測(cè)量雙向觸發(fā)二極管的轉(zhuǎn)折電壓有三種方法(如圖3所示):方法一1)將兆歐表的正極(E)和負(fù)極(L)分別接雙向觸發(fā)二極管的兩端,用兆歐表提供擊穿電壓,同時(shí)用萬(wàn)用表的直流電壓檔測(cè)量出電壓值,將雙向觸發(fā)二極管的兩極對(duì)調(diào)后再測(cè)量一次。比較一下兩次測(cè)量的電壓值的偏差(一般為3~6V)。此偏差值越小,說(shuō)明此二極管的性能越好。方法二2)先用萬(wàn)用表測(cè)出市電電壓U,然后將被測(cè)雙向觸發(fā)二極管串入萬(wàn)用表的交流電壓測(cè)量回路后,接入市電電壓,讀出電壓值U1,再將雙向觸發(fā)二極管的兩極對(duì)調(diào)連接后并讀出電壓值U2。晶體二極管為一個(gè)由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體形成的PN結(jié),在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層,并建有自建電場(chǎng)。虹口區(qū)進(jìn)口二極...
觸發(fā)二極管又稱雙向觸發(fā)二極管(DIAC)屬三層結(jié)構(gòu),具有對(duì)稱性的二端半導(dǎo)體器件。常用來(lái)觸發(fā)雙向可控硅 ,在電路中作過(guò)壓保護(hù)等用途。圖1是它的構(gòu)造示意圖。圖2、圖3分別是它的符號(hào)及等效電路,可等效于基極開(kāi)路、發(fā)射極與集電極對(duì)稱的NPN型晶體管。因此完全可用二只NPN晶體管如圖4連接來(lái)替代。觸發(fā)二極管雙向觸發(fā)二極管正、反向伏安特性幾乎完全對(duì)稱(見(jiàn)圖5;注意電壓是標(biāo)量,電流是矢量)。當(dāng)器件兩端所加電壓U低于正向轉(zhuǎn)折電壓V(B0)時(shí),器件呈高阻態(tài)。當(dāng)U>V(B0)時(shí),管子擊穿導(dǎo)通進(jìn)入負(fù)阻區(qū)。同樣當(dāng)U小于反向轉(zhuǎn)折電壓V(BR)時(shí),管子同樣能進(jìn)入負(fù)阻區(qū)。轉(zhuǎn)折電壓的對(duì)稱性用△V(B)表示。二極管具有單向?qū)щ?..
在電子技術(shù)中常用的數(shù)碼管,發(fā)光二極管的原理與光電二極管相反。當(dāng)發(fā)光二極管正向偏置通過(guò)電流時(shí)會(huì)發(fā)出光來(lái),這是由于電子與空穴直接復(fù)合時(shí)放出能量的結(jié)果。它的光譜范圍比較窄,其波長(zhǎng)由所使用的基本材料而定。 [4]用來(lái)表示二極管的性能好壞和適用范圍的技術(shù)指標(biāo),稱為二極管的參數(shù)。不同類型的二極管有不同的特性參數(shù)。 [4]伏安特性二極管具有單向?qū)щ娦?,二極管的伏安特性曲線如圖2所示 [5]。圖2 二極管的伏安特性曲線在二極管加有正向電壓,當(dāng)電壓值較小時(shí),電流極小;當(dāng)電壓超過(guò)0.6V時(shí),電流開(kāi)始按指數(shù)規(guī)律增大,通常稱此為二極管的開(kāi)啟電壓;當(dāng)電壓達(dá)到約0.7V時(shí),二極管處于完全導(dǎo)通狀態(tài),通常稱此電壓為二極管的導(dǎo)...
(3)煤礦中的應(yīng)用由于發(fā)光二極管較普通發(fā)光器件具有效率高、能耗小、壽命長(zhǎng)、光度強(qiáng)等特點(diǎn),因此礦工燈以及井下照明等設(shè)備使用了發(fā)光二極管。雖然還未完全普及,但在不久將得到普遍應(yīng)用,發(fā)光二極管將在煤礦應(yīng)用中取代普通發(fā)光器件。 [6](4)城市的裝飾燈在當(dāng)今繁華的商業(yè)時(shí)代,霓虹燈是城市繁華的重要標(biāo)志,但霓虹燈存在很多缺點(diǎn),比如壽命不夠長(zhǎng)等。因此,用發(fā)光二極管替代霓虹燈有著很多優(yōu)勢(shì),因?yàn)榘l(fā)光二極管與霓虹燈相比除了壽命長(zhǎng),還有節(jié)能、驅(qū)動(dòng)和控制簡(jiǎn)易、無(wú)需維護(hù)等特點(diǎn)。發(fā)光二極管替代霓虹燈將是照明設(shè)備發(fā)展的必然結(jié)果。 [6]摻入后,它與硅原子形成共價(jià)鍵,產(chǎn)生了自由電子。在N型半導(dǎo)體中,電子為多數(shù)載流子,空穴為少...
