4、各種保護功能相對**，保護定值、實現、閉鎖條件和保護投退可**整定和配制。5、保護功能實現不依賴于通訊網絡，滿足電力系統保護的可靠性。整流變壓器微機保護裝置具備進線保護、出現保護，分段保護、配變保護、電動機保護、電容器保護、主變后備保護、發電機后備保護、PT監控保護等保護功能。技術參數額定功率：50/60(KVA)效 率(η)：98%電 壓 比：400/220(V)外形結構：立式冷卻方式：自然冷式防潮方式：開放式繞組數目：雙繞組鐵心結構：心式冷卻形式：干式鐵心形狀：U型電源相數：單相頻率特性：低頻型 號：Satons-ZDG-30/0.4應用范圍：整流在三組三相電壓中，其中主三相電壓（Va，Vb，Vc）與電網輸入電壓幅值相位相同，直接供電給主整流橋；姑蘇區智能整流橋模塊私人定做

（2）最高反向工作電壓VR：指二極管兩端允許施加的最大反向電壓。若大于此值，則反向電流(IR)劇增，二極管的單向導電性被破壞，從而引起反向擊穿。通常取反向擊穿電壓(VB)的一半作為(VR)。例如1N4001的VR為50V，1N4002-1n4006分別為100V、200V、400V、600V和800V，1N4007的VR為1000V（3）比較大反向電流IR：它是二極管在最高反向工作電壓下允許流過的反向電流，此參數反映了二極管單向導電性能的好壞。因此這個電流值越小，表明二極管質量越好。高新區應用整流橋模塊銷售廠家為了減小三相整流器輸入的總諧波含量，1996年，韓國Sewan Choi等人提出了12脈沖自耦變壓整流器的方案。

外加電壓使P區相對N區為正的電壓時，位壘降低，位壘兩側附近產生儲存載流子，能通過大電流，具有低的電壓降（典型值為0.7V）,稱為正向導通狀態。若加相反的電壓,使位壘增加，可承受高的反向電壓，流過很小的反向電流（稱反向漏電流），稱為反向阻斷狀態。整流二極管具有明顯的單向導電性。整流二極管可用半導體鍺或硅等材料制造。硅整流二極管的擊穿電壓高，反向漏電流小，高溫性能良好。通常高壓大功率整流二極管都用高純單晶硅制造（摻雜較多時容易反向擊穿）。這種器件的結面積較大，能通過較大電流（可達上千安），但工作頻率不高，一般在幾十千赫以下。整流二極管主要用于各種低頻半波整流電路，如需達到全波整流需連成整流橋使用。

由此可見,交流電壓通過二極管的整流作用所得到的直流電壓ud是脈動的。一般負載需要供給平滑的直流電壓，因此在整流元件與負載之間常接有濾波器。濾波器對整流電流的直流分量無扼流作用，而對交流分量的感抗很大。這樣，就能在負載上得到平直的直流電壓Ud，其數值等于脈動電壓ud的平均值。由于整流電路通常是由標準電網電壓（如220V，380V）供電，而負載所需直流電壓數值各不相同，因此在一般整流電路中需要有變壓器把標準的電網電壓變換為所需數值的交流電壓。（1）阻性負載：模塊最大電流應為負載額定電流的2倍。

不控整流電路是由無控制功能的整流二極管組成的整流電路。當輸入交流電壓一定時，在負載上得到的直流電壓是不能調節的電路。它利用整流二極管的單向導電性能把外加交流電壓變為直流電壓。對于理想情況，即整流二極管既無慣性又無損耗，因為二極管的開通和關斷只需幾微秒，對于50Hz電流的半周期而言，可以看作是瞬時完成。單相半波整流電路。它利用整流二極管 D的單向導電性能把外加交流電壓變為直流電壓。 [1]對于理想情況，即整流二極管既無慣性又無損耗，因為二極管的開通和關斷只需幾微秒，對于50Hz電流的半周期而言，可以看作是瞬時完成。當電源變壓器的初級加上一正弦電壓u1時，其次級將感應某一交流電壓u2。在u2的正半周內,D受正向電壓而導通，流過負載電流id，同時在負載電阻Rd上產生電壓ud；當u2負半周時，D承受反向電壓而關斷,電路中沒有負載電流,因而也沒有負載電壓。整流二極管一般為平面型硅二極管，用于各種電源整流電路中。常熟使用整流橋模塊工廠直銷

采用DCB板及其它高級導熱絕緣材料，導熱性能好，導熱基板不帶電（MDY2000型模塊除外），保證使用安全。姑蘇區智能整流橋模塊私人定做

在輸出波形圖中，N相平直虛線是整流濾波后的平均輸出電壓值。虛線以下和各正弦波的交點以上（細虛線以上）的小脈動波是整流后未經濾波的輸出電壓波形。圖二是三相全波整流橋的電路圖（帶電容）。三相半波整流橋半橋是將連接好的3個整流二極管（和一個電容器）封裝在一起，組成一個橋式、半波整流電路。三相半波整流橋必須輸入電源的零線（中性線）。圖三在半波整流電路中，三相中的每一相都和零線單獨形成了半波整流電路，其整流出的三個電壓半波在時間上依次相差疊加，并且整流輸出波形不過點，其比較低點電壓Umin=Up×sin[(1/2)×(180°-120°)]=(1/2)Up。式中的Up是交流電壓輸入幅值。圖三是三相半波整流電壓波形圖和三相交流電壓波形圖的對比。姑蘇區智能整流橋模塊私人定做

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