因此，在本征半導體的兩個不同區域摻入三價和五價雜質元素，便形成了P型區和N型區，根據N型半導體和P型半導體的特性，可知在它們的交界處就出現了電子和空穴的濃度差異，電子和空穴都要從濃度高的區域向濃度低的區域擴散，它們的擴散使原來交界處的電中性被破壞。 [6]PN結單向導電性在PN結外加正向電壓V，在這個外加電場的作用下，PN結的平衡狀態被打破，P區中的空穴和N區的電子都往PN結方向移動，空穴和PN結P區的負離子中和，電子和PN結N區的正離子中和，這樣就使PN結變窄。隨著外加電場的增加，擴散運動進一步增強，漂移運動減弱。當外加電壓超過門檻電壓，PN結相當于一個阻值很小的電阻，也就是PN結導通。 [6]負極，又叫陰極，給二極管兩極間加上正向電壓時，二極管導通， 加上反向電壓時，二極管截止。奉賢區哪里二極管品牌

（2）先用萬用表判別普通二極管正、負電極的方法進行檢查，即交換紅、黑表筆兩次測量管子兩引腳間的電阻值，正常時，所得阻值應為一大一小。以阻值較小的一次為準，紅表筆所接的管腳步為負極，黑表筆所接的管腳為正極。 [8]2. 檢測性能好壞。用萬用表電阻擋測量紅外接收二極管正、反向電阻，根據正、反向電阻值的大小，即可初步判定紅外接收二極管的好壞。 [8]激光二極管按照檢測普通二極管正、反向電阻的方法，即可將激光二極管的管腳排列順序確定。但檢測時要注意，由于激光二極管的正向壓降比普通二極管要大，所以檢測正向電阻時，萬用表指針公略微向右偏轉而已。 [8]普陀區進口二極管設計晶體二極管為一個由P型半導體和N型半導體形成的PN結，在其界面處兩側形成空間電荷層，并建有自建電場。

若U1與U2的電壓值相同，但與U的電壓值不同，則說明該雙向觸發二極管的導通性能對稱性良好。若U1與U2的電壓值相差較大時，則說明該雙向觸發二極管的導通性不對稱。若U1、U2電壓值均與市電U相同時，則說明該雙向觸發二極管內部已短路損壞。若U1、U2的電壓值均為0V，則說明該雙向觸發二極管內部已開路損壞。方法三3）用0~50V連續可調直流電源，將電源的正極串接1只20kΩ電阻器后與雙向觸發二極管的一端相接，將電源的負極串接萬用表電流檔（將其置于1mA檔）后與雙向觸發二極管的另一端相接。逐漸增加電源電壓，當電流表指針有較明顯擺動時（幾十微安以上），則說明此雙向觸發二極管已導通，此時電源的電壓值即是雙向觸發二極管的轉折電壓。

一般硅管的反向電流比鍺管小得多，小功率硅管的反向飽和電流在nA數量級，小功率鍺管在μA數量級。溫度升高時，半導體受熱激發，少數載流子數目增加，反向飽和電流也隨之增加。 [4]擊穿特性外加反向電壓超過某一數值時，反向電流會突然增大，這種現象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極管反向擊穿電壓。電擊穿時二極管失去單向導電性。如果二極管沒有因電擊穿而引起過熱，則單向導電性不一定會被長久破壞，在撤除外加電壓后，其性能仍可恢復，否則二極管就損壞了。因而使用時應避免二極管外加的反向電壓過高。 [5]P型半導體是在本征半導體（一種完全純凈的、結構完整的半導體晶體）摻入少量三價元素雜質，如硼等。

二極管的電路符號如圖1所示。二極管有兩個電極，由P區引出的電極是正極，又叫陽極；由N區引出的電極是負極，又叫陰極。三角箭頭方向表示正向電流的方向，二極管的文字符號用VD表示。 [4]二極管的主要原理就是利用PN結的單向導電性，在PN結上加上引線和封裝就成了一個二極管。晶體二極管為一個由P型半導體和N型半導體形成的PN結，在其界面處兩側形成空間電荷層，并建有自建電場。當不存在外加電壓時，由于PN結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態。發光二極管是一種將電能直接轉換成光能的半導體固體顯示器件，簡稱LED(Light Emitting Diode)。崇明區進口二極管廠家現貨

二極管就是由一個PN結加上相應的電極引線及管殼封裝而成的。奉賢區哪里二極管品牌

日本工業技術院電子技術綜合研究所采用掃描隧道顯微鏡(STM)成功地制作了線寬為18nm的平面型二極管。日本計劃在2010年開發出64吉比特的動態隨機存取存儲器，而這種二極管的開發為其提供了可能性。采用STM以逐個控制電子、分子，制作***元件的研究工作很活躍，但在事實上制成電子元件，這次還是世界首例，這一成果開拓了實現量子化功能元件的道路，因而引起人們的注目。該元件的要點是STM作為捕獲原子的攝子，并作為使其產生化學反應的電極。 [1]奉賢區哪里二極管品牌

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