深海探測設(shè)備的絕緣加工件，需耐受萬米級水壓與海水腐蝕。選用超高分子量聚乙烯（UHMWPE）經(jīng)冷壓成型，在200MPa壓力下燒結(jié)成整體，使材料孔隙率≤0.01%，水滲透率≤1×10?12m/s。加工時采用金剛石車削工藝，表面粗糙度控制在Ra0.4以下，配合O型圈密封槽的精密加工（尺寸公差±0.02mm），確保在11000米深海中承受110MPa水壓不滲漏。成品經(jīng)3.5%氯化鈉溶液浸泡5000小時后，體積電阻率下降率≤5%，且沖擊強度≥80kJ/m2，滿足深海機器人電纜接頭的絕緣與耐壓需求。耐溫注塑件選用 PPS 材料，可在 220℃高溫環(huán)境中持續(xù)工作。熱加工件定制加工

絕緣加工件的材料選擇需兼顧電氣性能與環(huán)境適應(yīng)性，常見的環(huán)氧樹脂板通過玻璃纖維增強后，介電強度可達 20kV/mm 以上，在 130℃熱態(tài)環(huán)境中仍能保持體積電阻率≥1013Ω?cm。加工時需采用金剛石砂輪進行精密切割，避免普通刀具摩擦產(chǎn)生的高溫破壞分子結(jié)構(gòu)，切割后的邊緣需經(jīng) 320 目砂紙逐級研磨，使表面粗糙度控制在 Ra3.2 以下，防止毛刺引發(fā)局部放電。這類加工件在高壓開關(guān)柜中作為隔離開關(guān)絕緣底板使用時，需通過 40kV 工頻耐壓測試，同時承受 1000N 的機械壓力不變形，確保電力系統(tǒng)安全運行。?精密加工件生產(chǎn)注塑加工件的凸臺設(shè)計增加裝配定位點，降低人工組裝誤差。

航空航天輕量化注塑加工件采用碳纖維增強 PEKK（聚醚酮酮）材料，通過高壓 RTM 工藝成型。將 T800 碳纖維（體積分數(shù) 60%）預(yù)浸 PEKK 樹脂后放入模具，在 300℃、15MPa 壓力下固化 5 小時，制得密度 1.8g/cm3、拉伸強度 1500MPa 的結(jié)構(gòu)件。加工時運用五軸聯(lián)動數(shù)控銑削（轉(zhuǎn)速 50000rpm，進給量 800mm/min），在 2mm 薄壁上加工出精度 ±0.01mm 的榫卯結(jié)構(gòu)，配合激光表面織構(gòu)技術(shù)（坑徑 50μm）提升界面結(jié)合力。成品在 - 196℃液氮環(huán)境中測試，尺寸變化率≤0.03%，且通過 10 萬次熱循環(huán)（-150℃~200℃）后層間剪切強度保留率≥92%，滿足航天器艙門密封件的輕量化與耐極端溫度需求。

光伏逆變器中的絕緣加工件，需具備優(yōu)異的耐候性與耐電暈性能，多采用改性聚酯薄膜復(fù)合絕緣材料。通過熱壓粘合工藝將三層材料復(fù)合（薄膜 + 纖維紙 + 薄膜），熱壓溫度控制在 180 - 200℃，壓力 8 - 10MPa，保壓時間 30 分鐘，使層間剝離強度≥15N/cm。加工后的電容隔板需通過 1000 小時 Damp Heat（85℃，85% RH）測試，介電強度下降率≤10%，同時在高頻脈沖（10kHz，1000V）條件下，電暈起始電壓≥1.2 倍額定電壓，確保在光伏電站 25 年的運營周期內(nèi)，絕緣性能穩(wěn)定可靠，減少設(shè)備故障停機時間。雙色注塑件通過二次成型工藝，色彩過渡自然，提升產(chǎn)品外觀質(zhì)感。

半導體封裝用注塑加工件，需達到 Class 10 級潔凈標準，選用環(huán)烯烴共聚物（COC）與氣相二氧化硅復(fù)合注塑。將 5% 疏水型二氧化硅（比表面積 300m2/g）混入 COC 粒子，通過真空干燥（溫度 80℃，時間 24h）去除水分，再經(jīng)熱流道注塑（模具溫度 120℃，注射壓力 150MPa）成型，制得粒子析出量≤0.1 個 /ft2 的封裝載體。加工時采用激光微雕技術(shù)，在 0.2mm 厚薄膜上雕刻出精度 ±2μm 的導電路徑槽，槽壁粗糙度 Ra≤0.1μm，避免金屬化過程中產(chǎn)生毛刺。成品在 150℃真空環(huán)境中放氣率≤1×10??Pa?m3/s，且通過 1000 次熱循環(huán)（-40℃~125℃）測試，翹曲量≤50μm，滿足高級芯片封裝的高精度與低污染要求。絕緣加工件通過真空浸漆處理，內(nèi)部空隙填充充分，絕緣性能更優(yōu)異。精密加工件生產(chǎn)

注塑加工件的筋位設(shè)計增強結(jié)構(gòu)強度，可承受 20kg 以上的垂直壓力。熱加工件定制加工

半導體刻蝕腔體注塑加工件采用全氟烷氧基樹脂（PFA）與二硫化鉬納米管復(fù)合注塑，添加 3% 二硫化鉬納米管（直徑 20nm，長度 1μm）通過超臨界流體混合（CO?壓力 10MPa，溫度 80℃）均勻分散，使材料表面摩擦系數(shù)降至 0.08，抗等離子體刻蝕速率≤0.05μm/h。加工時運用精密擠出成型（溫度 380℃，口模溫度 360℃），在 0.5mm 薄壁部件上成型精度 ±5μm 的氣流槽，槽面經(jīng)電子束拋光后粗糙度 Ra≤0.02μm，減少刻蝕產(chǎn)物沉積。成品在 CF?/O?等離子體環(huán)境（功率 1000W，氣壓 10Pa）中使用 1000 小時后，表面腐蝕量≤0.1μm，且顆粒脫落量≤0.01 個 / 片，滿足高級半導體刻蝕設(shè)備的高純度與長壽命需求。熱加工件定制加工