反向擊穿按機(jī)理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下,因勢(shì)壘區(qū)寬度很小,反向電壓較大時(shí),破壞了勢(shì)壘區(qū)內(nèi)共價(jià)鍵結(jié)構(gòu),使價(jià)電子脫離共價(jià)鍵束縛,產(chǎn)生電子-空穴對(duì),致使電流急劇增大,這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低,勢(shì)壘區(qū)寬度較寬,不容易產(chǎn)生齊納擊穿。 [5]另一種擊穿為雪崩擊穿。當(dāng)反向電壓增加到較大數(shù)值時(shí),外加電場(chǎng)使電子漂移速度加快,從而與共價(jià)鍵中的價(jià)電子相碰撞,把價(jià)電子撞出共價(jià)鍵,產(chǎn)生新的電子-空穴對(duì)。新產(chǎn)生的電子-空穴被電場(chǎng)加速后又撞出其它價(jià)電子,載流子雪崩式地增加,致使電流急劇增加,這種擊穿稱為雪崩擊穿。無(wú)論哪種擊穿,若對(duì)其電流不加限制,都可能造成PN結(jié)長(zhǎng)久性損壞。 [5用...
光敏二極管是將光信號(hào)變成電信號(hào)的半導(dǎo)體器件。它的**部分也是一個(gè)PN結(jié),和普通二極管相比,在結(jié)構(gòu)上不同的是,為了便于接受入射光照,PN結(jié)面積盡量做的大一些,電極面積盡量小些,而且PN結(jié)的結(jié)深很淺,一般小于1微米。光敏二極管是在反向電壓作用之下工作的。沒(méi)有光照時(shí),反向電流很?。ㄒ话阈∮?.1微安),稱為暗電流。當(dāng)有光照時(shí),攜帶能量的光子進(jìn)入PN結(jié)后,把能量傳給共價(jià)鍵上的束縛電子,使部分電子掙脫共價(jià)鍵,從而產(chǎn)生電子---空穴對(duì),稱為光生載流子。它們?cè)诜聪螂妷鹤饔孟聟⒓悠七\(yùn)動(dòng),使反向電流明顯變大,光的強(qiáng)度越大,反向電流也越大。這種特性稱為“光電導(dǎo)”。光敏二極管在一般照度的光線照射下,所產(chǎn)生的電流叫...
反向擊穿按機(jī)理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下,因勢(shì)壘區(qū)寬度很小,反向電壓較大時(shí),破壞了勢(shì)壘區(qū)內(nèi)共價(jià)鍵結(jié)構(gòu),使價(jià)電子脫離共價(jià)鍵束縛,產(chǎn)生電子-空穴對(duì),致使電流急劇增大,這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低,勢(shì)壘區(qū)寬度較寬,不容易產(chǎn)生齊納擊穿。 [5]另一種擊穿為雪崩擊穿。當(dāng)反向電壓增加到較大數(shù)值時(shí),外加電場(chǎng)使電子漂移速度加快,從而與共價(jià)鍵中的價(jià)電子相碰撞,把價(jià)電子撞出共價(jià)鍵,產(chǎn)生新的電子-空穴對(duì)。新產(chǎn)生的電子-空穴被電場(chǎng)加速后又撞出其它價(jià)電子,載流子雪崩式地增加,致使電流急劇增加,這種擊穿稱為雪崩擊穿。無(wú)論哪種擊穿,若對(duì)其電流不加限制,都可能造成PN結(jié)長(zhǎng)久性損壞。 [5高...
