定期對系統的真空性能進行檢測和維護是保證其長期穩定運行的基礎。應定期檢查所有真空密封圈（如CF法蘭上的銅墊圈）的狀態，如有壓痕過深或損傷應及時更換。使用氦質譜檢漏儀對腔體、閥門和管路接口進行周期性檢漏，及時發現并處理微小的泄漏點。同時，監控分子泵的運行聲音和振動情況，定期按照制造商手冊進行保養，確保排氣系統始終處于較好工作狀態。

激光器的維護是PLD系統保養的另一重點。需要定期清潔激光器光束路徑上的光學元件，包括導入真空腔的石英窗口。任何微小的灰塵或污染物都會影響激光的透過率和能量，甚至可能因局部過熱導致光學元件損壞。清潔光學元件必須使用適合的清潔工具和試劑（如高純無水乙醇和無塵布），并遵循嚴格的清潔規程。同時，需記錄激光器的工作小時數，及時更換達到使用壽命的泵浦源或晶體等耗材。 開展 UHV 濺射相關實驗，此超高真空薄膜沉積系統首要選擇。多腔室分子束外延系統應用領域

清潔后的樣品要進行固定，確保其在設備內的傳輸和沉積過程中位置穩定。根據樣品的尺寸和形狀，選擇合適的樣品架和固定裝置，如夾具、膠帶等。對于圓形樣品，可使用專門的圓形樣品架，通過夾具將樣品固定在架上，保證樣品中心與樣品架中心重合；對于方形樣品，可采用膠帶將其固定在樣品架上，注意膠帶要粘貼牢固且不能遮擋樣品表面。

日常維護對于保持設備的性能和延長使用壽命至關重要。定期清潔設備是必不可少的維護工作，使用干凈的無塵布和適當的清潔劑，擦拭設備的外表面、真空腔室內部以及各部件的表面，去除灰塵、油污和沉積物。特別要注意清潔靶材支架、樣品臺等關鍵部位，防止雜質積累影響實驗結果。 多腔室分子束外延系統冷卻該 PLD 系統可用于半導體材料 ZnO、GaN 的外延生長，助力微電子領域研究。

與本產品配套使用的真空泵可選擇螺桿式真空泵，其具有高真空度的特點，極限真空度能滿足設備對基本壓力從5×10?1?至5×10?11mbar的要求，且采用干式運行方式，不會產生油污染，不會對設備內的高真空環境造成影響，確保設備的正常運行和薄膜的高質量生長。氣體源可選用高精度的質量流量控制器，它能精確控制氣體的流量，滿足設備在薄膜沉積過程中對不同氣體流量的需求。例如，在生長半導體材料時，需要精確控制各種氣體的比例，以保證薄膜的成分和性能符合要求。

設備對實驗室環境有著嚴格的要求，為滿足這些環境要求，需采取相應保障措施。安裝空調系統，精確控制實驗室的溫度和濕度。空調系統應具備溫度和濕度自動調節功能，能夠根據設定的參數自動調整制冷、制熱和除濕量，確保實驗室環境穩定。配備空氣凈化設備，如高效空氣過濾器（HEPA），過濾空氣中的微小顆粒，提高實驗室的潔凈度。空氣凈化設備應定期更換過濾器，保證其過濾效果。實驗室的地面和墻面應采用不易積塵、易于清潔的材料，如環氧地坪漆和潔凈板。地面要做好防靜電處理，可鋪設防靜電地板，減少靜電對設備的影響。脈沖激光沉積技術可合成具有準穩定組成的新材料。

公司設備在氧化物薄膜制備方面表現優異，在功能材料研究中應用較廣。對于高溫超導材料，如釔鋇銅氧（YBCO）薄膜的制備，設備能精確控制各元素的比例和沉積速率，在高真空環境下，避免雜質干擾，生長出高質量的超導薄膜。這種高質量的超導薄膜在超導電子器件、超導電纜等方面有著重要應用，可大幅降低電能傳輸損耗，提高電力系統的效率。在鐵電材料研究中，如制備鋯鈦酸鉛（PZT）薄膜，設備可精確控制薄膜的結晶取向和微觀結構，使其具有優異的鐵電性能。PZT薄膜在壓電傳感器、隨機存取存儲器等領域應用得心應手，其優異的鐵電性能可提高傳感器的靈敏度和存儲器的存儲密度。設備在氧化物薄膜制備方面的出色表現，為功能材料研究提供了有力支持，推動了相關領域的技術進步。系統提供選配的基板刻蝕與預處理功能。多腔室分子束外延系統歐美

系統故障診斷可通過軟件自檢功能快速定位。多腔室分子束外延系統應用領域

基板加熱系統是控制薄膜結晶質量的主要部件之一。我們的系統采用耐高溫氧化的鉑金電阻加熱片，可以直接對2英寸大小的基板進行輻射加熱。其精密溫控系統能夠實現從室溫到1200攝氏度的寬范圍精確控制，并且在整個基板表面，溫度均勻性誤差小于3%。在沉積過程中，基板還可以通過電機驅動進行連續旋轉，這一功能確保了從靶材飛來的等離子體羽輝能夠均勻地覆蓋在整個基板表面，從而獲得厚度高度均勻的薄膜，這對于后續的器件制備和性能表征至關重要。多腔室分子束外延系統應用領域

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