b、主電路用螺絲擰緊,控制極g要用插件,盡可能不用焊接方式。c、裝卸時應采用接地工作臺,接地地面,接地腕帶等防靜電措施。 d、儀器測量時,將1000電阻與g極串聯。e、要在無電源時進行安裝。f,焊接g極時,電烙鐵要停電并接地,選用定溫電烙鐵**合適。當手工焊...
鑒于尾流與少子的重組有關,尾流的電流值應與芯片的溫度、IC 和VCE密切相關的空穴移動性有密切的關系。因此,根據所達到的溫度,降低這種作用在終端設備設計上的電流的不理想效應是可行的,尾流特性與VCE、IC和 TC有關。柵射極間施加反壓或不加信號時,MOSFET...
(三)環保LED燈內部不含有任何的汞等重金屬材料,但是熒光燈中含有,這就體現了LED燈環保的特點。現在的人都十分重視環保,所以,會有更多的人愿意選擇環保的LED燈。 [3](四)響應速度快LED燈還有一個突出的特點,就是反應的速度比較快。只要一接通電源,LED...
IGBT功率模塊采用IC驅動,各種驅動保護電路,高性能IGBT芯片,新型封裝技術,從復合功率模塊PIM發展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM。PIM向高壓大電流發展,其產品水平為1200—1800A/1800—3300V,IPM除用于...
?IGBT電源模塊?是一種由絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)構成的功率模塊。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半...
(3)部分斷路器分斷能力較小,如額定電流較小的斷路器裝設在靠近大容量變壓器位置時,會使分斷能力不夠。現有高分斷能力的產品可以滿足,但價較高。選擇型斷路器:1、主要優點和特點(1)具有非選擇性斷路器上述各項優點;(2)具有多種保護功能,有長延時、瞬時、短延時和接...
IGBT的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給PNP 晶體管提供基極電流,使IGBT 導通。反之,加反向門極電壓消除溝道,切斷基極電流,使IGBT 關斷。IGBT 的驅動方法和MOSFET 基本相同,只需控制輸入極N一溝道MOSFET ,所以具有高輸入阻抗...
在使用IGBT的場合,當柵極回路不正常或柵極回路損壞時(柵極處于開路狀態),若在主回路上加上電壓,則IGBT就會損壞,為防止此類故障,應在柵極與發射極之間串接一只10KΩ左右的電阻。在安裝或更換IGBT模塊時,應十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態和擰緊程...
電力熔斷器是熔斷器(fuse)的其中一種,是指當電流超過規定值時,以本身產生的熱量使熔體熔斷,斷開電路的一種電器。熔斷器是根據電流超過規定值一段時間后,以其自身產生的熱量使熔體熔化,從而使電路斷開;運用這種原理制成的一種電流保護器。熔斷器廣泛應用于高低壓配電系...
快速熔斷器是一種熔斷器的一種,快速熔斷器主要用于半導體整流元件或整流裝置的短路保護。由于半導體元件的過載能力很低。只能在極短時間內承受較大的過載電流,因此要求短路保護具有快速熔斷的能力。快速熔斷器的結構和有填料封閉式熔斷器基本相同,但熔體材料和形狀不同,它是以...
發光二極管,簡稱為LED,是一種常用的發光器件,通過電子與空穴復合釋放能量發光,它在照明領域應用***。 [1]發光二極管可高效地將電能轉化為光能,在現代社會具有***的用途,如照明、平板顯示、醫療器件等。 [2]這種電子元件早在1962年出現,早期只能發出低...
可控硅是可控硅整流元件的簡稱,是一種具有三個PN 結的四層結構的大功率半導體器件,一般由兩晶閘管反向連接而成.它的功用不僅是整流,還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路,實現將直流電變成交流電的逆變,將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等。可控硅和其它...
熔斷器(fuse)是指當電流超過規定值時,以本身產生的熱量使熔體熔斷,斷開電路的一種電器。熔斷器是根據電流超過規定值一段時間后,以其自身產生的熱量使熔體熔化,從而使電路斷開;運用這種原理制成的一種電流保護器。熔斷器廣泛應用于高低壓配電系統和控制系統以及用電設備...
1947年12月,美國貝爾實驗室的肖克利、巴丁和布拉頓組成的研究小組,研制出一種點接觸型的鍺晶體管。晶體管的問世,是20世紀的一項重大發明,是微電子**的先聲。晶體管出現后,人們就能用一個小巧的、消耗功率低的電子器件,來代替體積大、功率消耗大的電子管了。晶體管...
2023年5月,新加坡—麻省理工學院研究與技術聯盟的科學家開發了世界上**小的LED。 發光二極管簡稱為LED。由含鎵(Ga)、砷(As)、磷(P)、氮(N)等的化合物制成。當電子與空穴復合時能輻射出可見光,因而可以用來制成發光二極管。在電路及儀器中作為指示燈...
常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。 圖1所示為一個N 溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構, N+ 區稱為源區,附于其上的電極稱為源極。N+ 區稱為漏區。器件的控制區為柵區,附于其上的電極稱為柵極。...