(3)以阻值較小的一次測(cè)量為準(zhǔn),黑表筆所接的一端為正極,紅表筆所接的一端則為負(fù)極。(d)觀察二極管外殼,帶有銀色帶一端為負(fù)極。 [7]2. 檢測(cè)比較高反向擊穿電壓。對(duì)于交流電來(lái)說(shuō),因?yàn)椴粩嘧兓虼俗罡叻聪蚬ぷ麟妷阂簿褪嵌O管承受的交流峰值電壓。 [7]雙向觸發(fā)二極管將萬(wàn)用表置于相應(yīng)的直流電壓擋,測(cè)試電壓由兆歐表提供。 [8]測(cè)試時(shí),搖動(dòng)兆歐表,萬(wàn)同樣的方法測(cè)出VBR值。***將VBO與VBR進(jìn)行比較,兩者的***值之差越小,說(shuō)明被測(cè)雙向觸發(fā)二極管的對(duì)稱性越好。 [8]光電二極管又稱光敏二極管。它的管殼上備有一個(gè)玻璃窗口,以便于接受光照。奉賢區(qū)如何二極管銷售價(jià)格(2)限幅電路在電子電路中,常用...
高傳導(dǎo)點(diǎn)接觸型二極管它與高反向電阻型相反。其反向特性盡管很差,但使正向電阻變得足夠小。對(duì)高傳導(dǎo)點(diǎn)接觸型二極管而言,有SD56、1N56A等等。對(duì)高傳導(dǎo)鍵型二極管而言,能夠得到更優(yōu)良的特性。這類二極管,在負(fù)荷電阻特別低的情況下,整流效率較高。 在開(kāi)關(guān)電源中,所需的整流二極管必須具有正向壓降低,快速恢復(fù)的特點(diǎn),還應(yīng)具有足夠的輸出功率,可以使用1.高效快速恢復(fù)二極管;2高效超快速二極管;3肖特基勢(shì)壘整流二極管.快速恢復(fù)和超快速恢復(fù)二極管具有適中的和較高的正向壓降,其范圍是從0.8---1.2v.這兩種整流二極管還具有較高的截止電壓參數(shù).因此,它們特別適合于在輸入小功率,電壓在12v左右的輔助電源電路...
(2)先用萬(wàn)用表判別普通二極管正、負(fù)電極的方法進(jìn)行檢查,即交換紅、黑表筆兩次測(cè)量管子兩引腳間的電阻值,正常時(shí),所得阻值應(yīng)為一大一小。以阻值較小的一次為準(zhǔn),紅表筆所接的管腳步為負(fù)極,黑表筆所接的管腳為正極。 [8]2. 檢測(cè)性能好壞。用萬(wàn)用表電阻擋測(cè)量紅外接收二極管正、反向電阻,根據(jù)正、反向電阻值的大小,即可初步判定紅外接收二極管的好壞。 [8]激光二極管按照檢測(cè)普通二極管正、反向電阻的方法,即可將激光二極管的管腳排列順序確定。但檢測(cè)時(shí)要注意,由于激光二極管的正向壓降比普通二極管要大,所以檢測(cè)正向電阻時(shí),萬(wàn)用表指針公略微向右偏轉(zhuǎn)而已。 [8]當(dāng)發(fā)光二極管正向偏置通過(guò)電流時(shí)會(huì)發(fā)出光來(lái),這是由于電子...
2023年5月,新加坡—麻省理工學(xué)院研究與技術(shù)聯(lián)盟的科學(xué)家開(kāi)發(fā)了世界上**小的LED。 發(fā)光二極管簡(jiǎn)稱為L(zhǎng)ED。由含鎵(Ga)、砷(As)、磷(P)、氮(N)等的化合物制成。當(dāng)電子與空穴復(fù)合時(shí)能輻射出可見(jiàn)光,因而可以用來(lái)制成發(fā)光二極管。在電路及儀器中作為指示燈,或者組成文字或數(shù)字顯示。砷化鎵二極管發(fā)紅光,磷化鎵二極管發(fā)綠光,碳化硅二極管發(fā)黃光,氮化鎵二極管發(fā)藍(lán)光。因化學(xué)性質(zhì)又分有機(jī)發(fā)光二極管OLED和無(wú)機(jī)發(fā)光二極管LED。LED**初用于儀器儀表的指示性照明,隨后擴(kuò)展到交通信號(hào)燈。再到景觀照明、車用照明和手機(jī)鍵盤及背光源。后來(lái)發(fā)展出微型發(fā)光二極管(micro-LED)的新技術(shù),其將原本發(fā)光二極...
