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5、 維持電流IH 在規定溫度下，控制極斷路，維持可控硅導通所必需的**小陽極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問世，如適于高頻應用的快速可控硅，可以用正或負的觸發信號控制兩個方向導通的雙向可控硅，可以用正觸發信號使其導通，用負觸發信號使其關斷的可控硅等等。可控...

2、保護單臺長期工作的電機熔體電流可按比較大起動電流選取，也可按下式選取：IRN ≥ (1.5～2.5)IN式中IRN--熔體額定電流；IN--電動機額定電流。如果電動機頻繁起動，式中系數可適當加大至3～3.5，具體應根據實際情況而定。3、保護多臺長期工作的電...

（三）環保LED燈內部不含有任何的汞等重金屬材料，但是熒光燈中含有，這就體現了LED燈環保的特點。現在的人都十分重視環保，所以，會有更多的人愿意選擇環保的LED燈。 [3]（四）響應速度快LED燈還有一個突出的特點，就是反應的速度比較快。只要一接通電源，LED...

Q 為柵極電荷，可參考IGBT模塊參數手冊。例如，常見IGBT驅動器(如TX-KA101)輸出正電壓15V，負電壓-9V，則U=24V，假設 F=10KHz，Q=2.8uC可計算出 P=0.67w ，柵極電阻應選取2W電阻，或2個1W電阻并聯。三、設置柵極電阻...

快速熔斷器的結構熔斷器由磁殼、導電板、熔體、石英砂、消弧劑、指示器六部分組成。熔體的材質為純銀，形狀為矩形薄片，且具有圓孔狹頸 [1]。快速熔斷器的滅弧原理快速熔斷器的熔體是由純銀制成的，由于純銀的電阻率低、延展性好、化學穩定性好，因此快速熔斷器的熔體可做成薄...

IGBT功率模塊采用IC驅動，各種驅動保護電路，高性能IGBT芯片，新型封裝技術，從復合功率模塊PIM發展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM。PIM向高壓大電流發展，其產品水平為1200—1800A/1800—3300V，IPM除用于...

⒊ 控制極觸發電流（IGT），俗稱觸發電流。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安。4，在規定環境溫度和散熱條件下，允許通過陰極和陽極的電流平均值。常用可控硅的封裝形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220ABC、TO-3P...

反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區寬度很小，反向電壓較大時，破壞了勢壘區內共價鍵結構，使價電子脫離共價鍵束縛，產生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區寬度較寬，不容易產生齊納擊...

四種觸發方式可控硅四種觸發方式可控硅四種觸發方式由于在雙向可控硅的主電極上，無論加以正向電壓或是反向電壓，也不管觸發信號是正向還是反向，它都能被觸發導通，因此它有以下四種觸發方式：(1)當主電極T2對Tl所加的電壓為正向電壓，控制極G對***電極Tl所加的也是...

可控硅元件的結構不管可控硅的外形如何，它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結構。見圖1。它有三個PN結（J1、J2、J3），從J1結構的P1層引出陽極A，從N2層引出陰級K，從P2層引出控制極G，所以它是一種四層三端的半導體器件。結構原件可...

2023年5月，新加坡—麻省理工學院研究與技術聯盟的科學家開發了世界上**小的LED（發光二極管）。2024年2月5日，中國科學院寧波材料技術與工程研究所團隊深挖機理、創新工藝，制備出一款高效穩定的鈣鈦礦發光二極管，相關論文發于國際學術期刊《自然·光子學》。 ...

因硼原子只有三個價電子，它與周圍的硅原子形成共價鍵，因缺少一個電子，在晶體中便產生一個空位，當相鄰共價鍵上的電子獲得能量時就有可能填補這個空位，使硼原子成了不能移動的負離子，而原來的硅原子的共價鍵則因缺少一個電子，形成了空穴，但整個半導體仍呈中性。這種P型半導...

在使用IGBT的場合，當柵極回路不正常或柵極回路損壞時(柵極處于開路狀態)，若在主回路上加上電壓，則IGBT就會損壞，為防止此類故障，應在柵極與發射極之間串接一只10KΩ左右的電阻。在安裝或更換IGBT模塊時，應十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態和擰緊程...

當發生短路故障時，短路電流將金屬鈉加熱氣化成高溫高壓的等離子狀態，使其電阻急劇增加，從而起到限流作用。此時，熔體氣化后產生的高壓推動活塞向右移動，壓縮氬氣。當斷路器切開由自復熔斷器限制了的短路電流后，金屬鈉蒸氣溫度下降，壓力也隨之下降，原來受壓的氬氣又凝結成液...

低壓熔斷器（low voltage fuse）是2020年公布的電力名詞。低壓熔斷器***用于低壓供配電系統和控制系統中，主要用于短路保護，有時也可用于過載保護。熔斷器串聯在電路中，當電路發生短路或嚴重過載時，熔斷器中的熔體將自動熔斷，從而切斷電路，起到保護作...

