結構(如懸臂梁)。由于二氧化硅在硅蝕刻工藝中，具有高蝕刻選擇比且在各種尺寸的絕緣層上硅晶材料可輕...

超薄PDMS與光學玻璃的鍵合工藝優化：超薄PDMS（100μm以上）與光學玻璃的鍵合技術實現了柔性微流控芯片與高透光基板的集成，適用于熒光顯微成像、單細胞觀測等場景。鍵合前，PDMS基板經氧等離子體處理（功率50W，時間20秒）實現表面羥基化，光學玻璃通過UV-Ozone清洗去除有機物污染；然后在潔凈環境下對準貼合，施加0.2MPa壓力并室溫固化2小時，形成不可逆共價鍵，透光率＞95%@400-800nm，鍵合界面缺陷率＜1%。超薄PDMS的柔韌性（彈性模量1-3MPa）可減少玻璃基板的應力集中，耐彎曲半徑＞10mm，適用于動態培養環境下的細胞觀測。在單分子檢測芯片中，鍵合后的玻璃表面可直接進...

硅基金屬電極加工工藝與生物相容性優化：在硅片、LN（鈮酸鋰）、LT（鉭酸鋰）、藍寶石、石英等基板上加工金屬電極，需兼顧電學性能與生物相容性。公司采用濺射沉積與剝離工藝，首先在基板表面沉積50-200nm的鈦/金種子層，增強金屬與基板的附著力；然后旋涂光刻膠并曝光顯影，形成電極圖案；再濺射1-5μm厚度的金/鉑金屬層，***通過**剝離得到完整電極結構。電極線條寬度可控制在10-500μm，邊緣粗糙度＜5μm，接觸電阻＜1Ω?cm2。針對植入式醫療器件，表面采用聚乙二醇（PEG）涂層處理，通過硅烷偶聯劑共價鍵合，涂層厚度5-10nm，可將蛋白吸附量降低90%以上，炎癥反應發生率下降60%。該技術...

MEMS制作工藝柔性電子的常用材料-PI： 柔性PI膜是一種由聚酰亞胺（PI）構成的薄膜材料，它是通過將均苯四甲酸二酐（PMDA）與二胺基二苯醚（ODA）在強極性溶劑中進行縮聚反應，然后流延成膜，然后經過亞胺化處理得到的高分子絕緣材料。柔性PI膜擁有許多獨特的優點，如高絕緣性、良好的粘結性、強的耐輻射性和耐高溫性能，使其成為一種綜合性能很好的有機高分子材料。 柔性PI膜的應用非常廣，尤其在電子、液晶顯示、機械、航空航天、計算機、光伏電池等領域有著重要的用途。特別是在液晶顯示行業中，柔性PI膜因其優越的性能而被用作新型材料，用于制造折疊屏手機的基板、蓋板和觸控材料。由于OLED顯...

MEMS傳感器的主要應用領域有哪些？ 消費電子產品在MEMSDrive出現之前，手機攝像頭主要由音圈馬達移動鏡頭組的方式實現防抖(簡稱鏡頭防抖技術)，受到很大的局限。而另一個在市場上較好的防抖技術：多軸防抖，則是利用移動圖像傳感器(ImageSensor)補償抖動，但由于這個技術體積龐大、耗電量超出手機載荷，一直無法在手機上應用。憑著微機電在體積和功耗上的突破，新的技術MEMSDrive類似一張貼在圖像傳感器背面的平面馬達，帶動圖像傳感器在三個旋轉軸移動。MEMSDrive的防抖技術是透過陀螺儀感知拍照過程中的瞬間抖動，依靠精密算法，計算出馬達應做的移動幅度并做出快速補償。這一系列動...

神經電子芯片的MEMS微納加工技術與臨床應用：神經電子芯片作為植入式醫療設備的**組件，對微型化、生物相容性及功能集成度提出了極高要求。公司依托0.35/0.18μm高壓工藝，成功開發多通道神經電刺激SoC芯片，可實現無線充電與通訊功能，將控制信號轉化為精細電刺激脈沖，用于神經感知、調控及阻斷。以128像素視網膜假體芯片為例，通過MEMS薄膜沉積技術在硅基基板上制備高密度電極陣列，單個電極尺寸*50μm×50μm，間距100μm，確保對視網膜神經細胞的靶向刺激。芯片表面采用聚酰亞胺（PI）與氮化硅復合涂層，經120℃高溫固化處理后，涂層厚度控制在5-8μm，有效抑制蛋白吸附與炎癥反應，植入體壽...

MEMS微納加工的產業化能力與技術儲備：公司在MEMS微納加工領域構建了完整的技術體系與產業化能力，涵蓋從設計仿真（使用COMSOL、Lumerical等軟件）到工藝開發（10+種主流加工工藝）、批量生產（萬級潔凈車間，月產能50,000片）的全鏈條服務。技術儲備方面，持續投入下一代微納加工技術，包括：①納米壓印技術實現10nm級結構復制，支持單分子測序芯片開發；②激光誘導正向轉移（LIFT）技術實現金屬電極的無掩膜直寫，加工速度提升5倍；③可降解聚合物加工工藝，開發聚乳酸基微流控芯片，適用于體內短期植入檢測。在設備端，引進了電子束曝光機（分辨率5nm）、電感耦合等離子體刻蝕機（ICP，刻蝕速...