測量方法鑒別可控硅三個極的方法很簡單,根據P-N結的原理,只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以。陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上(它們之間有兩個P-N結,而且方向相反,因此陽極和控制極正反向都...
為了抑制n+pn-寄生晶體管的工作IGBT采用盡量縮小p+n-p晶體管的電流放大系數α作為解決閉鎖的措施。具體地來說,p+n-p的電流放大系數α設計為0.5以下。 IGBT的閉鎖電流IL為額定電流(直流)的3倍以上。IGBT的驅動原理與電力MOSFET基本相同...
3、線路中各級熔斷器熔體額定電流要相應配合,保持前一級熔體額定電流必須大于下一級熔體額定電流;4、熔斷器的熔體要按要求使用相配合的熔體,不允許隨意加大熔體或用其他導體代替熔體。熔斷器巡視檢查:1、檢查熔斷器和熔體的額定值與被保護設備是否相配合;2、檢查熔斷器外...
紅外發光二極管1. 判別紅外發光二極管的正、負電極。紅外發光二極管有兩個引腳,通常長引腳為正極,短引腳為負極。因紅外發光二極管呈透明狀,所以管殼內的電極清晰可見,內部電極較寬較大的一個為負極,而較窄且小的一個為正極。 [8]2. 先測量紅個發光二極管的正、反向...
當無光照時,光電二極管的伏安特性與普通二極管一樣。光電二極管作為光控元件可用于各種物體檢測、光電控制、自動報警等方面。當制成大面積的光電二極管時,可當作一種能源而稱為光電池。此時它不需要外加電源,能夠直接把光能變成電能。 [4]發光二極管發光二極管發光二極管是...
敞開式熔斷器結構簡單,熔體完全暴露于空氣中,由瓷柱作支撐,沒有支座,適于低壓戶外使用。分斷電流時在大氣中產生較大的聲光。半封閉式熔斷器的熔體裝在瓷架上,插入兩端帶有金屬插座的瓷盒中,適于低壓戶內使用。分斷電流時,所產生的聲光被瓷盒擋住。管式熔斷器的熔體裝在熔斷...
(四)按電流容量分類:可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、**率可控硅和小功率可控硅三種。通常,大功率可控硅多采用金屬殼封裝,而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。(五)按關斷速度分類:可控硅按其關斷速度可分為普通可控硅和高頻(快速)可控硅。常用可控硅的封...
若U1與U2的電壓值相同,但與U的電壓值不同,則說明該雙向觸發二極管的導通性能對稱性良好。若U1與U2的電壓值相差較大時,則說明該雙向觸發二極管的導通性不對稱。若U1、U2電壓值均與市電U相同時,則說明該雙向觸發二極管內部已短路損壞。若U1、U2的電壓值均為0...
當正向電壓大于死區電壓以后,PN結內電場被克服,二極管正向導通,電流隨電壓增大而迅速上升。在正常使用的電流范圍內,導通時二極管的端電壓幾乎維持不變,這個電壓稱為二極管的正向電壓。 [4]當二極管兩端的正向電壓超過一定數值 ,內電場很快被削弱,特性電流迅速增長,...
在電子技術中常用的數碼管,發光二極管的原理與光電二極管相反。當發光二極管正向偏置通過電流時會發出光來,這是由于電子與空穴直接復合時放出能量的結果。它的光譜范圍比較窄,其波長由所使用的基本材料而定。 [4]用來表示二極管的性能好壞和適用范圍的技術指標,稱為二極管...
2. 額定電壓:熔斷器所在電路中的最高電壓不應超過熔斷器的額定電壓。3.額定電流:通過熔斷器的工作電流不應超過額定電流的75%。4. 短路截流能力:熔斷器所在的電路中可能出現的最大短路電流不應超過熔斷器的短路截流能力。5. 熔斷特性:熔斷器在出現需要切斷的過載...
將萬用表撥在R×10KΩ擋,用黑表筆接IGBT 的漏極(D),紅表筆接IGBT 的源極(S),此時萬用表的指針指在無窮處。用手指同時觸及一下柵極(G)和漏極(D),這時IGBT 被觸發導通,萬用表的指針擺向阻值 較小的方向,并能站住指示在某一位置。然后再用手指...
自復熔斷器的特點是分斷電流大,可以分斷200千安交流(有效值),甚至更大的電流。這種熔斷器具有非常***的限流作用,當瞬時電流達到接近165千安時即能被迅速限流。自復熔斷器的結構主要由電流端子(又叫電極)、云母玻璃(填充劑)、絕緣管、熔體、活塞、氬氣和外殼等組...
“雙向可控硅”:是在普通可控硅的基礎上發展而成的,它不僅能代替兩只反極性并聯的可控硅,而且*需一個觸發電路,是比較理想的交流開關器件。其英文名稱TRIAC即三端雙向交流開關之意。雙向可控硅為什么稱為“TRIAC”?三端:TRIode(取**個字母)交流半導體開...