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[3](2)如果主電極T2仍加正向電壓，而把觸發(fā)信號(hào)改為反向信號(hào)(圖5b)，這時(shí)雙向可控硅觸發(fā)導(dǎo)通后，通態(tài)電流的方向仍然是從T2到T1。我們把這種觸發(fā)叫做“***象限的負(fù)觸發(fā)”或稱為I-觸發(fā)方式。(3)兩個(gè)主電極加上反向電壓U12(圖5c)，輸入正向觸發(fā)信號(hào)，...

若保持接通A極或T2極時(shí)斷開G極，指針立即退回∞位置，則說明可控硅觸發(fā)電流太大或損壞。可按圖2方法進(jìn)一步測(cè)量，對(duì)于單向可控硅，閉合開關(guān)K，燈應(yīng)發(fā)亮，斷開K燈仍不息滅，否則說明可控硅損壞。對(duì)于雙向可控硅，閉合開關(guān)K，燈應(yīng)發(fā)亮，斷開K，燈應(yīng)不息滅。然后將電池反接，...

可控硅(SCR是可控硅整流器的簡(jiǎn)稱。可控硅有單向、雙向、可關(guān)斷和光控幾種類型。它具有體積小、重量輕、效率高、壽命長(zhǎng)、控制方便等優(yōu)點(diǎn)，被***用于可控整流、調(diào)壓、逆變以及無觸點(diǎn)開關(guān)等各種自動(dòng)控制和大功率的電能轉(zhuǎn)換的場(chǎng)合。單向可控硅是一種可控整流電子元件，能在外部...

廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：直流拖動(dòng)、軋鋼、電解、電鍍機(jī)床、造紙、紡織、勵(lì)磁、低壓大電流工業(yè)電爐等領(lǐng)域。整流器運(yùn)行操作流程：1、接通交流電源，控制電源與主開關(guān)電源相序同步，將“2SA”按鈕置于啟動(dòng)位置， “給定” 電位器旋至**小位置。2、合上交流接觸器、運(yùn)行指示燈亮...

不同品牌的IGBT模塊可能有各自的特定要求，可在其參數(shù)手冊(cè)的推薦值附近調(diào)試。2、柵極電阻功率的確定柵極電阻的功率由IGBT柵極驅(qū)動(dòng)的功率決定，一般來說柵極電阻的總功率應(yīng)至少是柵極驅(qū)動(dòng)功率的2倍。IGBT柵極驅(qū)動(dòng)功率 P=FUQ，其中：F 為工作頻率；U 為驅(qū)動(dòng)...

常用的有阻容移相橋觸發(fā)電路、單結(jié)晶體管觸發(fā)電路、晶體三極管觸發(fā)電路、利用小晶閘管觸發(fā)大晶閘管的觸發(fā)電路，等等。可控硅的主要參數(shù)有：1、 額定通態(tài)平均電流IT 在一定條件下，陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。2、 正向阻斷峰值電壓VPF...

四種觸發(fā)方式可控硅四種觸發(fā)方式可控硅四種觸發(fā)方式由于在雙向可控硅的主電極上，無論加以正向電壓或是反向電壓，也不管觸發(fā)信號(hào)是正向還是反向，它都能被觸發(fā)導(dǎo)通，因此它有以下四種觸發(fā)方式：(1)當(dāng)主電極T2對(duì)Tl所加的電壓為正向電壓，控制極G對(duì)***電極Tl所加的也是...

對(duì)稱式多脈沖整流就是整流橋輸出的電壓是相等的，各整流橋之間是并列關(guān)系，它們相互之間互不干擾；不對(duì)稱式結(jié)構(gòu)是整流橋在工作時(shí)整流橋相互之間是主從關(guān)系，主整流橋傳輸大部分功率，輔整流橋傳輸部分功率，主整流橋和輔整流橋之間會(huì)相互影響。但對(duì)稱式結(jié)構(gòu)增加了平衡電抗器。 [...

確定IGBT 的門極電荷對(duì)于設(shè)計(jì)一個(gè)驅(qū)動(dòng)器來說，**重要的參數(shù)是門極電荷QG(門極電壓差時(shí)的IGBT 門極總電荷)，如果在IGBT 數(shù)據(jù)手冊(cè)中能夠找到這個(gè)參數(shù)，那么我們就可以運(yùn)用公式計(jì)算出：門極驅(qū)動(dòng)能量 E = QG · UGE = QG · [ VG(on)...

