它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優點，以具有自關斷能力，使用方便，是理想的高壓、大電流開關器件。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管（GTR），只是工作頻紡比GTR低。GTO已達到3000A、4500V的容量。大功率可關斷晶閘管已用于斬波調速、變頻調速、逆變電源等領域，顯示出強大的生命力。可關斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件，其結構及等效電路和普通晶閘管相同，因此圖1*繪出GTO典型產品的外形及符號。大功率GTO大都制成模塊形式。盡管GTO與SCR的觸發導通原理相同，但二者的關斷原理及關斷方式截然不同。這是由于普通晶閘管在導通之后即外于深度飽和狀態，而GTO在導通后只能達到臨界飽和，所以GTO門極上加負向觸發信號即可關斷。GTO的一個重要參數就是關斷增益，βoff，它等于陽極比較大可關斷電流IATM與門極比較大負向電流IGM之比，有公式βoff=IATM/IGMβoff一般為幾倍至幾十倍。βoff值愈大，說明門極電流對陽極電流的控制能力愈強。很顯然，βoff與昌盛的hFE參數頗有相似之處。下面分別介紹利用萬用表判定GTO電極、檢查GTO的觸發能力和關斷能力、估測關斷增益βoff的方法。1．判定GTO的電極將萬用表撥至R×1檔，測量任意兩腳間的電阻，*當黑表筆接G極。正高電氣以其獨特且具備設計韻味的產品體系。上海三相交流調壓模塊組件

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    變壓器磁路平衡，不存在磁化的問題。要求主變壓器和平衡電抗器對稱性好。2整流輸出電壓：Ud=。當負載電流小于額定值（Id）2~5%時，流過平衡電抗器的電流太小，達不到激磁所需的臨界電流，平衡電抗器失去作用，其上的三角波形電壓也就沒有了，此時該線路輸出電壓與三相半波電路一樣，該電壓即為電焊機空載電壓。輸出電壓：Ud=。2電阻R的作用是為電焊機在空載電壓輸出時，提供可控硅導通的擎制電流。因此擎制電流參數的大小或離散性對R的阻值有相當重要性。實例：1.晶閘管耐壓的選擇（VRRM；VDRM）：已知條件：空載電壓：100V，額定輸出電流：630A；暫載率：60%根據公式：Ud=（大電流時：Ud=）對于雙反星型并聯電路，其對晶閘管耐壓要求均為：U2。U2為變壓器副邊相電壓。根據Ud=?？紤]兩倍余量：VRRM；VDRM=2x.因此選擇耐壓400V的晶閘管及模塊即可。2.晶閘管額定電流的選擇（IT(AV)）：2.先計算變壓器副邊流過的相電流（Ie）：由公式：Ie=1/2x(適用雙反星型并聯電路,因兩極性組并聯,所以公式中需乘以1/2)。對于630A輸出電流，Id=630A所以：Ie=1/2x（此值為交流有效值。需折算為平均值）計算流過的晶閘管額定電流（IT(AV)）：IT=Ie/考慮選型需按IT(AV)=()IT=116Ax。

    特點：1、芯片與底板電氣絕緣2、國際標準封裝3、全壓接結構，優良的溫度特性和功率循環能力4、350A以下模塊皆為強迫風冷，400A以上模塊既可選用風冷，也可選用水冷5、安裝簡單，使用維修方便典型應用：1、交直流電機控制2、各種整流電源3、工業加熱控制4、調光5、無觸點開關6、電機軟起動7、靜止無功補償8、電焊機9、變頻器10、UPS電源11、電池充放電三相整流橋模塊功率半導體模塊可控硅博飛宏大北京博飛宏大電子科技有限公司，廠家直銷，質量，價格有保證！如果您需要相關型號資料，電壓電流，封裝尺寸大小，可以隨時給您發送該產品的PDF文檔，供您參考！如果您訂購量大，并且有長期合作意向，可**先給您發樣品！三天內發貨！如果產品裝機配型不適用，可退換貨！博飛宏大，給您滿意貼心的服務，是我們一貫的宗旨！公司主頁：歡迎您到廠參觀！北京博飛宏大電子科技有限公司，有10多年功率半導體元器件制造經驗，是專業從事功率半導體器件的研發、封裝、測試、銷售、技術服務為一體的****，多年來一直從事冶金自動化和鐵路電氣化領域的國產化工作。我公司的電力半導體器件有：全系列功率模塊(MTC、MFC、MDC、MDQ、MDS)，普通整流管(ZP)，快速整流管(ZK)。正高電氣經營理念：前列的設備、前列的產品、前列的服務。

晶閘管模塊的工作原理

在晶閘管模塊T的工作過程中，晶閘管模塊的陽極A和陰極K與電源和負載相連，構成晶閘管模塊的主電路。晶閘管模塊的柵極G和陰極K與控制可控硅的裝置相連，形成晶閘管模塊的控制電路。

從晶閘管模塊的內部分析工作過程：

晶閘管模塊是一種四層三端器件。它有J1、J2和J3的三個pn結圖。中間的NP可分為PNP型三極管和NPN型三極管兩部分。

當晶閘管模塊承載正向陽極電壓時，為了制造晶閘管模塊導體銅，承受反向電壓的pn結J2必須失去其阻擋作用。每個晶體管的集電極電流同時是另一個晶體管的基極電流。因此，當有足夠的柵極電流Ig流入時，兩個復合晶體管電路會形成較強的正反饋，從而導致兩個晶體管飽和導通，晶體管飽和導通。 “質量優先，用戶至上，以質量求發展，與用戶共創雙贏”是正高電氣新的經營觀。內蒙古可控硅集成調壓模塊配件

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    壓接式和焊接式可控硅模塊有哪些區別？可控硅模塊屬于一種使用模塊封裝形式，擁有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件，這種可控硅模塊的體積非常的小，結構也十分的緊湊，對于維修與安裝都有很大的作用，可控硅模塊的類型非常的多，比方說壓接式可控硅模塊、焊接式可控硅模塊等，很多人不是很清楚兩者之間的差異，下面詳細的進行區分一下。①從電流方面來講，焊接式可控硅模塊可以做到160A電流，同時壓接式模塊的電流就能夠達到1200A，這就是講低于160A的模塊，不只是有焊接式的，同時也有壓接式的?？煽毓枘K②從外形方面來講，焊接式的可控硅模塊遠遠沒有壓接式的外形比較好，壓接式的屬于一體成型，技術十分的標準，焊接式的局部地區可能有焊接的痕跡，但是在使用的時候是沒有任何的影響的。③眾所周知，壓接式可控硅模塊的市場占有率是非常大的，有不少的公司都會使用壓接式可控硅模塊，這其中的原因可能使由于其外形十分的美觀，除此之外從價格方面來講，焊接式可控硅模塊的成本遠遠要比壓接式可控硅模塊的成本低。我公司的電力半導體器件有：全系列功率模塊(MTC，MFC，MDC，MDQ，MDS)，普通整流管(ZP)，快速整流管(ZK)。上海三相交流調壓模塊組件

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