PLD技術與磁控濺射技術在沉積多元氧化物時的對比。磁控濺射通常使用多個射頻或直流電源同時濺射不同組分的靶材，通過控制各電源的功率來調節薄膜成分，控制相對復雜。而PLD技術的優勢在于其“復制”效應，即使靶材化學成分非常復雜，也能在一次激光脈沖下實現化學計量比的忠實轉移，極大地簡化了多組分材料（如含有五種以上元素的高熵氧化物）的研發流程。此外，PLD的瞬時高能量沉積過程更易于形成亞穩態的晶體結構。

綜上所述，我們公司提供的這一系列超高真空薄膜沉積系統，不只是儀器設備，更是開啟前沿材料科學探索大門的鑰匙。它們以其優異的性能性價比、高度的靈活性和可靠性，為廣大科研工作者提供了一個能夠將創新想法快速轉化為高質量薄膜樣品的強大平臺。從傳統的半導體到前沿的量子材料，從能源催化到柔性電子，這些系統都將繼續作為不可或缺的主要研發工具，推動著科學技術的不斷進步與發展。 電子束蒸發源與熱蒸發源可同時集成于系統中。金屬材料外延系統監控

對于第三代半導體主要材料氮化鎵（GaN）及其相關合金，系統同樣展現出強大的制備能力。雖然傳統的金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）是GaN基光電器件的主流生產技術，但PLD-MBE系統在探索新型GaN基材料、納米結構以及高溫、高頻電子器件應用方面具有獨特優勢。它可以在相對較低的溫度下生長GaN，減少了對熱敏感襯底的熱損傷風險，并且能夠靈活地摻入各種元素以調控其電學和光學性質，為實驗室級別的材料探索和原型器件制作提供了強大的工具。激光沉積外延系統基板波紋管若出現破損，會破壞真空環境，需定期檢查更換。

沉積過程中的參數設置直接影響薄膜的質量和性能，需要根據實驗目的和材料特性進行精確調整。溫度是一個關鍵參數，基板溫度可在很寬的范圍內進行控制，從液氮溫度（LN?）達到1400°C。在生長半導體材料時，不同的材料和生長階段對溫度有不同的要求。例如，生長砷化鎵（GaAs）薄膜時，適宜的基板溫度通常在500-600°C之間，在此溫度下，原子具有足夠的能量在基板表面擴散和排列，有利于形成高質量的晶體結構。若溫度過低，原子活性不足，可能導致薄膜結晶度差，出現缺陷；若溫度過高，可能會使薄膜的應力增大，甚至出現開裂等問題。

在半導體材料外延生長領域，公司的科研儀器設備發揮著舉足輕重的作用。對于III/V族元素，如砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等，設備能精確控制原子的沉積過程，生長出高質量的外延層，這對于制作高性能的半導體激光器、高速電子器件等至關重要。以半導體激光器為例，高質量的III/V族半導體外延層可降低激光器的閾值電流，提高光電轉換效率，使其在光通信、光存儲等領域有更出色的表現。在II/VI族元素生長方面，像碲鎘汞（HgCdTe）等材料，設備的高真空環境和精確控制能力，能有效減少雜質引入，精確調控材料的組分和結構，制備出高質量的薄膜。碲鎘汞薄膜在紅外探測器中應用較廣，高質量的碲鎘汞薄膜可大幅提升紅外探測器的靈敏度和分辨率，在偵察、安防監控、熱成像等領域有著不可替代的作用。通過設備對半導體材料生長的精確控制，極大地提升了半導體器件的性能，推動了半導體行業的發展。啟動設備前，需檢查超高真空成膜室本底真空度是否達 < 5e-8 pa。

雜氧化物材料是當今凝聚態物理和材料科學的前沿陣地，而這正是PLD技術大顯身手的舞臺。高溫超導銅氧化物、龐磁阻錳氧化物、多鐵性鉍鐵氧體以及鐵電鈦酸鍶鋇等材料，都具有復雜的晶格結構和氧化學計量比要求。PLD技術由于其非平衡的沉積特性，能夠將靶材的化學計量比高度忠實地轉移到生長的薄膜中，這是其他沉積技術難以比擬的。通過在沉積過程中精確引入氧氣氛圍，并配合高溫加熱，可以成功制備出具有特定氧空位濃度和晶體結構的功能性氧化物薄膜，用于探索其奇特的物理現象和開發下一代電子器件。與普通 MBE 系統比，該 PLD 系統性價比更高，適合研究級應用。激光沉積外延系統基板

樣品搬運室材質與成膜室一致，確保整體真空系統可靠性。金屬材料外延系統監控

面向自旋電子學應用，系統可用于生長高質量的自旋源和隧道結材料。自旋電子學旨在利用電子的自旋自由度進行信息存儲與處理。關鍵材料包括鐵磁金屬、稀磁半導體等。利用PLD-MBE系統，可以制備出原子級光滑的鐵磁薄膜作為自旋注入源，以及晶格匹配的氧化物隧道勢壘層。通過RHEED實時監控，可以確保各層材料的晶體質量和界面銳度，這對于獲得高的自旋注入效率和巨大的隧道磁電阻效應至關重要。并且在柔性電子與可穿戴設備領域，MAPLE系統顯示出獨特潛力。通過MAPLE技術，可以將高性能的有機半導體材料、導電聚合物或生物相容性高分子，以低溫、無損的方式沉積在柔性的塑料襯底上。這使得制造出高性能的柔性傳感器、有機薄膜晶體管甚至可植入的生物電子器件成為可能。MAPLE技術為有機功能材料在柔性電子中的應用提供了一個與傳統溶液法互補的、基于干法工藝的薄膜制備途徑。金屬材料外延系統監控

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