銅的導(dǎo)熱系數(shù)（約401W/(m?K)）高于鋁合金（約201W/(m?K)），相同體積下銅制散熱片的散熱能力更強(qiáng)；鰭片密度越高、高度越大，散熱面積越大，散熱效率越高。例如，表面積為1000cm2的散熱片，比表面積500cm2的散熱片，可使模塊溫升降低10-15℃。散熱風(fēng)扇：風(fēng)扇的風(fēng)量、風(fēng)速與風(fēng)壓決定強(qiáng)制對(duì)流散熱的效果。風(fēng)量越大、風(fēng)速越高，空氣流經(jīng)散熱片的速度越快，帶走的熱量越多，溫升越低。例如，風(fēng)量為50CFM（立方英尺/分鐘）的風(fēng)扇，比風(fēng)量20CFM的風(fēng)扇，可使模塊溫升降低8-12℃；具備溫控功能的風(fēng)扇，可根據(jù)模塊溫度自動(dòng)調(diào)節(jié)轉(zhuǎn)速，在保證散熱的同時(shí)降低能耗。淄博正高電氣以質(zhì)量求生存，以信譽(yù)求發(fā)展！濱州三相可控硅調(diào)壓模塊分類

總諧波畸變率（THD）通常可控制在3%以內(nèi)，是四種控制方式中諧波含量較低的，對(duì)電網(wǎng)的諧波污染極小。輸出波形：通斷控制的輸出電壓波形為長(zhǎng)時(shí)間的額定電壓正弦波與長(zhǎng)時(shí)間零電壓的交替組合，導(dǎo)通期間波形為完整正弦波，關(guān)斷期間為零電壓，無中間過渡狀態(tài)，波形呈現(xiàn)明顯的“塊狀”特征。諧波含量：導(dǎo)通期間無波形畸變，低次諧波含量低；但由于導(dǎo)通與關(guān)斷時(shí)間較長(zhǎng)，會(huì)產(chǎn)生與通斷周期相關(guān)的低頻諧波，這類諧波幅值較大，且難以通過濾波抑制。總諧波畸變率（THD）通常在15%-25%之間，諧波污染程度介于移相控制與過零控制之間，且低頻諧波對(duì)電網(wǎng)設(shè)備的影響更為明顯。吉林單相可控硅調(diào)壓模塊組件淄博正高電氣設(shè)備的引進(jìn)更加豐富了公司的設(shè)備品種，為用戶提供了更多的選擇空間。

可控硅調(diào)壓模塊在運(yùn)行過程中，因內(nèi)部器件的電能損耗會(huì)產(chǎn)生熱量，導(dǎo)致模塊溫度升高，形成溫升。溫升特性直接關(guān)系到模塊的運(yùn)行穩(wěn)定性、使用壽命與安全性能：若溫升過高，會(huì)導(dǎo)致晶閘管結(jié)溫超出極限值，引發(fā)器件性能退化甚至長(zhǎng)久損壞，同時(shí)可能影響模塊內(nèi)其他元件（如觸發(fā)電路、保護(hù)電路）的正常工作，導(dǎo)致整個(gè)模塊失效。可控硅調(diào)壓模塊的溫升源于內(nèi)部電能損耗的轉(zhuǎn)化，損耗越大，單位時(shí)間內(nèi)產(chǎn)生的熱量越多，溫升越明顯。內(nèi)部損耗主要包括晶閘管的導(dǎo)通損耗、開關(guān)損耗，以及模塊內(nèi)輔助電路（如觸發(fā)電路、均流電路）的損耗，其中晶閘管的損耗占比超過 90%，是影響溫升的重點(diǎn)因素。

尤其在負(fù)載對(duì)電壓紋波敏感、且需要寬范圍調(diào)壓的場(chǎng)景中，斬波控制的高頻特性與低諧波優(yōu)勢(shì)可充分滿足需求。通斷控制方式，通斷控制（又稱開關(guān)控制）是通過控制晶閘管的長(zhǎng)時(shí)間導(dǎo)通與關(guān)斷，實(shí)現(xiàn)輸出電壓“有”或“無”的簡(jiǎn)單控制方式，屬于粗放型調(diào)壓方式。其重點(diǎn)原理是：控制單元根據(jù)負(fù)載的通斷需求，在設(shè)定的時(shí)間區(qū)間內(nèi)觸發(fā)晶閘管導(dǎo)通（輸出額定電壓），在另一時(shí)間區(qū)間內(nèi)切斷觸發(fā)信號(hào)（晶閘管關(guān)斷，輸出電壓為0），通過調(diào)整導(dǎo)通時(shí)間與關(guān)斷時(shí)間的比例，間接控制負(fù)載的平均功率。以客戶至上為理念，為客戶提供咨詢服務(wù)。

負(fù)載率是模塊實(shí)際輸出功率與額定功率的比值，負(fù)載率越高，負(fù)載電流越大，晶閘管的導(dǎo)通損耗與開關(guān)損耗越大，溫升越高。例如，負(fù)載率從 50% 增至 100%，導(dǎo)通損耗翻倍，若散熱條件不變，模塊溫升可能升高 15-25℃；過載工況下（負(fù)載率 > 100%），損耗急劇增加，溫升會(huì)快速升高，若持續(xù)時(shí)間過長(zhǎng)，可能超出較高允許溫升。不同控制方式的損耗特性差異，導(dǎo)致溫升不同：移相控制：導(dǎo)通損耗與開關(guān)損耗均較高（尤其小導(dǎo)通角時(shí)），溫升相對(duì)較高；過零控制：開關(guān)損耗極小，主要為導(dǎo)通損耗，溫升低于移相控制；斬波控制：開關(guān)頻率高，開關(guān)損耗大，即使導(dǎo)通損耗與移相控制相當(dāng)，總損耗仍更高，溫升明顯高于其他控制方式。淄博正高電氣生產(chǎn)的產(chǎn)品受到用戶的一致稱贊。青島大功率可控硅調(diào)壓模塊功能

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開關(guān)損耗：軟開關(guān)技術(shù)的應(yīng)用大幅降低了開關(guān)損耗，即使開關(guān)頻率高，模塊的總損耗仍較低（與過零控制相當(dāng)），散熱設(shè)計(jì)相對(duì)簡(jiǎn)單。浪涌電流：通斷控制不嚴(yán)格限制晶閘管的導(dǎo)通時(shí)刻，若在電壓峰值附近導(dǎo)通，會(huì)產(chǎn)生極大的浪涌電流（可達(dá)額定電流的5-10倍），對(duì)晶閘管與負(fù)載的沖擊嚴(yán)重，易導(dǎo)致器件損壞。開關(guān)損耗：導(dǎo)通與關(guān)斷時(shí)刻電壓、電流交疊嚴(yán)重，開關(guān)損耗大（與移相控制相當(dāng)甚至更高），且導(dǎo)通時(shí)間長(zhǎng)，導(dǎo)通損耗也較大，模塊發(fā)熱嚴(yán)重，需強(qiáng)散熱支持。負(fù)載適應(yīng)性差異阻性負(fù)載：適配性好，可實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確的電壓與功率控制，波形畸變對(duì)阻性負(fù)載的影響較小（只影響加熱均勻性）。濱州三相可控硅調(diào)壓模塊分類