晶閘管智能模塊電流規格的選取方法

考慮到晶閘管智能模塊產品一般都是非正弦電流，存在導通角的問題并且負載電流有一定的波動性和不穩定因素，且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差，在選取模塊電流規格時需要留出一定余量。推薦選擇方法可按照以下公式計算：

I>K×I負載×U較大∕U實際

K ：安全系數，阻性負載K= 1.5，感性負載K= 2；

I負載：負載流過的較大電流；    U實際：負載上的較大電壓；

U較大：模塊能輸出的較大電壓；（三相整流模塊為輸入電壓的1.35倍，單相整流模塊為輸入電壓的0.9倍，其余規格均為1.0倍）；

I：需要選擇模塊的較大電流,模塊標稱的電流一定要大于該值。

例：某系統用三相整流模塊電爐調溫，380V輸入，輸出電流130A，輸出直流電壓可調350V～450V，應選擇什么型號的模塊？

選擇方法：三相整流模塊，380V輸入，較大輸出直流電壓為380×1.35=513V,電爐為阻性負載,按公式輸出電流應不小于1.5×130×513/350=285.81A,可選取接近（但一定要大于）值，即320A的模塊，型號為:3MTDC320。 正高電氣公司狠抓產品質量的提高，逐年立項對制造、檢測、試驗裝置進行技術改造。聊城MTAC100晶閘管智能模塊配件

    額定電壓V1mA的下限是線路工作電壓峰值，考慮到電網電壓的波動以及多次承受沖擊電流以后V1mA值可能下降，因此，額定電壓的取值應適當提高。目前通常采用30[%]的余量計算。V1mA≥√2?U式中U――壓敏電阻兩端正常工作電壓的有效值。壓敏電阻的數量：三相整流模塊和三相交流模塊均為三只、單相整流模塊和單相交流模塊均為一只。全部接在交流輸入端。3、過熱保護晶閘管在電流通過時，會產生一定的壓降，而壓降的存在則會產生一定的功耗，電流越大則功耗越大，產生的熱量也就越大。如果不把這些熱量快速散掉，會造成燒壞晶閘管芯片的問題。因此要求使用晶閘管模塊時，一定要安裝散熱器。散熱條件的好壞，是影響模塊能否安全工作的重要因素。良好的散熱條件不但能夠保證模塊可靠工作、防止模塊過熱燒毀，而且能夠提高模塊的電流輸出能力。建議用戶在使用大電流規格模塊的時候盡量選擇帶過熱保護功能的模塊。當然，即便模塊帶過熱保護功能，而散熱器和風機也是不可缺少的。在使用中，當散熱條件不符合規定要求時，如室溫超過40℃、強迫風冷的出口風速不足6m/s等，則模塊的額定電流應立即降低使用，否則模塊會由于芯片結溫超過允許值而損壞。譬如。威海MTAC20晶閘管智能模塊組件正高電氣生產的產品受到用戶的一致稱贊。

    晶閘管(可控硅)兩端為什么并聯電阻和電容在實際晶閘管(可控硅)電路中，常在其兩端并聯RC串聯網絡，該網絡常稱為RC阻容吸收電路。我們知道，晶閘管(可控硅)有一個重要特性參數－斷態電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明晶閘管(可控硅)在額定結溫和門極斷路條件下，使晶閘管(可控硅)從斷態轉入通態的比較低電壓上升率。若電壓上升率過大，超過了晶閘管(可控硅)的電壓上升率的值，則會在無門極信號的情況下開通。即使此時加于晶閘管(可控硅)的正向電壓低于其陽極峰值電壓，也可能發生這種情況。因為晶閘管(可控硅)可以看作是由三個PN結組成。在晶閘管(可控硅)處于阻斷狀態下，因各層相距很近，其J2結結面相當于一個電容C0。當晶閘管(可控硅)陽極電壓變化時，便會有充電電流流過電容C0，并通過J3結，這個電流起了門極觸發電流作用。如果晶閘管(可控硅)在關斷時，陽極電壓上升速度太快，則C0的充電電流越大，就有可能造成門極在沒有觸發信號的情況下，晶閘管(可控硅)誤導通現象，即常說的硬開通，這是不允許的。因此，對加到晶閘管(可控硅)上的陽極電壓上升率應有一定的限制。為了限制電路電壓上升率過大，確保晶閘管(可控硅)安全運行，常在晶閘管(可控硅)兩端并聯RC阻容吸收網絡。