(3)煤礦中的應(yīng)用由于發(fā)光二極管較普通發(fā)光器件具有效率高、能耗小、壽命長(zhǎng)、光度強(qiáng)等特點(diǎn),因此礦工燈以及井下照明等設(shè)備使用了發(fā)光二極管。雖然還未完全普及,但在不久將得到普遍應(yīng)用,發(fā)光二極管將在煤礦應(yīng)用中取代普通發(fā)光器件。 [6](4)城市的裝飾燈在當(dāng)今繁華的商業(yè)時(shí)代,霓虹燈是城市繁華的重要標(biāo)志,但霓虹燈存在很多缺點(diǎn),比如壽命不夠長(zhǎng)等。因此,用發(fā)光二極管替代霓虹燈有著很多優(yōu)勢(shì),因?yàn)榘l(fā)光二極管與霓虹燈相比除了壽命長(zhǎng),還有節(jié)能、驅(qū)動(dòng)和控制簡(jiǎn)易、無(wú)需維護(hù)等特點(diǎn)。發(fā)光二極管替代霓虹燈將是照明設(shè)備發(fā)展的必然結(jié)果。 [6]當(dāng)制成大面積的光電二極管時(shí),可當(dāng)作一種能源而稱為光電池。崇明區(qū)哪里二極管銷售價(jià)格(4)變...
高傳導(dǎo)點(diǎn)接觸型二極管它與高反向電阻型相反。其反向特性盡管很差,但使正向電阻變得足夠小。對(duì)高傳導(dǎo)點(diǎn)接觸型二極管而言,有SD56、1N56A等等。對(duì)高傳導(dǎo)鍵型二極管而言,能夠得到更優(yōu)良的特性。這類二極管,在負(fù)荷電阻特別低的情況下,整流效率較高。 在開(kāi)關(guān)電源中,所需的整流二極管必須具有正向壓降低,快速恢復(fù)的特點(diǎn),還應(yīng)具有足夠的輸出功率,可以使用1.高效快速恢復(fù)二極管;2高效超快速二極管;3肖特基勢(shì)壘整流二極管.快速恢復(fù)和超快速恢復(fù)二極管具有適中的和較高的正向壓降,其范圍是從0.8---1.2v.這兩種整流二極管還具有較高的截止電壓參數(shù).因此,它們特別適合于在輸入小功率,電壓在12v左右的輔助電源電路...
日本工業(yè)技術(shù)院電子技術(shù)綜合研究所采用掃描隧道顯微鏡(STM)成功地制作了線寬為18nm的平面型二極管。日本計(jì)劃在2010年開(kāi)發(fā)出64吉比特的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,而這種二極管的開(kāi)發(fā)為其提供了可能性。采用STM以逐個(gè)控制電子、分子,制作***元件的研究工作很活躍,但在事實(shí)上制成電子元件,這次還是世界首例,這一成果開(kāi)拓了實(shí)現(xiàn)量子化功能元件的道路,因而引起人們的注目。該元件的要點(diǎn)是STM作為捕獲原子的攝子,并作為使其產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)的電極。 [1]過(guò)在制造過(guò)程中的工藝措施和使用時(shí)限制反向電流的大小,能保證穩(wěn)壓管在反向擊穿狀態(tài)下不會(huì)因過(guò)熱而損壞。虹口區(qū)質(zhì)量二極管報(bào)價(jià)光敏二極管是將光信號(hào)變成電信號(hào)的半導(dǎo)體器件...
點(diǎn)接觸型二極管點(diǎn)接觸型二極管的PN結(jié)接觸面積小,不能通過(guò)較大的正向電流和承受較高的反向電壓,但它的高頻性能好,適宜在高頻檢波電路和開(kāi)關(guān)電路中使用 [5]。面接觸型二極管面接觸型二極管的PN結(jié)接觸面積大,可以通過(guò)較大的電流,也能承受較高的反向電壓,適宜在整流電路中使用 [5]。平面型二極管平面型二極管在脈沖數(shù)字電路中作開(kāi)關(guān)管使用時(shí)PN結(jié)面積小,用于大功率整流時(shí)PN結(jié)面積較大 [5]。穩(wěn)壓管穩(wěn)壓管穩(wěn)壓管是一種特殊的面接觸型半導(dǎo)體硅二極管,具有穩(wěn)定電壓的作用。穩(wěn)壓管與普通二極管的主要區(qū)別在于,穩(wěn)壓管是工作在PN結(jié)的反向擊穿狀態(tài)。通過(guò)在制造過(guò)程中的工藝措施和使用時(shí)限制反向電流的大小,能保證穩(wěn)壓管在反向...