3、線路中各級熔斷器熔體額定電流要相應配合，保持前一級熔體額定電流必須大于下一級熔體額定電流；4、熔斷器的熔體要按要求使用相配合的熔體，不允許隨意加大熔體或用其他導體代替熔體。熔斷器巡視檢查：1、檢查熔斷器和熔體的額定值與被保護設備是否相配合；2、檢查熔斷器外...

由于IGBT模塊為MOSFET結構，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發射極實現電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達到20～30V。因此因靜電而導致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。 因此使用中要注意以下幾點：1. 在使用模塊時，盡量不要用手觸摸驅動端子...

2023年5月，新加坡—麻省理工學院研究與技術聯盟的科學家開發了世界上**小的LED（發光二極管）。2024年2月5日，中國科學院寧波材料技術與工程研究所團隊深挖機理、創新工藝，制備出一款高效穩定的鈣鈦礦發光二極管，相關論文發于國際學術期刊《自然·光子學》。 ...

?IGBT電源模塊?是一種由絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）構成的功率模塊。IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半...

確定IGBT 的門極電荷對于設計一個驅動器來說，**重要的參數是門極電荷QG(門極電壓差時的IGBT 門極總電荷)，如果在IGBT 數據手冊中能夠找到這個參數，那么我們就可以運用公式計算出：門極驅動能量 E = QG · UGE = QG · [ VG(on)...

觸發二極管又稱雙向觸發二極管（DIAC）屬三層結構，具有對稱性的二端半導體器件。常用來觸發雙向可控硅 ，在電路中作過壓保護等用途。圖1是它的構造示意圖。圖2、圖3分別是它的符號及等效電路，可等效于基極開路、發射極與集電極對稱的NPN型晶體管。因此完全可用二只N...

2)能向IGBT提供足夠的反向柵壓。在IGBT關斷期間，由于電路中其他部分的工作，會在柵極電路中產生一些高頻振蕩信號，這些信號輕則會使本該截止的IGBT處于微通狀態，增加管子的功耗。重則將使調壓電路處于短路直通狀態。因此，比較好給處于截止狀態的IGBT加一反向...

熔體額定電流不等于熔斷器額定電流，熔體額定電流按被保護設備的負荷電流選擇，熔斷器額定電流應大于熔體額定電流，與主電器配合確定。熔斷器主要由熔體、外殼和支座3部分組成，其中熔體是控制熔斷特性的關鍵元件。熔體的材料、尺寸和形狀決定了熔斷特性。熔體材料分為低熔點和高...

晶閘管特性單向晶聞管的結構與符號為了能夠直觀地認識晶閘管的工作特性，大家先看這塊示教板（圖3）。晶閘管VS與小燈泡EL串聯起來，通過開關S接在直流電源上。注意陽極A是接電源的正極，陰極K接電源的負極，控制極G通過按鈕開關SB接在1.5V直流電源的正極（這里使用...

IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時，漏極電流與柵極電壓之間的關系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似．也可分為飽和區1 、放大區2 和擊穿特性3 部分。在截止狀態下的IGBT ，...

fsw max. : 比較高開關頻率IoutAV :單路的平均電流QG : 門極電壓差時的 IGBT門極總電荷RG extern : IGBT 外部的門極電阻RG intern : IGBT 芯片內部的門極電阻但是實際上在很多情況下，數據手冊中這個門極電荷參數...

熔斷器（fuse）是指當電流超過規定值時，以本身產生的熱量使熔體熔斷，斷開電路的一種電器。熔斷器是根據電流超過規定值一段時間后，以其自身產生的熱量使熔體熔化，從而使電路斷開；運用這種原理制成的一種電流保護器。熔斷器廣泛應用于高低壓配電系統和控制系統以及用電設備...

當正向電壓大于死區電壓以后，PN結內電場被克服，二極管正向導通，電流隨電壓增大而迅速上升。在正常使用的電流范圍內，導通時二極管的端電壓幾乎維持不變，這個電壓稱為二極管的正向電壓。 [4]當二極管兩端的正向電壓超過一定數值 ，內電場很快被削弱，特性電流迅速增長，...

在性能上，可控硅不僅具有單向導電性，而且還具有比硅整流元件（俗稱"死硅")更為可貴的可控性。它只有導通和關斷兩種狀態。可控硅能以毫安級電流控制大功率的機電設備，如果超過此功率，因元件開關損耗***增加，允許通過的平均電流相降低，此時，標稱電流應降級使用。可控硅...

IGBT的觸發和關斷要求給其柵極和基極之間加上正向電壓和負向電壓，柵極電壓可由不同的驅動電路產生。當選擇這些驅動電路時，必須基于以下的參數來進行：器件關斷偏置的要求、柵極電荷的要求、耐固性要求和電源的情況。因為IGBT柵極- 發射極阻抗大，故可使用MOSFET...