    檢測兩基極間電阻：兩表筆（不分正、負）接單結晶體管除發射極E以外的兩個管腳，讀數應為3～10kΩ。[7]檢測PN結正向電阻（N基極管為例，下同）：黑表筆接發射極E，紅表筆分別接兩個基極，讀數均應為數千歐。對調兩表筆后檢測PN結反向電阻，讀數均應為無窮大。如果測量結果與上述不符，說明被測單結管已損壞。[8]測量單結晶體管的分壓比η：按圖示搭接一個測量電路，用萬用表“直流10V”擋測出C2上的電壓UC2，再按公式η=UC2/UB計算即可。[9]單結晶體管的基本應用是組成脈沖產生電路，包括振蕩器、波形發生器等，并可使電路結構大為簡化。圖示為單結晶體管弛張振蕩器。單結管VT的發射極輸出鋸齒波，基極輸出窄脈沖，第二基極輸出方波。RE與C組成充放電回路，改變RE或C即可改變振蕩周期。該電路振蕩周期T≈RECln[1/（1-η）]，式中，ln為自然對數，即以e（）為底的對數。[10]單結晶體管還可以用作晶閘管觸發電路。圖示為調光臺燈電路。在交流電的每半周內，晶閘管VS由單結管VT輸出的窄脈沖觸發導通，調節RP便改變了VT輸出窄脈沖的時間，即改變了VS的導通角，從而改變了流過燈泡EL的電流，實現了調光的目的。[11]晶體閘流管簡稱為晶閘管，也叫做可控硅。正高電氣的行業影響力逐年提升。

傳統的電加熱行業使用的功率器件一般采用分離晶閘管+晶閘管觸發板的方式來完成對變壓器初級或次級的調壓；加熱行業往往工作環境很惡劣，粉塵飛揚，溫度變化較大，濕度較高，長時間工作后會出現觸發板工作失常，造成晶閘管擊穿，導致設備停產，產品報廢等，給生產造成嚴重損失。并且普通電工無法完成維修工作，必須專業人員進行操作。為了避免出現上述問題，比較好采用密封性好，工作環境適應能力強，安裝維修方便的晶閘管智能模塊來替代傳統的方式。晶閘管智能模塊是把晶閘管主電路與移向觸發系統（即觸發板）集成共同封裝在一個塑料外殼內，從而省去了觸發板與晶閘管之間的連接線、晶閘管與晶閘管之間的連接線，減小了接線錯誤的幾率，維護方便，普通電工即可完成操作，省去人員成本。把觸發板封裝到模塊內，環境中的粉塵、濕氣等都不會對其產生影響，增加了可靠性。 正高電氣不懈追求產品質量，精益求精不斷升級。淄博MTAC150晶閘管智能模塊批發

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    直流電壓波形應該幾乎全放開（A≈0°），6個波頭都全在，若中頻電源為380V輸入，此時的直流電壓表應為指示在520V左右。再把面板上的“給定”電位器逆時針旋至**小，直流電壓波形幾乎全關閉，此時的α角約為120度。輸出直流波形在整個移相范圍內應該是連續平滑的。若在調試中，發現不出來6個整流波頭，則應檢查6只整流晶閘管的序號是否接對，晶閘管的門級線是否接反或短路。在此過程調試中也檢查了面板上的“給定”電位器是否接反，接反了則會出現直流電壓幾乎為比較大，只有把“給定”電位器順時針旋到頭時，直流電壓才會減小的現象。在停電狀態下，把逆變橋接入，使逆變觸發脈沖投入，去掉整流橋口的電阻性負載。把電路板上的VF微調電位器W2順時針旋至比較**，（調試過程發生逆變過壓時，可以提供過壓保護）。主控板上的DIP-1開關撥在ON位置，面板上的“給定”電位器逆時旋至**小。上電數秒鐘后，把面板上的“給定”電位器順時針慢慢地旋大，這時逆變橋會出現兩種工作狀態，一種是逆變橋起振，另一種是逆變橋直通。此時需要的是逆變橋直通，若逆變橋為起振狀態，可在停電的狀態下，調節中頻電壓互感器的相位，即把中頻電壓互感器20V繞組的輸出線對調一下，就不會起振了。聊城MTAC100晶閘管智能模塊配件

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