對于配套設備選型，分析儀器方面，可配備反射高能電子衍射儀（RHEED），它能在薄膜生長過程中實時監測薄膜的表面結構和生長情況，為調整沉積參數提供依據。通過RHEED的監測數據，操作人員可以及時發現薄膜生長中的問題，如生長模式的變化、缺陷的產生等，并采取相應措施進行調整。還可搭配俄歇電子能譜儀（AES），用于分析薄膜的成分和元素分布，幫助研究人員深入了解薄膜的質量和性能。AES能夠精確測量薄膜表面的元素組成和化學狀態，對于研究新型材料的性能和開發具有重要意義。系統提供選配的基板刻蝕與預處理功能。多靶位外延系統儀器

多腔室MBE系統的高級功能體現在其模塊化與可擴展性上。除了標準的生長腔、進樣腔和分析腔，系統還可以根據用戶的研究需求，集成額外的功能模塊。例如，可以增配一個紫外光電子能譜（UPS）腔室，用于測量材料的功函數和價帶結構；或者集成一個低溫樣品架，使材料在生長和表征過程中始終保持在極低溫度，用于研究量子現象。這種模塊化設計使得該平臺不僅能滿足當前的研究需求，還能隨著科研方向的演進，通過升級來適應未來的新挑戰。全自動分子束外延系統基板全自動軟件控制平臺支持III/V及II/VI族化合物生長。

在啟動設備前，需要進行一系列嚴謹細致的檢查工作，以確保設備能夠正常運行并保證實驗的順利進行。首先是真空系統的檢查，要確認真空泵油位是否在正常刻度范圍內，這直接關系到真空泵的抽吸能力，若油位過低可能導致真空泵無法正常工作，影響真空環境的建立。查看真空管道是否連接緊密，有無松動或破損跡象，防止空氣泄漏影響真空度。檢查真空計是否正常顯示，它是監測真空度的關鍵儀表，若顯示異常將無法準確判斷真空環境狀態。

接著檢查氣源，確保氣體鋼瓶的閥門關閉嚴密，防止氣體泄漏造成安全隱患。查看氣體管道是否有彎折、堵塞情況，保證氣體輸送順暢。還要確認氣體流量計的準確性，以便精確控制氣體流量。電源檢查也不容忽視，檢查設備的電源線連接是否牢固，有無破損或短路現象。查看電源開關是否正常，各電氣部件的指示燈是否亮起，判斷設備的供電是否正常。

真空度抽不上去或抽速緩慢是常見的故障之一。排查應遵循由外到內、由簡到繁的原則。首先，檢查前級干式機械泵的出口壓力是否正常，以確認其工作能力。其次，檢查所有真空閥門（尤其是粗抽閥和高真空閥）的開啟狀態是否正確。然后，考慮進行氦質譜檢漏，重點檢查近期動過的法蘭密封面、電極引入端和觀察窗。如果無漏氣，則問題可能源于腔體內部放氣，比如更換靶材或樣品后腔體暴露大氣時間過長，內壁吸附了大量水汽，需要延長烘烤和抽氣時間。也有可能是分子泵性能下降，需要專業檢修。脈沖激光沉積技術可合成具有準穩定組成的新材料。

當出現故障時，可按照一定的方法和步驟進行排查。首先進行硬件連接檢查，查看真空管道、電源線、信號線等連接是否牢固，有無松動、破損或短路現象。例如，對于真空度異常故障，重點檢查真空管道各連接處的密封情況，可使用真空檢漏儀進行檢測，確定是否存在泄漏點。接著檢查軟件設置，確認溫度、壓力、沉積速率等參數的設置是否正確。比如溫度控制不穩定時，查看溫度控制系統的參數設置，包括目標溫度、溫度調節范圍、調節周期等，是否與實驗要求相符。對于復雜故障，可采用替換法進行排查。當懷疑某個部件出現故障時，如懷疑溫度傳感器故障，可更換一個新的傳感器，觀察故障是否消失，以確定故障部件。激光照射靶材時，開啟靶自動旋轉功能，提升成膜均勻性。旋轉基片臺外延系統工藝室

系統真空計實時監測各腔體壓力變化。多靶位外延系統儀器

與其他技術相比，傳統MBE技術在半導體材料、氧化物薄膜等材料生長領域應用已久，有著成熟的技術體系。然而，公司產品與之相比，在多個方面展現出獨特優勢。從生長機理來看，傳統MBE主要依靠熱蒸發使原子或分子束蒸發到襯底表面進行生長。而本產品不僅包含熱蒸發，還集成了脈沖激光沉積等多種技術，能通過激光能量精確控制原子的蒸發和濺射，使原子更有序地在襯底表面沉積，從而在生長一些復雜結構的薄膜時，能更好地控制原子排列，提高薄膜的結晶質量。但是設備復雜度方面，傳統 MBE 設備通常結構較為復雜，多個部件的協同工作對操作人員的技能要求較高，維護成本也相對較高。本產品在設計上進行了優化，采用模塊化設計，各部件之間的連接和操作更加簡便，降低了設備的整體復雜度，方便操作人員進行日常操作和維護。多靶位外延系統儀器

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