反向擊穿電壓是衡量 NPN 型小功率晶體三極管耐壓能力的重要參數(shù)，主要包括集電極 - 基極反向擊穿電壓（V (BR) CBO）、集電極 - 發(fā)射極反向擊穿電壓（V (BR) CEO）和發(fā)射極 - 基極反向擊穿電壓（V (BR) EBO）。V (BR) CBO 是指發(fā)射極開路時(shí)，集電極與基極之間所能承受的 反向電壓，若超過此電壓，集電結(jié)會發(fā)生反向擊穿，導(dǎo)致反向電流急劇增大；V (BR) CEO 是指基極開路時(shí)，集電極與發(fā)射極之間的反向電壓，其數(shù)值通常小于 V (BR) CBO，因?yàn)榛鶚O開路時(shí)，集電結(jié)的反向擊穿會通過基區(qū)影響發(fā)射結(jié)，使得 V (BR) CEO 降低；V (BR) EBO 是指集電極開路時(shí)，發(fā)射極與基極之間的反向電壓，由于發(fā)射結(jié)通常工作在正向偏置狀態(tài)，對反向電壓的耐受能力較弱，所以 V (BR) EBO 的數(shù)值較小，一般在幾伏到十幾伏之間。在電路設(shè)計(jì)中，必須確保三極管實(shí)際工作時(shí)的電壓不超過對應(yīng)的反向擊穿電壓，否則會導(dǎo)致三極管損壞。直接耦合無電容，適合低頻和直流，易集成但有零點(diǎn)漂移。醫(yī)療設(shè)備小信號NPN型晶體三極管信噪比80dB

RC 橋式振蕩電路起振需滿足 AF≥1（A 為放大倍數(shù)，F(xiàn) 為反饋系數(shù)），F(xiàn)=1/3（RC 串并聯(lián)網(wǎng)絡(luò)），因此 A≥3。調(diào)試時(shí)，若電路無振蕩輸出，首先檢查放大電路是否工作在放大區(qū)，用萬用表測 VCE，若 VCE≈VCC（截止）或 VCE≈0.3V（飽和），需調(diào)整偏置電阻使 VCE≈VCC/2；其次增大放大倍數(shù)，如更換 β 更大的三極管或增加放大級數(shù)；檢查 RC 網(wǎng)絡(luò)連接是否正確，確保正反饋相位無誤。例如用 9014 管組成 RC 振蕩電路，若 VCE=11V（VCC=12V），說明三極管截止，需減小 RB1（從 10kΩ 調(diào)至 8kΩ），使 VCE 降至 6V，滿足起振條件。航空航天特殊封裝NPN型晶體三極管廠家直銷溫度升高 1℃，VBE 下降 2-2.5mV，二極管正向壓降也同幅下降。

NPN 型小功率晶體三極管在開關(guān)電路中主要工作在截止區(qū)和飽和區(qū)，通過控制基極電流來實(shí)現(xiàn)電路的導(dǎo)通與關(guān)斷。當(dāng)基極沒有輸入信號或輸入信號較小時(shí)，基極電流 IB=0（或很小），此時(shí)三極管工作在截止區(qū)，集電極電流 IC≈0，集電極與發(fā)射極之間的電壓近似等于電源電壓，三極管相當(dāng)于一個(gè)斷開的開關(guān)，電路處于截止?fàn)顟B(tài)；當(dāng)基極輸入足夠大的信號時(shí)，基極電流 IB 增大，使得集電極電流 IC 達(dá)到飽和值 ICS，此時(shí)三極管工作在飽和區(qū)，集電極與發(fā)射極之間的飽和壓降 VCE (sat) 很小（通常為 0.1-0.3V），三極管相當(dāng)于一個(gè)閉合的開關(guān)，電路處于導(dǎo)通狀態(tài)。三極管開關(guān)電路具有開關(guān)速度快、無機(jī)械磨損、壽命長等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于數(shù)字電路、脈沖電路中，例如在邏輯門電路（如非門、與非門）中，利用 NPN 型小功率三極管的開關(guān)特性實(shí)現(xiàn)邏輯電平的轉(zhuǎn)換；在脈沖寬度調(diào)制（PWM）電路中，通過控制三極管的導(dǎo)通與關(guān)斷時(shí)間，實(shí)現(xiàn)對輸出電壓或電流的調(diào)節(jié)。

脈沖電路需輸出高低電平交替的脈沖信號，NPN 型小功率三極管通過快速切換截止與飽和狀態(tài)實(shí)現(xiàn)該功能。例如在矩形波發(fā)生器中，三極管與 RC 充放電電路配合：RC 充電時(shí)，VB 上升，IB 增大，三極管飽和，輸出低電平；RC 放電時(shí)，VB 下降，IB 減小，三極管截止，輸出高電平，通過調(diào)整 RC 參數(shù)控制脈沖周期（T≈1.4RC）。此外，在脈沖寬度調(diào)制（PWM）電路中，三極管根據(jù)輸入的 PWM 信號導(dǎo)通 / 截止，控制負(fù)載（如電機(jī)、LED）的平均電壓 / 電流，實(shí)現(xiàn)調(diào)速、調(diào)光功能，例如 LED 調(diào)光電路中，PWM 占空比從 10% 增至 90%，LED 亮度隨之提升。三極管開關(guān)速度由 ton 和 toff 決定，小功率管多在幾十到幾百 ns。

NPN 型小功率三極管在開關(guān)電路中通過 IB 控制工作狀態(tài)：當(dāng) IB=0（或 IB

放大能力下降表現(xiàn)為輸出幅度減，多因 β 值明顯低于標(biāo)稱值。醫(yī)療設(shè)備小信號NPN型晶體三極管信噪比80dB

NPN 型小功率晶體三極管是電子電路中常用的半導(dǎo)體器件，其 重要結(jié)構(gòu)由三層半導(dǎo)體材料構(gòu)成，分別為發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)。發(fā)射區(qū)采用高摻雜的 N 型半導(dǎo)體，目的是提高載流子（自由電子）的濃度，便于后續(xù)載流子的發(fā)射；基區(qū)為 P 型半導(dǎo)體，其摻雜濃度低，而且物理厚度極薄，通常有幾微米到幾十微米，這種設(shè)計(jì)能讓發(fā)射區(qū)注入的載流子快速穿過基區(qū)，減少在基區(qū)的復(fù)合損耗；集電區(qū)同樣是 N 型半導(dǎo)體，面積比發(fā)射區(qū)大得多，主要作用是高效收集從基區(qū)過來的載流子。三個(gè)區(qū)域分別引出三個(gè)電極，對應(yīng)發(fā)射極（E）、基極（B）和集電極（C），電極的引出方式和位置會根據(jù)三極管的封裝形式有所差異，常見的封裝有 TO-92、SOT-23 等，這些封裝既能保護(hù)內(nèi)部半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，又能方便在電路中焊接安裝。醫(yī)療設(shè)備小信號NPN型晶體三極管信噪比80dB

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