通過MEMS技術制作的生物傳感器，圍繞細胞分選檢測、生物分子檢測、人工聽覺微系統等方向，突破了高通量細胞圖形化、片上細胞聚焦分選、耳蝸內聲電混合刺激、高時空分辨率相位差分檢測等一批具有自主知識產權的關鍵技術，取得了一批原創性成果，研制了具有世界很高水平的高通量原位細胞多模式檢測系統、流式細胞儀、系列流式細胞檢測芯片等檢測儀器，打破了相關領域國際廠商的技術封鎖和壟斷。總之，面向醫療健康領域的重大需求，經過多年持續的努力，我們取得一系列具有國際先進水平的科研成果，部分技術處于國際前列地位，其中多項技術尚屬國際開創。深反應離子刻蝕是 MEMS 微納米加工中常用的刻蝕工藝，可用于制造高深寬比的微結構。...

MEMS制作工藝柔性電子出現的意義： 柔性電子技術有可能帶來一場電子技術進步，引起全世界的很多的關注并得到了迅速發展。美國《科學》雜志將有機電子技術進展列為2000年世界幾大科技成果之一，與人類基因組草圖、生物克隆技術等重大發現并列。美國科學家艾倫黑格、艾倫·馬克迪爾米德和日本科學家白川英樹由于他們在導電聚合物領域的開創性工作獲得2000年諾貝爾化學獎。 柔性電子技術是行業新興領域，它的出現不但整合電子電路、電子組件、材料、平面顯示、納米技術等領域技術外，同時橫跨半導體、封測、材料、化工、印刷電路板、顯示面板等產業，可協助傳統產業，如塑料、印刷、化工、金屬材料等產業的轉型。其在...

MEMS制作工藝-太赫茲特性： 1.相干性由于它是由相千電流驅動的電偶極子振蕩產生，或又相千的激光脈沖通過非線性光學頻率差頻產生，因此有很好的相干性。THz的相干測量技術能夠直接測量電場振幅和相位，從而方便提取檢測樣品的折射率，吸收系數等。 2.低能性:THz光子的能量只有10^-3量級，遠小于X射線的10^3量級，不易破壞被檢測的物質，適合于生物大分子與活性物質結構的研究。 3.穿透性:THz輻射對于很多非極性物質，如塑料，紙箱，布料等包裝材料有很強的穿透能力，在環境控制與安全方面能有效發揮作用 4.吸收性:大多數極性分子對THz有強烈的吸收作用，可以用來進行醫療...

MEMS制作工藝-聲表面波器件的特點： 1.聲表面波具有極低的傳播速度和極短的波長，它們各自比相應的電磁波的傳播速度的波長小十萬倍。在VHF和UHF波段內，電磁波器件的尺寸是與波長相比擬的。同理，作為電磁器件的聲學模擬聲表面波器件SAW，它的尺寸也是和信號的聲波波長相比擬的。因此，在同一頻段上，聲表面波器件的尺寸比相應電磁波器件的尺寸減小了很多，重量也隨之大為減輕。 2.由于聲表面波系沿固體表面傳播，加上傳播速度極慢，這使得時變信號在給定瞬時可以完全呈現在晶體基片表面上。于是當信號在器件的輸入和輸出端之間行進時，就容易對信號進行取樣和變換。這就給聲表面波器件以極大的靈活性，使它...

MEMS制作工藝-太赫茲傳感器： 超材料(Metamaterial)是一種由周期性亞波長金屬諧振的單元陣列組成的人工復合型電磁材料,通過合理的設計單元結構可實現特殊的電磁特性,主要包括隱身、完美吸和負折射等特性。目前,隨著太赫茲技術的快速發展,太赫茲超材料器件已成為當前科研的研究熱點,在濾波器、吸收器、偏振器、太赫茲成像、光譜和生物傳感器等領域有著廣闊的應用前景。 這項研究提出了一種全光學、端到端的衍射傳感器，用于快速探測隱藏結構。這種衍射太赫茲傳感器具有獨特的架構，由一對編碼器和解碼器構成的衍射網絡組成，每個網絡都承擔著結構化照明和空間光譜編碼的獨特職責，這種設計較為新穎?；?..

MEA柔性電極的MEMS制造工藝：公司開發的腦機接口用MEA（微電極陣列）柔性電極，采用聚酰亞胺或PDMS作為柔性基底，通過光刻、金屬蒸鍍與電化學沉積工藝，構建高密度“觸凸”式電極陣列。電極點直徑可縮至20微米，間距50微米，表面修飾PEDOT:PSS導電聚合物，電荷注入容量（CIC）達2mC/cm2，信噪比（SNR）提升至25dB以上。制造過程中，通過激光切割與等離子體鍵合技術，實現電極與柔性電路的可靠封裝。該工藝支持定制化設計，例如針對癲癇監測的16通道電極，植入后機械應力降低70%，使用壽命延長至3年。此外，電極陣列可集成于類***培養芯片，實時監測神經元放電頻率與網絡同步性，為神經退行...