雙向可控硅是一種功率半導體器件，也稱雙向晶閘管，在單片機控制系統中，可作為功率驅動器件，由于雙向可控硅沒有反向耐壓問題，控制電路簡單，因此特別適合做交流無觸點開關使用。雙向可控硅接通的一般都是一些功率較大的用電器，且連接在強電網絡中，其觸發電路的抗干擾問題很重要，通常都是通過光電耦合器將單片機控制系統中的觸發信號加載到可控硅的控制極。為減小驅動功率和可控硅觸發時產生的干擾，交流電路雙向可控硅的觸發常采用過零觸發電路。（過零觸發是指在電壓為零或零附近的瞬間接通，由于采用過零觸發，因此需要正弦交流電過零檢測電路）雙向可控硅分為三象限、四象限可控硅，四象限可控硅其導通條件如下圖：總的來說導通的條件就是：G極與T1之間存在一個足夠的電壓時并能夠提供足夠的導通電流就可以使可控硅導通，這個電壓可以是正、負，和T1、T2之間的電流方向也沒有關系。因為雙向可控硅可以雙向導通，所以沒有正極負極，但是有T1、T2之分雙向可控硅觸發電路的設計方案雙向可控硅是一種功率半導體器件，也稱雙向晶閘管，在單片機控制系統中，可作為功率驅動器件，由于雙向可控硅沒有反向耐壓問題，控制電路簡單，因此特別適合做交流無觸點開關使用。淄博正高電氣以快的速度提供好的產品質量和好的價格及完善的售后服務。四川恒壓可控硅調壓模塊價格

可控硅又稱晶閘管（晶體閘流管），是一種常用的功率型半導體器件，其主要的功能是功率控制。可控硅可分為單向可控硅、雙向可控硅、可關斷可控硅等。可控硅的特點是具有可控的單向導電性，以小電流控制大電流，以低電壓控制高電壓。可控硅可以用萬用表進行檢測。一、檢測單向可控硅單向可控硅是PNPN四層結構，形成3個PN結，具有3個外電極：陽極A、陰極K、控制極G。單向可控硅的引腳如下圖所示。檢測時，萬用表置于“Rx10Ω”檔，黑表筆（表內電池正極）接單向可控硅的控制極G，紅表筆（表內電池負極）接單向可控硅的陰極K，這時測量的是單向可控硅PN結的正向電阻，應有較小的阻值。如下圖所示。對調兩表筆后，測其反向電阻，應比正向電阻明顯大一些。萬用表黑表筆仍接單向可控硅控制極G，紅表筆改接單向可控硅的陽極A，阻值應為無窮大，如下圖所示。對調兩表筆后，再測，阻值仍應為無窮大。這是因為G、A間為兩個PN結反向串聯，正常情況下其正、反向阻值均為無窮大。二、檢測單向晶閘管導通特性萬用表置于Rx1Ω檔，黑表筆接單向可控硅陽極A，紅表筆接單向可控硅陰極K，表針應指示為無窮大。這是用金屬導體將控制極G與陽極A短接一下（短接后馬上斷開）。青島大功率可控硅調壓模塊淄博正高電氣公司將以優良的產品，完善的服務與尊敬的用戶攜手并進！

但無法使其關斷。要使導通的晶閘管恢復阻斷，可降低陽極電壓，或增大負載電阻，使流過晶閘管的陽極電流減小至維持電流（IH）（當門極斷開時，晶閘管從較大的通態電流降至剛好能保持晶閘管導通所需的小陽極電流叫維持電流），電流會突然降到零，之后再提高電壓或減小負載電阻，電流不會再增大，說明晶閘管已恢復阻斷。根據晶閘管陽極伏安特性，可以總結出：1．門極斷開時。晶閘管的正向漏電流比一般硅二極管反向漏電流大，且隨著管子正向陽極電壓升高而增大。當陽極電壓升到足夠大時，會使晶閘管導通，稱為正向轉折或“硬開通”。多次硬開通會損壞管子。2．晶閘管加上正向陽極電壓后，還必須加上觸發電壓，并產生足夠的觸發電流，才能使晶閘管從阻斷轉為導通。觸發電流不夠時，管子不會導通，但此時正向漏電流隨著增大而增大。晶閘管只能穩定工作在關斷和導通兩個狀態，沒有中間狀態，具有雙穩開關特性。是一種理想的無觸點功率開關元件。3．晶閘管一旦觸發導通，門極完全失去控制作用。要關斷晶閘管，必須使陽極電流《維持電流，對于電阻負載，只要使管子陽極電壓降為零即可。為了保證晶閘管可靠迅速關斷，通常在管子陽極電壓互降為零后，加上一定時間的反向電壓。

