沉積過程中的參數設置直接影響薄膜的質量和性能，需要根據實驗目的和材料特性進行精確調整。溫度是一個關鍵參數，基板溫度可在很寬的范圍內進行控制，從液氮溫度（LN?）達到1400°C。在生長半導體材料時，不同的材料和生長階段對溫度有不同的要求。例如，生長砷化鎵（GaAs）薄膜時，適宜的基板溫度通常在500-600°C之間，在此溫度下，原子具有足夠的能量在基板表面擴散和排列，有利于形成高質量的晶體結構。若溫度過低，原子活性不足，可能導致薄膜結晶度差，出現缺陷；若溫度過高，可能會使薄膜的應力增大，甚至出現開裂等問題。設備配套19英寸機柜集成所有電子控制單元。小型分子束外延系統冷卻

利用監測數據進行反饋控制，能夠實現精確的薄膜生長。例如，當 RHEED 監測到薄膜生長出現異常時，可以及時調整分子束的流量、基板溫度等參數，以糾正生長過程；通過 QCM 監測到薄膜沉積速率過快或過慢時，可自動調節蒸發源的溫度或分子束的通量，使沉積速率保持在設定的范圍內。通過這種實時監測和反饋控制機制，能夠在薄膜生長過程中及時發現問題并進行調整，確保薄膜的生長質量和性能符合預期，為制備高質量的薄膜材料提供了有力保障。小型分子束外延系統冷卻該系統基板加熱用鉑金加熱片，比普通加熱元件耐氧氣腐蝕。

基板在沉積過程中的旋轉功能對于獲得成分和厚度高度均勻的薄膜至關重要。在PLD過程中，激光燒蝕產生的等離子體羽輝（Plume）具有一定的空間分布，通常呈中心密度高、邊緣密度低的余弦分布。如果基板靜止不動，沉積出的薄膜將會中間厚、邊緣薄，形成一道“山峰”。通過讓基板繞其中心軸勻速旋轉，薄膜的每一個點都會周期性地經過羽輝的中心和邊緣，對沉積速率進行時間上的平均，從而有效地補償了羽輝空間分布的不均勻性，從而獲得厚度變化率小于±2%的優異均勻性。

在啟動設備前，需要進行一系列嚴謹細致的檢查工作，以確保設備能夠正常運行并保證實驗的順利進行。首先是真空系統的檢查，要確認真空泵油位是否在正常刻度范圍內，這直接關系到真空泵的抽吸能力，若油位過低可能導致真空泵無法正常工作，影響真空環境的建立。查看真空管道是否連接緊密，有無松動或破損跡象，防止空氣泄漏影響真空度。檢查真空計是否正常顯示，它是監測真空度的關鍵儀表，若顯示異常將無法準確判斷真空環境狀態。

接著檢查氣源，確保氣體鋼瓶的閥門關閉嚴密，防止氣體泄漏造成安全隱患。查看氣體管道是否有彎折、堵塞情況，保證氣體輸送順暢。還要確認氣體流量計的準確性，以便精確控制氣體流量。電源檢查也不容忽視，檢查設備的電源線連接是否牢固，有無破損或短路現象。查看電源開關是否正常，各電氣部件的指示燈是否亮起，判斷設備的供電是否正常。

可編程溫控系統支持復雜升降溫工藝曲線。

沉積參數的優化是一個系統性的實驗過程。對于一種新材料，需要探索的參數通常包括：激光能量密度（它決定了等離子體羽輝的強度和特性）、沉積腔內的背景氣體種類（如氧氣、氮氣或氬氣）與壓力、基板溫度以及靶材與基板之間的距離。這些參數相互關聯，共同影響著薄膜的結晶性、取向、化學計量比和表面形貌。通常需要通過設計多組實驗，在沉積后對薄膜進行X射線衍射、原子力顯微鏡、掃描電鏡等表征，反推的工藝窗口。

在沉積過程結束后，樣品的降溫過程也需要進行控制，特別是對于在氧氣氛圍中生長的氧化物薄膜?？焖俳禍乜赡軐е卤∧ひ驘釕Χ_裂，或者因氧原子的非平衡析出而形成大量缺陷。因此，通常需要在沉積結束后的氧氣氛圍中，讓樣品在設定溫度下進行原位退火一段時間，然后以可控的緩慢速率（如每分鐘5-10攝氏度）降溫至室溫。這一“原位退火”步驟對于弛豫薄膜內應力、優化氧含量、提高薄膜的結晶質量和功能性至關重要。 樣品支架兼容性強，支持10毫米至4英寸基片。小型分子束外延系統冷卻

金屬 / 氧化物外延生長實驗，能依托此純進口 PLD 系統高效完成。小型分子束外延系統冷卻

在啟動系統進行薄膜沉積之前，必須執行一套嚴格的標準操作流程。首先，需要檢查所有真空泵、閥門、電源和冷卻水系統是否連接正確、狀態正常。然后，按照操作規程，依次啟動干式機械泵和分子泵，對樣品搬運室和主生長腔室進行抽真空。在此過程中，應密切監控真空計讀數，確保真空度平穩下降。當腔體真空度達到高真空范圍后，可以對腔體進行烘烤除氣，通過溫和加熱腔壁以加速解吸其表面吸附的水分子和其他氣體，這是獲得超高真空環境的關鍵步驟。小型分子束外延系統冷卻

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