1958 年，德州儀器工程師基爾比完成歷史性實驗：將鍺二極管、電阻和電容集成在 0.8cm2 鍺片上，制成首塊集成電路（IC），雖 能實現簡單振蕩功能，卻證明 “元件微縮化” 的可行性。1963 年，仙童半導體推出雙極型集成電路，創新性地將肖特基二極管與晶體管集成 —— 肖特基二極管通過鉗位晶體管的飽和電壓（從 0.7V 降至 0.3V），使邏輯門延遲從 100ns 縮短至 10ns，為 IBM 360 計算機的高速運算奠定基礎。1971 年，Intel 4004 微處理器采用 PMOS 工藝，集成 2250 個二極管級元件（含 ESD 保護二極管），時鐘頻率達 108kHz，標志著個人計算機時代的開端。 進入 21 世紀，先進制程重塑二極管形態：在 7nm 工藝中，ESD 保護二極管的寄生電容 0.1pF，響應速度達皮秒級，可承受 15kV 靜電沖擊無線通信基站的射頻電路中，二極管保障信號的高效傳輸與處理。徐匯區工業二極管聯系方式

檢波二極管利用 PN 結的非線性伏安特性，從高頻載波中提取低頻信號。當調幅波作用于二極管時，正向導通期間電流隨電壓非線性變化，反向截止時電流為零，經濾波后可分離出調制信號。鍺材料二極管（如 2AP9）因導通電壓低（0.2V）、結電容小，適合解調中波廣播信號（535-1605kHz），失真度低于 5%。混頻則是利用兩個高頻信號在非線性結區產生新頻率分量，例如砷化鎵肖特基二極管在 5G 基站的 28GHz 頻段可實現低損耗混頻，幫助處理毫米波信號，變頻損耗低于 8 分貝。徐匯區工業二極管聯系方式二極管具有單向導電性，電流只能從正極流向負極，反向時幾乎不導通。

新能源汽車產業正處于高速增長階段，二極管在其中扮演著關鍵角色。在電動汽車的電池管理系統中，精密的穩壓二極管用于監測和穩定電池電壓，防止過充或過放，保障電池的安全與壽命；快恢復二極管在電機驅動系統中，實現快速的電流切換，提高電能轉換效率，進而提升車輛的續航里程。碳化硅（SiC）二極管因其高耐壓、耐高溫特性，被廣泛應用于車載充電器和功率變換器，有助于提升充電速度，降低系統能耗與體積。隨著新能源汽車市場滲透率不斷提高，二極管在該領域的技術創新與市場規模將同步擴張。

1904 年，英國物理學家弗萊明為解決馬可尼無線電報的信號穩定性問題，發明首只電子二極管 “熱離子閥”。這一玻璃真空管內，加熱的陰極發射電子，經陽極電場篩選后形成單向電流，雖效率低下（ 5%）且體積龐大（長 15 厘米），卻標志著人類掌握電流單向控制的重要技術。1920 年代，美國科學家皮卡德發現方鉛礦晶體的整流特性，催生 “貓須探測器”—— 通過細金屬絲與礦石接觸形成 PN 結，雖需手動調整觸絲位置（精度達 0.1mm），卻讓收音機成本從數百美元降至十美元，成為大眾消費品。發光二極管電光轉換高效，點亮照明與顯示領域。

物聯網的蓬勃發展，促使萬物互聯成為現實，這一趨勢極大地拓展了二極管的應用邊界。在海量的物聯網設備中，從智能家居的傳感器、智能門鎖，到工業物聯網的各類監測節點，都離不開二極管。低功耗肖特基二極管用于為設備提供穩定的電源整流，延長電池使用壽命；穩壓二極管確保設備在不同電壓波動環境下，能穩定工作，保障數據采集與傳輸的可靠性。此外，隨著物聯網設備向小型化、集成化發展，對微型二極管的需求激增，這將推動二極管制造工藝向更精細、更高效方向發展，以適應物聯網時代的多樣化需求。雪崩二極管利用雪崩擊穿效應，產生尖銳的脈沖信號，在雷達等設備中肩負重要使命。嘉善MOSFET場效應管二極管哪家好

長期使用后，穩壓二極管的性能可能會逐漸下降。徐匯區工業二極管聯系方式

1960 年代，砷化鎵（GaAs）PIN 二極管憑借 0.5pF 寄生電容和 10GHz 截止頻率，成為雷達接收機的關鍵元件 —— 在 AN/APG-66 機載雷達中，GaAs PIN 二極管組成的開關矩陣可在微秒級切換信號路徑，實現對 200 個目標的同時跟蹤。1980 年代，肖特基勢壘二極管（SBD）將混頻損耗降至 6dB 以下，在衛星電視調諧器（C 波段 4GHz）中實現低噪聲信號轉換，使家庭衛星接收成為可能。1999 年，氮化鎵（GaN）異質結二極管問世，其 1000V 擊穿電壓和 0.2pF 寄生電容，在基站功放模塊中實現 100W 射頻功率輸出，效率達 75%（硅基 50%）。 5G 時代，二極管面臨更高挑戰：28GHz 毫米波場景中，傳統硅二極管的結電容（＞1pF）導致信號衰減超 30dB，而 GaN 開關二極管通過優化勢壘層厚度（5nm），將寄生電容降至 0.15pF，配合相控陣天線實現 ±60° 波束掃描，信號覆蓋范圍擴大 5 倍。徐匯區工業二極管聯系方式