發(fā)光二極管,簡(jiǎn)稱為L(zhǎng)ED,是一種常用的發(fā)光器件,通過(guò)電子與空穴復(fù)合釋放能量發(fā)光,它在照明領(lǐng)域應(yīng)用***。 [1]發(fā)光二極管可高效地將電能轉(zhuǎn)化為光能,在現(xiàn)代社會(huì)具有***的用途,如照明、平板顯示、醫(yī)療器件等。 [2]這種電子元件早在1962年出現(xiàn),早期只能發(fā)出低光度的紅光,之后發(fā)展出其他單色光的版本,能發(fā)出的光已遍及可見(jiàn)光、紅外線及紫外線,光度也提高到相當(dāng)?shù)墓舛?。而用途也由初時(shí)作為指示燈、顯示板等;隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步,發(fā)光二極管已被***地應(yīng)用于顯示器和照明。所以高工作頻率的值主要取決于PN結(jié)結(jié)電容的大小。若是超過(guò)此值。則單向?qū)щ娦詫⑹苡绊?。金山區(qū)銷售二極管銷售廠家反向擊穿按機(jī)理分為齊納擊穿和雪...
2023年5月,新加坡—麻省理工學(xué)院研究與技術(shù)聯(lián)盟的科學(xué)家開(kāi)發(fā)了世界上**小的LED(發(fā)光二極管)。2024年2月5日,中國(guó)科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所團(tuán)隊(duì)深挖機(jī)理、創(chuàng)新工藝,制備出一款高效穩(wěn)定的鈣鈦礦發(fā)光二極管,相關(guān)論文發(fā)于國(guó)際學(xué)術(shù)期刊《自然·光子學(xué)》。 [12]發(fā)光二極管與普通二極管一樣是由一個(gè)PN結(jié)組成,也具有單向?qū)щ娦?。?dāng)給發(fā)光二極管加上正向電壓后,從P區(qū)注入到N區(qū)的空穴和由N區(qū)注入到P區(qū)的電子,在PN結(jié)附近數(shù)微米內(nèi)分別與N區(qū)的電子和P區(qū)的空穴復(fù)合,產(chǎn)生自發(fā)輻射的熒光。不同的半導(dǎo)體材料中電子和空穴所處的能量狀態(tài)不同。當(dāng)電子和空穴復(fù)合時(shí)釋放出的能量多少不同,釋放出的能量越多,則發(fā)出的光...
平面型二極管是一種特制的硅二極管,它不僅能通過(guò)較大的電流,而且性能穩(wěn)定可靠,多用于開(kāi)關(guān)、脈沖及高頻電路中。在半導(dǎo)體單晶片(主要地是N型硅單晶片)上,擴(kuò)散P型雜質(zhì),利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用,在N型硅單晶片上*選擇性地?cái)U(kuò)散一部分而形成的PN結(jié)。因此,不需要為調(diào)整PN結(jié)面積的藥品腐蝕作用。由于半導(dǎo)體表面被制作得平整,故而得名。并且,PN結(jié)合的表面,因被氧化膜覆蓋,所以公認(rèn)為是穩(wěn)定性好和壽命長(zhǎng)的類型。**初,對(duì)于被使用的半導(dǎo)體材料是采用外延法形成的,故又把平面型稱為外延平面型。對(duì)平面型二極管而言,似乎使用于大電流整流用的型號(hào)很少,而作小電流開(kāi)關(guān)用的型號(hào)則很多。二極管的主要原理就是利用PN結(jié)的單向?qū)?..
瞬態(tài)電壓抑制二極管用萬(wàn)用表測(cè)量管子的好壞對(duì)于單要極型的TVS,按照測(cè)量普通二極管的方法,可測(cè)出其正、反向電阻,一般正向電阻為4kΩ左右,反向電阻為無(wú)窮大。 [8]對(duì)于雙向極型的瞬態(tài)電壓抑制二極管,任意調(diào)換紅、黑表筆測(cè)量其兩引腳間的電阻值均應(yīng)為無(wú)窮大,否則,說(shuō)明管子性能不良或已經(jīng)損壞。 [8]高頻變阻二極管識(shí)別正、負(fù)極高頻變阻二極管與普通二極管在外觀上的區(qū)別是其色標(biāo)顏色不同,普通二極管的色標(biāo)顏色一般為黑色,而高頻變阻二極管的色標(biāo)顏色則為淺色。其極性規(guī)律與普通二極管相似,即帶綠色環(huán)的一端為負(fù)極,不帶綠色環(huán)一端為正極。因?yàn)镻N結(jié)的單向?qū)щ娦?,二極管導(dǎo)通時(shí)電流方向是由陽(yáng)極通過(guò)管子內(nèi)部流向陰極。靜安區(qū)銷...