晶閘管的主要電參數有正向轉折電壓VBO、正向平均漏電流IFL、反向漏電流IRL、斷態重復峰值電壓VDRM、反向重復峰值電壓VRRM、正向平均壓降VF、通態平均電流IT、門極觸發電壓VG、門極觸發電流IG、門極反向電壓和維持電流IH等。(一)晶閘管正向轉折電壓VBO晶閘管的正向轉折電壓VBO是指在額定結溫為100℃且門極(G)開路的條件下，在其陽極(A)與陰極(K)之間加正弦半波正向電壓、使其由關斷狀態轉變為導通狀態時所對應的峰值電壓。(二)晶閘管斷態重復峰值電壓VDRM斷態重復峰值電壓VDRM，是指晶閘管在正向阻斷時，允許加在A、K(或T1、T2)極間大的峰值電壓。此電壓約為正向轉折電壓減去100V后的電壓值。(三)晶閘管通態平均電流IT通態平均電流IT，是指在規定環境溫度和標準散熱條件下，晶閘管正常工作時A、K(或T1、T2)極間所允許通過電流的平均值。(四)反向擊穿電壓VBR反向擊穿電壓是指在額定結溫下，晶閘管陽極與陰極之間施加正弦半波反向電壓，當其反向漏電電流急劇增加時反對應的峰值電壓。(五)晶閘管反向重復峰值電壓VRRM反向重復峰值電壓VRRM，是指晶閘管在門極G斷路時，允許加在A、K極間的大反向峰值電壓。此電壓約為反向擊穿電壓減去100V后的峰值電壓。。淄博正高電氣從國內外引進了一大批先進的設備，實現了工程設備的現代化。

固態繼電器與可控硅模塊作為常見的電子元器件，在咱們日常的電子產品中現已被使用，那么，這兩種元器件的差異在哪里呢？固態繼電器其實也是可控硅模塊為首要部件而制造的，所不同的是，固態繼電器動作電壓與操控電壓經過內部電路光藕進行別離的，能夠拆一個固態繼電器調查內部，對比下哦。可控硅模塊能夠是單向的，也能夠是雙向的，能夠過零觸發也能夠移相觸發，固態繼電器同樣是如此的。所以，他們的應用范圍、方式都都有相同類型產品，從這一點上（運用的方式、性質視點）沒有差異，由于固態繼電器也是可控硅做的（三極管的固態繼電器在外）。那么他們的差異究竟在那呢？總不會一個東西，兩個姓名吧？他們的差異就在于，可控硅便是可控硅，固態繼電器則是可控硅模塊+同步觸發驅動。這便是差異。我們正高專業加工可控硅模塊與固態繼電器已有16年的使用經歷，一直處于業界水平,贏得很多好評!假如您對我司的可控硅模塊與固態繼電器有愛好或疑問的話，歡迎來電咨詢！淄博正高電氣材料竭誠為您服務，期待與您的合作！淄博整流可控硅調壓模塊配件

淄博正高電氣以發展求壯大，就一定會贏得更好的明天。四川恒壓可控硅調壓模塊價格

為進一步推動我國可控硅模塊，晶閘管模塊，可控硅智能模塊，晶閘管智能模塊的產業發展，促進新型可控硅模塊，晶閘管模塊，可控硅智能模塊，晶閘管智能模塊的技術進步與應用水平提高，在 5G 商用爆發前夕，2019 中國 5G 可控硅模塊，晶閘管模塊，可控硅智能模塊，晶閘管智能模塊重點展示關鍵元器件及設備，旨在助力可控硅模塊，晶閘管模塊，可控硅智能模塊，晶閘管智能模塊行業把握發展機遇，實現跨越發展。電子元器件銷售是聯結上下游供求必不可少的紐帶，目前電子元器件企業商已承擔了終端應用中的大量技術服務需求，保證了原廠產品在終端的應用，提高了產業鏈的整體效率和價值。電子元器件行業規模不斷增長，國內市場表現優于國際市場，多個下游的行業的應用前景明朗，電子元器件行業具備廣闊的發展空間和增長潛力。回顧過去一年國內可控硅模塊，晶閘管模塊，可控硅智能模塊，晶閘管智能模塊產業運行情況，上半年市場低迷、部分外資企業產線轉移、中小企業經營困難，開工不足等都是顯而易見的消極影響。但隨著可控硅模塊，晶閘管模塊，可控硅智能模塊，晶閘管智能模塊產業受到相關部門高度重視、下游企業與元器件產業的黏性增強、下游 5G 在產業發展前景明朗等利好因素的驅使下，我國電子元器件行業下半年形勢逐漸好轉。電子元器件產業作為電子信息制造業的基礎產業，其自身市場的開放及格局形成與國內電子信息產業的高速發展有著密切關聯，目前在不斷增長的新電子產品市場需求、全球電子產品制造業向中國轉移、中美貿易戰加速國產品牌替代等內外多重作用下，國內電子元器件分銷行業會長期處在活躍期，與此同時，在市場已出現的境內外電子分銷商共存競爭格局中，也誕生了一批具有新商業模式的電子元器件分銷企業，并受到了資本市場青睞。四川恒壓可控硅調壓模塊價格

淄博正高電氣有限公司坐落于交通便利、經濟發達、文化底蘊深厚的淄博市臨淄區，是專業從事電力電子產品、及其相關產品的開發、生產、銷售及服務為一體的高科技企業。主要生產各類規格型號的晶閘管智能模塊、固態繼電器模塊、橋臂模塊、整流橋模塊、各類控制柜和配套模塊使用的觸發板、控制板等產品，并可根據用戶需求進行產品設計加工。近年來，本公司堅持以人為本，始終立足于科技的前沿，狠抓產品質量，產品銷往全國各地，深受用戶的好評。 淄博正高電氣有限公司伴隨著發展的腳步，在社會各界及客戶的大力支持下，生機勃發，春意盎然。面向未來，前程似錦，豪情滿懷。今后，我們將進一步優化產品品質，堅持科技創新，一切為用戶著想，以前列的服務為社會奉獻高、精、尖的優良產品，不斷改進、不斷提高是我們不變的追求，用戶滿意是我們追求的方向。正高電氣全體員工恭候各界朋友前來我公司參觀指導，恰談業務！