過電壓會對可控硅模塊造成損壞，如果要想保護可控硅不受其損壞，就要了解過電壓的產生原因，從而去避免防止受損，下面正高電氣就來講講過電壓會對可控硅模塊造成怎樣的損壞？以及過電壓產生的原因。

可控硅模塊對過電壓非常敏感，當正向電壓超過udrm值時，可控硅會誤導并導致電路故障；當施加的反向電壓超過urrm值時，可控硅模塊會立即損壞。因此，需要研究過電壓產生的原因和過電壓的方法。

過電壓主要是由于供電電源或系統儲能的急劇變化，使系統轉換太晚，或是系統中原本積聚的電磁能量消散太晚。主要研究發現，由于外界沖擊引起的過電壓主要有兩種類型，如雷擊和開關開啟和關閉引起的沖擊電壓。雷擊或高壓斷路器動作產生的過電壓是幾微秒到幾毫秒的電壓尖峰，對可控硅模塊非常危險。

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您知道可控硅模塊的導通條件是什么嗎？

可控硅模塊導通的條件是陽極承受正電壓，只有當正向觸發電壓時，可控硅才能導通。由門級施加的正向觸發脈沖的較小寬度應使陽極電流達到維持直通狀態所需的較小的陽極電流，即高于電流IL。可控硅導通后的電壓降很小。

接通可控硅模塊的條件是將流過可控硅模塊的電流減小到較小的值，即保持電流IH。有兩種方法：

1.將正極電壓降低至數值，或添加反向陽極電壓。

2.增加負載電路中的電阻。

以上是可控硅模塊的導通狀態，希望能幫助您 浙江可控硅模塊配件淄博正高電氣有限公司在行業的影響力逐年提升。

可控硅模塊的設備與維護

（1）在模塊導熱底板表面與散熱器外表各均勻涂覆一層導熱硅脂，然后用四個螺釘把模塊固定于散熱器上，固定螺釘不要一次擰緊，幾個螺釘要順次固定，用力要均勻，重復幾回，直至強健，使模塊底板與散熱器外表嚴密觸摸。

（2）把散熱器和風機按需求安裝好后，筆直固定于機箱合適方位。

（3）用接線端頭環帶將銅線扎緊，浸錫，然后套上絕緣熱縮管，用熱風加熱縮短。將接線端頭固定于模塊電極上，并堅持超卓的平面壓力觸摸，阻止將電纜銅線直接壓接在模塊電極上。  

（4）為延伸商品運用壽數，主張每隔3-4個月維護一次，替換一次導熱硅脂，鏟除外表塵土，緊固各壓線螺釘。

可控硅模塊規格的選擇方法：考慮到可控硅產品一般為非正弦電流，存在導通角問題，負載電流存在一些波動和不穩定因素，晶閘管芯片抗電流沖擊能力差，在選擇模塊電流規格時必須留出一定的裕度。

推薦選擇方法可按照以下公式計算：I＞K×I負載×U∕U實際

K ：安全系數，阻性負載K= 1.5，感性負載K= 2；

I負載：負載流過的強大電流； U實際：負載上的小電壓；

U強大 模塊能輸出的強大電壓；（三相整流模塊為輸入電壓的1.35倍，單相整流模塊為輸入電壓的0.9倍，其余規格均為1.0倍）；

I：需要選擇模塊的小電流,模塊標稱的電流必須大于該值。 地理位置優越，交通十分便利。

可控硅模塊在電子行業中應用以及發展比較廣，它已經應用到了很多電子設備中，不同設備中使用的可控硅模塊類型也是不同的，下面可控硅模塊廠家就來來您了解一下。

1．選擇可控硅模塊的類型可控硅模塊有多種類型，應根據應用電路的具體要求合理選用。

  若用于交直流電壓控制、可控整流、交流調壓、逆變電源、開關電源保護電路等，可選用普通可控硅模塊。

  若用于交流開關、交流調壓、交流電動機線性調速、燈具線性調光及固態繼電器、固態接觸器等電路中，應選用雙向可控硅模塊。

  若用于交流電動機變頻調速、斬波器、逆變電源及各種電子開關電路等，可選用門極關斷可控硅模塊。

  若用于鋸齒波器、長時間延時器、過電壓保護器及大功率晶體管觸發電路等，可選用BTG可控硅模塊。

  若用于電磁灶、電子鎮流器、超聲波電路、超導磁能儲存系統及開關電源等電路，可選用逆導可控硅模塊。

  若用于光電耦合器、光探測器、光報警器、光計數器、光電邏輯電路及自動生產線的運行監控電路，可選用光控可控硅模塊。 淄博正高電氣有限公司以質量求生存，以信譽求發展！河南高壓可控硅模塊

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可控硅模塊選購注意事項:

(1)注明您需要的產品的型號、結構（螺栓、凹臺、凸臺）、配置散熱器型號。

(2)注明您關注的參數要求。

(3)選擇電流電壓時要留有適當的余量；

可控硅模塊使用注意事項：

(1)線路中須有過壓過流保護措施，串并聯使用時必須有均流措施。

(2)用萬用表簡單判斷器件是否損壞： 門陰極間電阻，應有十幾或幾十Ω，否則門極已短路或開路。陰陽極間電阻，應大于1MΩ，（整流管正向除外），電阻小于1MΩ表明器件極間絕緣性能不良，電阻近零時表明器件已擊穿。發現有短路或斷路現象時，應立即更換。

(3)嚴禁用兆歐表（即搖表）檢查元件的絕緣情況。

(4)電流為5A以上的可控硅模塊要裝散熱器，并且保證所規定的冷卻條件。為保證散熱器與可控硅模塊管心接觸良好，它們之間應涂上一薄層有機硅油或硅脂，以幫于良好的散熱。

(5)按規定對主電路中的可控硅模塊采用過壓及過流保護裝置。

(6)要防止可控硅模塊控制極的正向過載和反向擊穿。

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