光敏二極管是將光信號(hào)變成電信號(hào)的半導(dǎo)體器件。它的**部分也是一個(gè)PN結(jié),和普通二極管相比,在結(jié)構(gòu)上不同的是,為了便于接受入射光照,PN結(jié)面積盡量做的大一些,電極面積盡量小些,而且PN結(jié)的結(jié)深很淺,一般小于1微米。光敏二極管是在反向電壓作用之下工作的。沒(méi)有光照時(shí),反向電流很?。ㄒ话阈∮?.1微安),稱為暗電流。當(dāng)有光照時(shí),攜帶能量的光子進(jìn)入PN結(jié)后,把能量傳給共價(jià)鍵上的束縛電子,使部分電子掙脫共價(jià)鍵,從而產(chǎn)生電子---空穴對(duì),稱為光生載流子。它們?cè)诜聪螂妷鹤饔孟聟⒓悠七\(yùn)動(dòng),使反向電流明顯變大,光的強(qiáng)度越大,反向電流也越大。這種特性稱為“光電導(dǎo)”。光敏二極管在一般照度的光線照射下,所產(chǎn)生的電流叫...
面接觸型二極管是一種特制的硅二極管,它不僅能通過(guò)較大的電流,而且性能穩(wěn)定可靠,多用于開(kāi)關(guān)、脈沖及低頻電路中。面接觸型二極管是二極管中的一種。二極管種類有很多,按照所用的半導(dǎo)體材料,可分為鍺二極管(Ge管)和硅二極管(Si管)。根據(jù)其不同用途,可分為檢波二極管、整流二極管、穩(wěn)壓二極管、開(kāi)關(guān)二極管等。按照管芯結(jié)構(gòu),又可分為點(diǎn)接觸型二極管、面接觸型二極管及平面型二極管。點(diǎn)接觸型二極管是用一根很細(xì)的金屬絲壓在光潔的半導(dǎo)體晶片表面,通以脈沖電流,使觸絲一端與晶片牢固地?zé)Y(jié)在一起,形成一個(gè)“PN結(jié)”。由于是點(diǎn)接觸,只允許通過(guò)較小的電流(不超過(guò)幾十毫安),適用于高頻小電流電路,如收音機(jī)的檢波等。二極管是早誕...
觸發(fā)二極管又稱雙向觸發(fā)二極管(DIAC)屬三層結(jié)構(gòu),具有對(duì)稱性的二端半導(dǎo)體器件。常用來(lái)觸發(fā)雙向可控硅 ,在電路中作過(guò)壓保護(hù)等用途。圖1是它的構(gòu)造示意圖。圖2、圖3分別是它的符號(hào)及等效電路,可等效于基極開(kāi)路、發(fā)射極與集電極對(duì)稱的NPN型晶體管。因此完全可用二只NPN晶體管如圖4連接來(lái)替代。觸發(fā)二極管雙向觸發(fā)二極管正、反向伏安特性幾乎完全對(duì)稱(見(jiàn)圖5;注意電壓是標(biāo)量,電流是矢量)。當(dāng)器件兩端所加電壓U低于正向轉(zhuǎn)折電壓V(B0)時(shí),器件呈高阻態(tài)。當(dāng)U>V(B0)時(shí),管子擊穿導(dǎo)通進(jìn)入負(fù)阻區(qū)。同樣當(dāng)U小于反向轉(zhuǎn)折電壓V(BR)時(shí),管子同樣能進(jìn)入負(fù)阻區(qū)。轉(zhuǎn)折電壓的對(duì)稱性用△V(B)表示。PN結(jié)的反向擊穿有...
