任何的東西都有其使用的壽命，可控硅也不例外，可控硅模塊使用時間長了，它的溫度就會升高，如果溫度過高就容易損壞，并且降低使用壽命，這就需要大家來看看可控硅模塊的升溫方法：

1 可控硅模塊環境溫度的測定：在距被測可控硅模塊表面1.5m處放置溫度計，溫度計測點距地面的高度與減速機軸心線等高，溫度計的放置應不受外來輻射熱與氣流的影響，環境溫度數值的讀取與工作溫度數值的讀取應同時進行。

2 可控硅模塊溫升按下式計算：式中：Δt--可控硅模塊的溫升(℃)。

3 可控硅模塊工作溫度的測定：被測可控硅模塊溫升的測定，通常與減速機的承載能力及傳動效率測定同時進行，也可單獨進行，被測減速機在符合規定時，讀取它在額定轉速、額定輸入功率下的工作溫度

可控整流：如同二極管整流一樣，將交流整流為直流，并且在交流電壓不變的情況下，有效地控制直流輸出電壓的大小即可控整流，實現交流→可變直流之轉變;

無觸點功率靜態開關(固態開關)：作為功率開關元件，可控硅可以代替接觸器、繼電器用于開關頻率很高的場合。

因此可控硅元件被廣泛應用于各種電子設備和電子產品的電路中，多作可控整流、逆變、變頻、調壓、無觸點開關等用途。家用電器中的調光燈、調速風扇、冷暖空調器、熱水器、電視、冰箱、洗衣機、照相機、音響組合、聲控電路、定時控制器、感應燈、圣誕燈控制器、自動門電路、以及玩具裝置、電動工具產品、無線電遙控電路、攝像機等工業控制領域等都大量使用了可控硅器件。 安徽小功率可控硅模塊廠家淄博正高電氣有限公司一切從實際出發、注重實質內容。

選擇可控硅模塊時不能只看表面，應參考實際工作條件來選擇，選用可控硅模塊的額定電流時，除了考慮通過元件的平均電流外，還應注意正常工作時導通角的大小、散熱通風條件等因素。在工作中還應注意管殼溫度不超過相應電流下的允許值。

1.可控硅模塊的冷卻及環境條件:

(1)強迫風冷：風速≥6m/s，風溫≤40℃；

(2)水冷：流量≥4L/mm，壓強0.2±0.03Mpa。水溫≤35℃. 水電阻率≥20KΩ.cm，HP值6—8；

(3)自冷和負冷環境溫度—40℃—40℃.水冷以環境溫度5℃—40℃；

(4)空氣相對濕度≤85%；

(5)空氣中無腐蝕性氣體和破壞絕緣的塵埃；

(6)氣壓86—106Kpa；

(7)無劇烈震動或沖擊；

(8)若有特殊場合，應進行相應的試驗，證明工作可靠方可使用。

可控硅模塊的分類：

1、以關斷、導通及控制方式來分類：可控硅按其關斷、導通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導可控硅、門極關斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。

2、以引腳和極性來分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。

3、以封裝形式來分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。

4、以電流容量來分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、**率可控硅和小功率可控硅三種。通常，大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。

5、以關斷速度來分類：可控硅按其關斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。

6、過零觸發，一般是調功，即當正弦交流電交流電電壓相位過零點觸發，必須是過零點才觸發，導通可控硅參數介紹

7、非過零觸發，無論交流電電壓在什么相位的時候都可觸發導通可控硅，常見的是移相觸發。

可控硅模塊的應用領域

可控硅模塊應用于溫度控制、調光、勵磁、電鍍、電解、充放電、電焊機、等離子弧、逆變電源等需要調節和改變電能的場合，如工業、通信、電力系統、電力系統等及其它各種電控、電源等，根據此也可通過模塊的控制端口與多功能控制板相連，完成電流穩定、電壓穩定和軟啟動。并可結束過流、過電壓、過溫、缺乏平衡維護功能。

可控硅模塊由于它在電路應用中的效率高、控制特性好、壽命長、體積小、功能強等優點，自上個世紀六十長代以來，獲得了迅猛發展，并已形成了一門**的學科。

可控硅模塊發展到現在，在工藝上已經非常成熟，品質更好，成品率大幅提高，并向高壓大電流發展。 淄博正高電氣有限公司周邊生態環境狀況好。安徽小功率可控硅模塊廠家

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正高可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制極G三個引出腳。雙向可控硅有兩個陽極：一陽極A1(T1)，二陽極A2(T2)、控制極G三個引出腳。

  只有當單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓，同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發電壓時，方可被觸發導通。此時A、K間呈低阻導通狀態，陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導通后，控制器G即使失去觸發電壓，只要陽極A和陰極K之間仍保持正向電壓，單向可控硅繼續處于低阻導通狀態。只有把陽極A電壓拆除或陽極A、陰極K間電壓極性發生改變(交流過零)時，單向可控硅才由低阻導通狀態轉換為高阻截止狀態。單向可控硅一旦截止，即使陽極A和陰極K間又重新加上正向電壓，仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發電壓方可導通。單向可控硅的導通與截止狀態相當于開關的閉合與斷開狀態，用它可制成無觸點開關。 安徽小功率可控硅模塊廠家

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