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VAISALA維薩拉是許多半導體制造廠測定鎢的CMP研磨液中H2O2濃度的儀器供應商Published:三月17,2021工業測量液體測量化學機械研磨/拋光(CMP)將化學反應和機械研磨結合在一起，是一項成本高昂且具有挑戰性的重要納米拋光工藝。這一工藝是集成電路制造中關鍵的使能步驟，對產量和工作效率都會產生影響。CMP簡介拋光工藝使用含氧化劑的漿料完成，氧化劑通常為過氧化氫(H2O2)。在制造過程中，將晶圓和拋光墊緊密地壓在一起，同時使二者各自以略微不同的速度逆時針旋轉。將漿料鋪在拋光墊中心，然后結合運用機械操作和化學操作，逐步除去晶圓表面的材料，使晶圓表面局部和整體都順滑平坦。使用CMP漿料前，先在工廠對其進行混合或稀釋。氧化物拋光漿料在購買時通常為濃縮狀態，使用前在現場加水稀釋，以減少運輸和人工成本。一些多組分拋光漿料只能隨用隨混，因為這些漿料在混合后有效期很短。確保正確地混合至關重要，寧波蔬菜大棚溫濕度傳感器品牌7100-0066-0100-000 WH-400 1200-0010-4000-0 WH-20 1202-1042-0000-001 LS-Kabelsonde 7000-0050-2200-100 SF-M。

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