變?nèi)荻O管將萬(wàn)用表紅、黑表筆怎樣對(duì)調(diào)測(cè)量,變?nèi)荻O管的兩引腳間的電阻值均應(yīng)為無(wú)窮大。如果在測(cè)量中,發(fā)現(xiàn)萬(wàn)用表指針向右有輕微擺動(dòng)或阻值為零,說(shuō)明被測(cè)變?nèi)荻O管有漏電故障或已經(jīng)擊穿壞。 [8]單色發(fā)光二極管在萬(wàn)用表外部附接一節(jié)能1.5V干電池,將萬(wàn)用表置R×10或R×100擋。這種接法就相當(dāng)于給予萬(wàn)用表串接上了1.5V的電壓,使檢測(cè)電壓增加至3V(發(fā)光二極管的開(kāi)啟電壓為2V)。檢測(cè)時(shí),用萬(wàn)用表兩表筆輪換接觸發(fā)光二極管的兩管腳。若管子性能良好,必定有一次能正常發(fā)光,此時(shí),黑表筆所接的為正極紅表筆所接的為負(fù)極。 [8光電二極管又稱光敏二極管。它的管殼上備有一個(gè)玻璃窗口,以便于接受光照。虹口區(qū)選擇二極管...
平面型二極管是一種特制的硅二極管,它不僅能通過(guò)較大的電流,而且性能穩(wěn)定可靠,多用于開(kāi)關(guān)、脈沖及高頻電路中。在半導(dǎo)體單晶片(主要地是N型硅單晶片)上,擴(kuò)散P型雜質(zhì),利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用,在N型硅單晶片上*選擇性地?cái)U(kuò)散一部分而形成的PN結(jié)。因此,不需要為調(diào)整PN結(jié)面積的藥品腐蝕作用。由于半導(dǎo)體表面被制作得平整,故而得名。并且,PN結(jié)合的表面,因被氧化膜覆蓋,所以公認(rèn)為是穩(wěn)定性好和壽命長(zhǎng)的類型。**初,對(duì)于被使用的半導(dǎo)體材料是采用外延法形成的,故又把平面型稱為外延平面型。對(duì)平面型二極管而言,似乎使用于大電流整流用的型號(hào)很少,而作小電流開(kāi)關(guān)用的型號(hào)則很多。平面型二極管在脈沖數(shù)字電路中作開(kāi)關(guān)管使...
光敏二極管是將光信號(hào)變成電信號(hào)的半導(dǎo)體器件。它的**部分也是一個(gè)PN結(jié),和普通二極管相比,在結(jié)構(gòu)上不同的是,為了便于接受入射光照,PN結(jié)面積盡量做的大一些,電極面積盡量小些,而且PN結(jié)的結(jié)深很淺,一般小于1微米。光敏二極管是在反向電壓作用之下工作的。沒(méi)有光照時(shí),反向電流很?。ㄒ话阈∮?.1微安),稱為暗電流。當(dāng)有光照時(shí),攜帶能量的光子進(jìn)入PN結(jié)后,把能量傳給共價(jià)鍵上的束縛電子,使部分電子掙脫共價(jià)鍵,從而產(chǎn)生電子---空穴對(duì),稱為光生載流子。它們?cè)诜聪螂妷鹤饔孟聟⒓悠七\(yùn)動(dòng),使反向電流明顯變大,光的強(qiáng)度越大,反向電流也越大。這種特性稱為“光電導(dǎo)”。光敏二極管在一般照度的光線照射下,所產(chǎn)生的電流叫...
反向擊穿按機(jī)理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下,因勢(shì)壘區(qū)寬度很小,反向電壓較大時(shí),破壞了勢(shì)壘區(qū)內(nèi)共價(jià)鍵結(jié)構(gòu),使價(jià)電子脫離共價(jià)鍵束縛,產(chǎn)生電子-空穴對(duì),致使電流急劇增大,這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低,勢(shì)壘區(qū)寬度較寬,不容易產(chǎn)生齊納擊穿。 [5]另一種擊穿為雪崩擊穿。當(dāng)反向電壓增加到較大數(shù)值時(shí),外加電場(chǎng)使電子漂移速度加快,從而與共價(jià)鍵中的價(jià)電子相碰撞,把價(jià)電子撞出共價(jià)鍵,產(chǎn)生新的電子-空穴對(duì)。新產(chǎn)生的電子-空穴被電場(chǎng)加速后又撞出其它價(jià)電子,載流子雪崩式地增加,致使電流急劇增加,這種擊穿稱為雪崩擊穿。無(wú)論哪種擊穿,若對(duì)其電流不加限制,都可能造成PN結(jié)長(zhǎng)久性損壞。 [5二...
