1907 年，英國科學家史密斯發現碳化硅晶體的電致發光現象，雖亮度 0.1mcd（燭光 / 平方米），卻埋下 LED 的種子。1962 年，通用電氣工程師霍洛尼亞克發明首只紅光 LED（GaAsP），光效 1lm/W，主要用于儀器面板指示燈；1972 年，惠普推出綠光 LED（GaP），光效提升至 10lm/W，使七段數碼管顯示成為可能，計算器與電子表從此擁有清晰讀數。1993 年，中村修二突破氮化鎵外延技術，藍光 LED（InGaN）光效達 20lm/W，與紅綠光組合實現全彩顯示 —— 這一突破使 LED 從 “指示燈” 升級為 “光源”，2014 年中村因此獲諾貝爾獎。 21 世紀，LED 進入爆發期：2006 年，白光 LED（熒光粉轉換）光效突破 100lm/W，替代白熾燈成為主流照明；2017 年，Micro-LED 技術將二極管尺寸縮小至 10μm，像素密度達 5000PPI在焊接二極管時，要注意控制溫度和時間，避免損壞元件。四川IC二極管誠信合作

變容二極管利用反向偏置時 PN 結電容隨電壓變化的特性，實現電調諧功能。當反向電壓增大時，PN 結的耗盡層寬度增加，導致結電容減小，兩者呈非線性關系。例如 BB181 變容二極管在 1-20V 反向電壓下，電容從 25 皮法降至 3 皮法，常用于 FM 收音機調諧電路，覆蓋 88-108MHz 頻段。在 5G 手機中，集成變容二極管的射頻前端可動態調整天線匹配網絡，支持 1-6GHz 頻段切換，提升匹配效率 30%，同時降低 20% 功耗。變容二極管在這方面的發展還需要進一步的探索，以產出更好的產品四川IC二極管誠信合作二極管是電子元件中基礎且關鍵的存在，有著獨特的單向導電特性。

1958 年，日本科學家江崎玲于奈因隧道二極管獲諾貝爾物理學獎，該器件利用量子隧穿效應，在 0.1V 低電壓下實現 100mA 電流，負電阻特性使其振蕩頻率達 100GHz，曾用于早期衛星通信的本振電路。1965 年，雪崩二極管（APD）的載流子倍增效應被用于激光雷達，在阿波羅 15 號的月面測距中，APD 將光信號轉換為納秒級電脈沖，測距精度達 15 厘米，助力人類實現月球表面精確測繪。1975 年，恒流二極管（如 TL431）的問世簡化 LED 驅動設計 —— 其內置電流鏡結構在 2-30V 電壓范圍內保持 10mA±1% 恒定電流，使手電筒電路元件從 5 個降至 2 個，成本降低 40%。 進入智能時代，特殊二極管持續拓展邊界：磁敏二極管（MSD）通過摻雜梯度設計，對磁場靈敏度達 10%/mT

雪崩二極管通過雪崩擊穿效應產生納秒級脈沖，適用于雷達和激光觸發等場景。當反向電壓超過擊穿閾值時，載流子在強電場中高速運動，碰撞電離產生連鎖反應，形成急劇增長的雪崩電流。這一過程可在 10 納秒內產生陡峭的脈沖前沿，例如 2N690 雪崩二極管在 50V 偏置下，能輸出寬度小于 5 納秒、幅度超過 20V 的脈沖，用于激光雷達的時間同步觸發。通過優化結區摻雜分布（如緩變結設計），可控制雪崩擊穿的均勻性，降低脈沖抖動（小于 1 納秒），提升測距精度。焊接穩壓二極管時，要注意極性，避免接反損壞元件。

肖特基二極管基于金屬與半導體接觸形成的勢壘效應，而非傳統 PN 結結構。當金屬（如鋁、金）與 N 型半導體（如硅）接觸時，會形成一層極薄的電子阻擋層。正向偏置時，電子通過量子隧道效應穿越勢壘，導通壓降 0.3-0.5V（低于硅 PN 結的 0.7V），例如 MBR20100 肖特基二極管在服務器電源中可提升 3% 效率。反向偏置時，勢壘阻止電子回流，漏電流極?。ü杌ǔＰ∮?10 微安）。其優勢在于無少子存儲效應，開關速度可達納秒級，適合高頻整流（如 1MHz 開關電源），但耐壓通常低于 200V，需通過邊緣電場優化技術提升反向耐壓能力。打印機的電路中，二極管協助完成信號傳輸與電源管理等工作 。余杭區二極管有哪些

選用二極管要根據電路需求，考慮參數、類型，確保匹配合適。四川IC二極管誠信合作

在光伏和儲能領域，二極管提升能量轉換效率。硅基肖特基二極管（如 MUR1560）在太陽能電池板中作為防反接元件，反向漏電流＜10μA，較早期鍺二極管效率提升 5%。碳化硅 PiN 二極管在光伏逆變器中承受 1500V 高壓，正向損耗降低 60%，使 1MW 電站年發電量增加 3 萬度。儲能系統中，氮化鎵二極管以 μs 級開關速度連接超級電容，響應電網調頻需求，充放電切換時間從 100ms 縮短至 10ms。二極管通過減少能量損耗和提升開關速度，讓太陽能和風能的利用更加高效。四川IC二極管誠信合作