結(jié)構(gòu)特點(diǎn)（1）鐵芯：采用30Q130高導(dǎo)磁硅鋼片，同時(shí)采用選進(jìn)的3～6級(jí)step-lap core stacking步進(jìn)多級(jí)疊片方式，有較降低了空載損耗、空載電流和噪聲。（2）繞組：電磁線采用了高導(dǎo)電率的無氧銅導(dǎo)線，繞組采用園筒式、雙餅式和新型螺旋式等結(jié)構(gòu)的整...

KP型晶閘管（phase control thyristor），又叫普通晶閘管，是用于可控整流的設(shè)備。定義：應(yīng)用PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和三極（陰極，陽極，門極）實(shí)現(xiàn)可控整流功能。晶閘管T在工作過程中，它的陽極（A）和陰極（K）與電源和負(fù)載連接，組成晶閘管的主電...

測(cè)量靜態(tài)測(cè)量:把萬用表放在乘100檔,測(cè)量黑表筆接1端子、紅表筆接2端子,顯示電阻應(yīng)為無窮大; 表筆對(duì)調(diào),顯示電阻應(yīng)在400歐左右.用同樣的方法,測(cè)量黑表筆接3端子、紅表筆接1端子, 顯示電阻應(yīng)為無窮大;表筆對(duì)調(diào),顯示電阻應(yīng)在400歐左右.若符合上述情況表明此...

額定速態(tài)平均屯成系列共分為14個(gè)，如表1一5所示。正反向重復(fù)蜂值屯壓級(jí)別規(guī)定1000V以下的管子每100V為一級(jí)，1000V以上的管子每200V為一級(jí)。取電壓教除以100做為級(jí)別標(biāo)志，如表1-6所示。通態(tài)平均電壓組別依電壓大小分為9組，用宇毋表示，如表1一所示...

IGBT功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）構(gòu)成的功率模塊。由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離，具有出色的器件性能。廣泛應(yīng)用于伺服電機(jī)、變頻器、變頻家電等領(lǐng)域。IGBT功率模塊是電壓型控制，輸入阻抗大，驅(qū)動(dòng)...

多脈沖整流是指在一個(gè)三相電源系統(tǒng)中，輸出直流電壓在一個(gè)周期內(nèi)多于6個(gè)波頭，通常有12、18、24脈沖。多脈沖整流器通常由移相整流變壓器和整流橋兩部分組成。輸入三相電壓通過變壓器移相，產(chǎn)生幾組三相電壓輸出到整流橋。多組三相整流橋相互連接，使得整流橋電路產(chǎn)生的諧波...

4、各種保護(hù)功能相對(duì)**，保護(hù)定值、實(shí)現(xiàn)、閉鎖條件和保護(hù)投退可**整定和配制。5、保護(hù)功能實(shí)現(xiàn)不依賴于通訊網(wǎng)絡(luò)，滿足電力系統(tǒng)保護(hù)的可靠性。整流變壓器微機(jī)保護(hù)裝置具備進(jìn)線保護(hù)、出現(xiàn)保護(hù)，分段保護(hù)、配變保護(hù)、電動(dòng)機(jī)保護(hù)、電容器保護(hù)、主變后備保護(hù)、發(fā)電機(jī)后備保護(hù)、P...

IGBT是先進(jìn)的第三代功率模塊，工作頻率1-20khz,主要應(yīng)用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路，即dc/ac變換中。例電動(dòng)汽車、伺服控制器、UPS、開關(guān)電源、斬波電源、無軌電車等。問世迄今有十年多歷史，幾乎已替代一切其它功率器件，例SCR、GTO、GTR...

IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP 晶體管提供基極電流，使IGBT 導(dǎo)通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT 關(guān)斷。IGBT 的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ，所以具有高輸入阻抗...

右圖給出自耦式12脈沖變壓整流器，變壓器用于產(chǎn)生滿足整流器要求的兩組三相電壓，兩組三相電壓（Va''，Vb''，Vc''）與(Va'，Vb'，Vc')分別超前與滯后于輸入三相電壓15°，兩組三相電壓輸出分別連接到整流橋1和整流橋2，整流橋輸出通過平衡電抗器并聯(lián)...