光敏二極管,又叫光電二極管(英語(yǔ):photodiode )是一種能夠?qū)⒐飧鶕?jù)使用方式,轉(zhuǎn)換成電流或者電壓信號(hào)的光探測(cè)器。管芯常使用一個(gè)具有光敏特征的PN結(jié),對(duì)光的變化非常敏感,具有單向?qū)щ娦裕夜鈴?qiáng)不同的時(shí)候會(huì)改變電學(xué)特性,因此,可以利用光照強(qiáng)弱來(lái)改變電路中的電流。光敏二極管也叫光電二極管。光敏二極管與半導(dǎo)體二極管在結(jié)構(gòu)上是類似的,其管芯是一個(gè)具有光敏特征的PN結(jié),具有單向?qū)щ娦?,因此工作時(shí)需加上反向電壓。無(wú)光照時(shí),有很小的飽和反向漏電流,即暗電流,此時(shí)光敏二極管截止。當(dāng)受到光照時(shí),飽和反向漏電流**增加,形成光電流,它隨入射光強(qiáng)度的變化而變化。當(dāng)光線照射PN結(jié)時(shí),可以使PN結(jié)中產(chǎn)生電子一空...
反向電流反向電流是指二極管在常溫(25℃)和比較高反向電壓作用***過(guò)二極管的反向電流。反向電流越小,管子的單方向?qū)щ娦阅茉胶谩V档米⒁獾氖欠聪螂娏髋c溫度有著密切的關(guān)系,大約溫度每升高10℃,反向電流增大一倍。例如2AP1型鍺二極管,在25℃時(shí)反向電流若為250μA,溫度升高到35℃,反向電流將上升到500μA,依此類推,在75℃時(shí),它的反向電流已達(dá)8mA,不僅失去了單方向?qū)щ娞匦?,還會(huì)使管子過(guò)熱而損壞。又如,2CP10型硅二極管,25℃時(shí)反向電流*為5μA,溫度升高到75℃時(shí),反向電流也不過(guò)160μA。故硅二極管比鍺二極管在高溫下具有較好的穩(wěn)定性。 [4]因?yàn)镻N結(jié)的單向?qū)щ娦裕O管導(dǎo)通時(shí)...
2023年5月,新加坡—麻省理工學(xué)院研究與技術(shù)聯(lián)盟的科學(xué)家開(kāi)發(fā)了世界上**小的LED(發(fā)光二極管)。2024年2月5日,中國(guó)科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所團(tuán)隊(duì)深挖機(jī)理、創(chuàng)新工藝,制備出一款高效穩(wěn)定的鈣鈦礦發(fā)光二極管,相關(guān)論文發(fā)于國(guó)際學(xué)術(shù)期刊《自然·光子學(xué)》。 [12]發(fā)光二極管與普通二極管一樣是由一個(gè)PN結(jié)組成,也具有單向?qū)щ娦浴.?dāng)給發(fā)光二極管加上正向電壓后,從P區(qū)注入到N區(qū)的空穴和由N區(qū)注入到P區(qū)的電子,在PN結(jié)附近數(shù)微米內(nèi)分別與N區(qū)的電子和P區(qū)的空穴復(fù)合,產(chǎn)生自發(fā)輻射的熒光。不同的半導(dǎo)體材料中電子和空穴所處的能量狀態(tài)不同。當(dāng)電子和空穴復(fù)合時(shí)釋放出的能量多少不同,釋放出的能量越多,則發(fā)出的光...
△V(B)=V(B0)-V(BR)。一般△V(B)應(yīng)小于2伏。雙向觸發(fā)二極管的正向轉(zhuǎn)折電壓值一般有三個(gè)等級(jí):20-60V、100-150V、200-250V。由于轉(zhuǎn)折電壓都大于20V,可以用萬(wàn)用表電阻擋正反向測(cè)雙向二極管,表針均應(yīng)不動(dòng)(RX10k),但還不能完全確定它就是好的。檢測(cè)它的好壞,并能提供大于250V的直流電壓的電源,檢測(cè)時(shí)通過(guò)管子的電流不要大于是5mA。用晶體管耐壓測(cè)試器檢測(cè)十分方便。如沒(méi)有,可用兆歐表按圖6所示進(jìn)行測(cè)量(正、反各一次),電壓大的一次V(BR)。例如:測(cè)一只DB3型二極管,***次為27.5V,反向后再測(cè)為28V,則△V(B)=V(B0)-V(BR)=28V-27....