可控硅鑒別三個極的方法很簡單，根據P-N結的原理，用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以判斷出來。

  陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個P-N結，而且方向相反，因此陽極和控制極正反向都不通）。

  控制極與陰極之間是一個P-N結，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大。可是控制極二極管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態的，可以有比較大的電流通過，因此，有時測得控制極反向電阻比較小，并不能說明控制極特性不好。另外，在測量控制極正反向電阻時，萬用表應放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制極反向擊穿。

  若測得元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞。 淄博正高電氣有限公司提供周到的解決方案，滿足客戶不同的服務需要。廣東反并聯可控硅模塊報價

過電壓會對可控硅模塊造成損壞，如果要想保護可控硅不受其損壞，就要了解過電壓的產生原因，從而去避免防止受損，下面正高電氣就來講講過電壓會對可控硅模塊造成怎樣的損壞？以及過電壓產生的原因。

可控硅模塊對過電壓非常敏感，當正向電壓超過udrm值時，可控硅會誤導并導致電路故障；當施加的反向電壓超過urrm值時，可控硅模塊會立即損壞。因此，需要研究過電壓產生的原因和過電壓的方法。

過電壓主要是由于供電電源或系統儲能的急劇變化，使系統轉換太晚，或是系統中原本積聚的電磁能量消散太晚。主要研究發現，由于外界沖擊引起的過電壓主要有兩種類型，如雷擊和開關開啟和關閉引起的沖擊電壓。雷擊或高壓斷路器動作產生的過電壓是幾微秒到幾毫秒的電壓尖峰，對可控硅模塊非常危險。

大功率可控硅模塊批發淄博正高電氣有限公司和客戶攜手誠信合作，共創輝煌！

正高可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制極G三個引出腳。雙向可控硅有兩個陽極：一陽極A1(T1)，二陽極A2(T2)、控制極G三個引出腳。

  只有當單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓，同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發電壓時，方可被觸發導通。此時A、K間呈低阻導通狀態，陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導通后，控制器G即使失去觸發電壓，只要陽極A和陰極K之間仍保持正向電壓，單向可控硅繼續處于低阻導通狀態。只有把陽極A電壓拆除或陽極A、陰極K間電壓極性發生改變(交流過零)時，單向可控硅才由低阻導通狀態轉換為高阻截止狀態。單向可控硅一旦截止，即使陽極A和陰極K間又重新加上正向電壓，仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發電壓方可導通。單向可控硅的導通與截止狀態相當于開關的閉合與斷開狀態，用它可制成無觸點開關。

一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件，創制于1957年，由于它特性類似于真空閘流管，所以國際上通稱為硅晶體閘流管，簡稱晶閘管T。又由于晶閘管開始應用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件，簡稱為可控硅SCR。

在性能上，可控硅不僅具有單向導電性，而且還具有比硅整流元件(俗稱“死硅”)更為可貴的可控性。它只有導通和關斷兩種狀態。

可控硅能以毫安級電流控制大功率的機電設備，如果超過此頻率，因元件開關損耗明顯增加，允許通過的平均電流相降低，此時，標稱電流應降級使用。

可控硅的優點很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數高達幾十萬倍;反應極快，在微秒級內開通、關斷;無觸點運行，無火花、無噪音;效率高，成本低等等。

可控硅的弱點：靜態及動態的過載能力較差;容易受干擾而誤導通。

可控硅從外形上分類主要有：螺栓形、平板形和平底形。 淄博正高電氣有限公司得到市場的一致認可。

可控硅模塊的分類可控硅模塊從X芯片上看，可以分為可控模塊和整流模塊兩大類，從具體的用途上區分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX）、普通整流管模塊（MDC）、普通晶閘管、整流管混合模塊（MFC）、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC）、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（也就是通常所說的電焊機**模塊MTG\MDG）、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS）、單相（三相）整流橋模塊（MDQ）、單相半控橋（三相全控橋）模塊（MTS）以及肖特基模塊等。地理位置優越，交通十分便利。廣東反并聯可控硅模塊報價

淄博正高電氣有限公司傾城服務，確保產品質量無后顧之憂。廣東反并聯可控硅模塊報價

相信大家對于可控硅模塊并不陌生了，現代在電氣行業的不斷發展，可控硅模塊的使用范圍越來越廣，但是你對可控硅模塊的了解有多少呢，它的主要參數有哪些你知道嗎？下面為大家講解。

可控硅模塊的主要參數有：

(1) 額定通態平均電流IT在一定條件下，陽極---陰極間可以連續通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。

(2) 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開路未加觸發信號，陽極正向電壓還未超過導能電壓時，可以重復加在可控硅模塊兩端的正向峰值電壓。可控硅模塊承受的正向電壓峰值，不能超過手冊給出的這個參數值。

(3) 反向陰斷峰值電壓VPR當可控硅加反向電壓，處于反向關斷狀態時，可以重復加在可控硅模塊兩端的反向峰值電壓。使用時，不能超過手冊給出的這個參數值。 廣東反并聯可控硅模塊報價

淄博正高電氣有限公司是一家有著先進的發展理念，先進的管理經驗，在發展過程中不斷完善自己，要求自己，不斷創新，時刻準備著迎接更多挑戰的活力公司，在山東省等地區的電子元器件中匯聚了大量的人脈以及**，在業界也收獲了很多良好的評價，這些都源自于自身的努力和大家共同進步的結果，這些評價對我們而言是比較好的前進動力，也促使我們在以后的道路上保持奮發圖強、一往無前的進取創新精神，努力把公司發展戰略推向一個新高度，在全體員工共同努力之下，全力拼搏將共同淄博正高電氣供應和您一起攜手走向更好的未來，創造更有價值的產品，我們將以更好的狀態，更認真的態度，更飽滿的精力去創造，去拼搏，去努力，讓我們一起更好更快的成長！