額定速態平均屯成系列共分為14個,如表1一5所示。正反向重復蜂值屯壓級別規定1000V以下的管子每100V為一級,1000V以上的管子每200V為一級。取電壓教除以100做為級別標志,如表1-6所示。通態平均電壓組別依電壓大小分為9組,用宇毋表示,如表1一所示。例如.KP500-12D表示的是通態平均電流為500A,額定(正反向重復峰值)電壓為1200V,管壓降(通態平均電壓)為0.6---0.7V的普通型可控硅。綜上所述,小結如下:(1)可控硅一般做成螺栓形和平板形,有三個電極,用硅半導體材料制成的管芯由可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡稱SCR,是一種大功率電器元件,也稱晶閘管。普陀區如何晶閘管銷售廠家

將兩只單向可控硅SCRl、SCR2反向并聯.再將控制板與本觸發電路連接,就組成了一個簡單實用的大功率無級調速電路。這個電路的獨特之處在于可控硅控制極不需外加電源,只要將負載與本電路串聯后接通電源,兩個控制極與各自的陰極之間便有5V~8V脈動直流電壓產生,調節電位器R2即可改變兩只可控硅的導通角,增大R2的阻值到一定程度,便可使兩個主可控硅阻斷,因此R2還可起開關的作用。該電路的另一個特點是兩只主可控硅交替導通,一個的正向壓降就是另一個的反向壓降,因此不存在反向擊穿問題。但當外加電壓瞬時超過阻斷電壓時,SCR1、SCR2會誤導通,導通程度由電位器R2決定。SCR3與周圍元件構成普通移相觸發電路,其原理這里從略。楊浦區如何晶閘管供應商其通斷狀態由控制極G決定。

從晶閘管的內部分析工作過程:晶閘管是四層三端器件,它有J1、J2、J3三個PN結,可以把它中間的NP分成兩部分,構成一個PNP型三極管和一個NPN型三極管的復合管.當晶閘管承受正向陽極電壓時,為使晶閘管導通,必須使承受反向電壓的PN結J2失去阻擋作用。中每個晶體管的集電極電流同時就是另一個晶體管的基極電流。因此,兩個互相復合的晶體管電路,當有足夠的門極電流Ig流入時,就會形成強烈的正反饋,造成兩晶體管飽和導通,晶體管飽和導通。
PNPN四層組成(2)可控硅由關斷轉為導通必須同時具備兩個條件:(1〕受正向陽極電壓;(2)受正向門極電壓。(3)可控硅導通后,當陽極電流小干維持電流In時.可控硅關斷。(4)可控硅的特性主要是:1.陽極伏安特性曲線,2.門極伏安特性區。(5)應在額定參數范圍內使用可控硅。選擇可控硅主要確定兩個參致:電流⒈ 額定通態電流(IT)即比較大穩定工作電流,俗稱電流。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安。⒉反向重復峰值電壓(VRRM)或斷態重復峰值電壓(VDRM),俗稱耐壓。常用可控硅的VRRM/VDRM一般為幾百伏到一千伏。反向阻斷峰值電壓VPR 當可控硅加反向電壓,處于反向關斷狀態時,可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓。

畫出它的波形(c)及(d),只有在觸發脈沖Ug到來時,負載RL上才有電壓UL輸出。Ug到來得早,晶閘管導通的時間就早;Ug到來得晚,晶閘管導通的時間就晚。通過改變控制極上觸發脈沖Ug到來的時間,就可以調節負載上輸出電壓的平均值UL。在電工技術中,常把交流電的半個周期定為180°,稱為電角度。這樣,在U2的每個正半周,從零值開始到觸發脈沖到來瞬間所經歷的電角度稱為控制角α;在每個正半周內晶閘管導通的電角度叫導通角θ。很明顯,α和θ都是用來表示晶閘管在承受正向電壓的半個周期的導通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或導通角θ,改變負載上脈沖直流電壓的平均值UL,實現了可控整流??刂茦O觸發電流(IGT),俗稱觸發電流。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安。奉賢區選擇晶閘管報價
α和θ都是用來表示晶閘管在承受正向電壓的半個周期的導通或阻斷范圍的。普陀區如何晶閘管銷售廠家
[3](2)如果主電極T2仍加正向電壓,而把觸發信號改為反向信號(圖5b),這時雙向可控硅觸發導通后,通態電流的方向仍然是從T2到T1。我們把這種觸發叫做“***象限的負觸發”或稱為I-觸發方式。(3)兩個主電極加上反向電壓U12(圖5c),輸入正向觸發信號,雙向可控硅導通后,通態電流從T1流向T2。雙向可控硅按第三象限特性曲線工作,因此把這種觸發叫做Ⅲ+觸發方式。 (4)兩個主電極仍然加反向電壓U12,輸入的是反向觸發信號(圖5d),雙向可控硅導通后,通態電流仍從T1流向T2。這種觸發就叫做Ⅲ-觸發方式。 雙向可控硅雖然有以上四種觸發方式,但由于負信號觸發所需要的觸發電壓和電流都比較小。工作比較可靠,因此在實際使用時,負觸發方式應用較多。普陀區如何晶閘管銷售廠家
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