橋式電路的特點(diǎn)是整流橋中有兩組：共陰極組和共陽極組，兩組共同串聯(lián)到負(fù)載上，因此適宜在高電壓、小電流情況下運(yùn)行。如果電源大小合適，可不用變壓器。在低電壓、大電流情況下運(yùn)行應(yīng)是兩組三相半波電路的并聯(lián)結(jié)線（圖2d）。并聯(lián)后，利用變壓器繞組的適當(dāng)連接，消除了直流磁化，...

圖1（a）所示為一個(gè)N 溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)， N+ 區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。N基 區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的P 型區(qū)（包括P+ 和P-區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝...

另一方面，非穿通(NPT)技術(shù)則是基于不對(duì)少子壽命進(jìn)行殺傷而有很好的輸運(yùn)效率，不過其載流子注入系數(shù)卻比較低。進(jìn)而言之，非穿通(NPT)技術(shù)又被軟穿通(LPT)技術(shù)所代替，它類似于某些人所謂的“軟穿通”(SPT)或“電場(chǎng)截止”(FS)型技術(shù)，這使得“成本—性能”...

結(jié)構(gòu)特點(diǎn)（1）鐵芯：采用30Q130高導(dǎo)磁硅鋼片，同時(shí)采用選進(jìn)的3～6級(jí)step-lap core stacking步進(jìn)多級(jí)疊片方式，有較降低了空載損耗、空載電流和噪聲。（2）繞組：電磁線采用了高導(dǎo)電率的無氧銅導(dǎo)線，繞組采用園筒式、雙餅式和新型螺旋式等結(jié)構(gòu)的整...

可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡(jiǎn)稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)...

BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大。如此循環(huán)放大，直到BG1、BG2完全導(dǎo)通。實(shí)際這一過程是“一觸即發(fā)”的過程，對(duì)可控硅來說，觸發(fā)信號(hào)加入控制極，可控硅立即導(dǎo)通。導(dǎo)通的時(shí)間主要決定于可控硅的性能。可控硅一經(jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后，...

冊(cè)中所給出的輸入電容Cies值近似地估算出門極電荷：如果IGBT數(shù)據(jù)表給出的Cies的條件為VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz，那么可以近似的認(rèn)為Cin=4.5Cies，門極電荷 QG ≈ ΔUGE · Cies · 4.5 = [...

(2) 認(rèn)真核對(duì)變壓器基礎(chǔ)橫、縱軸線尺寸及預(yù)埋管位置，并與圖紙所給尺寸核對(duì)，無誤后方可進(jìn)行下一步工作。2.2 變壓器開箱檢查(1) 變壓器到貨后開箱檢查時(shí)，應(yīng)會(huì)同業(yè)主、監(jiān)理及廠家的有關(guān)人員一同檢查。(2) 在卸車前測(cè)量和記錄沖擊記錄器的沖擊值，這個(gè)數(shù)值應(yīng)小于3...

變壓器生產(chǎn)的ZSS、ZS系列整流變壓器用作整流裝置的電源變壓器，其作用是向整流器提供交流電源，整流器再將交流電變換為直流電，從而進(jìn)行直流供電。主要應(yīng)用于冶金、化工、機(jī)車牽引與傳動(dòng)等行業(yè)。產(chǎn)品節(jié)能、低損耗、低噪聲、抗沖擊和抗短路能力強(qiáng)。過載能力強(qiáng)、結(jié)構(gòu)緊湊、體積...

。不同的控制策略可以容易的被實(shí)現(xiàn)，特別是那些涉及外部輔助信號(hào)以顯著提高系統(tǒng)性能的控制。參考電壓和電流斜率都能夠用簡(jiǎn)單的方式加以控制。由于TCR型SVC本質(zhì)上是模塊化的，因此通過追加更多的TCR模塊就能達(dá)到擴(kuò)容的目的，當(dāng)然前提是不能超過耦合變壓器的容量。TCR不...

圖1（a）所示為一個(gè)N 溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)， N+ 區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。N基 區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的P 型區(qū)（包括P+ 和P-區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝...