對于鍺二極管，開啟電壓為0.2V，導通電壓UD約為0.3V。在二極管加有反向電壓，當電壓值較小時，電流極小，其電流值為反向飽和電流IS。當反向電壓超過某個值時，電流開始急劇增大，稱之為反向擊穿，稱此電壓為二極管的反向擊穿電壓，用符號UBR表示。不同型號的二極管的擊穿電壓UBR值差別很大，從幾十伏到幾千伏 [4]。正向特性外加正向電壓時，在正向特性的起始部分，正向電壓很小，不足以克服PN結(jié)內(nèi)電場的阻擋作用，正向電流幾乎為零，這一段稱為死區(qū)。這個不能使二極管導通的正向電壓稱為死區(qū)電壓。 [4]當外加電壓超過門檻電壓，PN結(jié)相當于一個阻值很小的電阻，也就是PN結(jié)導通。長寧區(qū)選擇二極管銷售廠家

當外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流。 [5]當外加的反向電壓高到一定程度時，PN結(jié)空間電荷層中的電場強度達到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過程，產(chǎn)生大量電子空穴對，產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現(xiàn)象。PN結(jié)的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。 [5]PN結(jié)形成原理P型和N型半導體P型半導體是在本征半導體（一種完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導體晶體）摻入少量三價元素雜質(zhì)，如硼等。普陀區(qū)銷售二極管聯(lián)系人所以高工作頻率的值主要取決于PN結(jié)結(jié)電容的大小。若是超過此值。則單向?qū)щ娦詫⑹苡绊憽?/p>

發(fā)光二極管，簡稱為LED，是一種常用的發(fā)光器件，通過電子與空穴復合釋放能量發(fā)光，它在照明領域應用***。 [1]發(fā)光二極管可高效地將電能轉(zhuǎn)化為光能，在現(xiàn)代社會具有***的用途，如照明、平板顯示、醫(yī)療器件等。 [2]這種電子元件早在1962年出現(xiàn)，早期只能發(fā)出低光度的紅光，之后發(fā)展出其他單色光的版本，能發(fā)出的光已遍及可見光、紅外線及紫外線，光度也提高到相當?shù)墓舛取６猛疽灿沙鯐r作為指示燈、顯示板等；隨著技術的不斷進步，發(fā)光二極管已被***地應用于顯示器和照明。

反向電流反向電流是指二極管在常溫（25℃）和比較高反向電壓作用***過二極管的反向電流。反向電流越小，管子的單方向?qū)щ娦阅茉胶谩Ｖ档米⒁獾氖欠聪螂娏髋c溫度有著密切的關系，大約溫度每升高10℃，反向電流增大一倍。例如2AP1型鍺二極管，在25℃時反向電流若為250μA，溫度升高到35℃，反向電流將上升到500μA，依此類推，在75℃時，它的反向電流已達8mA，不僅失去了單方向?qū)щ娞匦裕€會使管子過熱而損壞。又如，2CP10型硅二極管，25℃時反向電流*為5μA，溫度升高到75℃時，反向電流也不過160μA。故硅二極管比鍺二極管在高溫下具有較好的穩(wěn)定性。 [4]N型半導體形成的原理和P型原理相似。在本征半導體中摻入五價原子，如磷等。

圖7是雙向觸發(fā)二極管與雙向可控硅等元件構(gòu)成的臺燈調(diào)光電路。通過調(diào)節(jié)電位器R2，可以改變雙向可控硅的導通角，從而改變通過燈泡的電流（平均值）實現(xiàn)連續(xù)調(diào)光。如果將燈泡換電熨斗、電熱褥還可實現(xiàn)連續(xù)調(diào)溫。該電路在雙向可控硅加散熱器的情況下，可控負載功率可達500W，各元件參數(shù)見圖所標注。正反向電阻值的測量用萬用表R×1k或R×10k檔，測量雙向觸發(fā)二極管正、反向電阻值。正常時其正、反向電阻值均應為無窮大。若測得正、反向電阻值均很小或為0，則說明該二極管已擊穿損壞。此時它不需要外加電源，能夠直接把光能變成電能。黃浦區(qū)哪里二極管銷售廠家

光電二極管作為光控元件可用于各種物體檢測、光電控制、自動報警等方面。長寧區(qū)選擇二極管銷售廠家

（3）以阻值較小的一次測量為準，黑表筆所接的一端為正極，紅表筆所接的一端則為負極。(d)觀察二極管外殼，帶有銀色帶一端為負極。 [7]2. 檢測比較高反向擊穿電壓。對于交流電來說，因為不斷變化，因此最高反向工作電壓也就是二極管承受的交流峰值電壓。 [7]雙向觸發(fā)二極管將萬用表置于相應的直流電壓擋，測試電壓由兆歐表提供。 [8]測試時，搖動兆歐表，萬同樣的方法測出VBR值。***將VBO與VBR進行比較，兩者的***值之差越小，說明被測雙向觸發(fā)二極管的對稱性越好。 [8]長寧區(qū)選擇二極管銷售廠家

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