為幫助客戶應對半導體行業的技術人才短缺問題，中清航科推出“設備+培訓”打包服務。購買設備的客戶可獲得技術培訓名額，培訓內容涵蓋設備操作、工藝調試、故障排除等，培訓結束后頒發認證證書。同時提供在線技術支持平臺，隨時解答客戶在生產中遇到的技術問題。隨著半導體器件向微型化、集成化發展，晶圓切割的精度要求將持續提升。中清航科已啟動亞微米級切割技術的產業化項目，計劃通過引入更高精度的運動控制系統與更短波長的激光源，實現500nm以內的切割精度，為量子芯片、生物傳感器等前沿領域的發展提供關鍵制造設備支持。12英寸晶圓切割中清航科解決方案突破產能瓶頸，良率99.3%。徐州半導體晶圓切割寬度

中清航科設備搭載AI參數推薦引擎，通過分析晶圓MAP圖自動匹配切割速度、進給量及冷卻流量。機器學習模型基于10萬+案例庫持續優化，將工藝調試時間從48小時縮短至2小時，快速響應客戶多品種、小批量需求。SiC材料硬度高、脆性大，傳統切割良率不足80%。中清航科采用激光誘導劈裂技術（LIPS），通過精確控制激光熱影響區引發材料沿晶向解理，切割速度達200mm/s，崩邊<10μm，滿足新能源汽車功率器件嚴苛標準。中清航科提供從晶圓貼膜、切割到清洗的全流程自動化方案。機械手聯動精度±5μm，兼容SECS/GEM協議實現MES系統對接。模塊化設計支持產能彈性擴展，單線UPH（每小時產能）提升至120片，人力成本降低70%。常州藍寶石晶圓切割測試中清航科提供切割工藝認證服務，助客戶通過車規級標準。

在碳化硅晶圓切割領域，由于材料硬度高達莫氏9級，傳統切割方式面臨效率低下的問題。中清航科創新采用超高壓水射流與激光復合切割技術，利用水射流的冷卻作用抑制激光切割產生的熱影響區，同時借助激光的預熱作用降低材料強度，使碳化硅晶圓的切割效率提升3倍，熱影響區控制在10μm以內。晶圓切割設備的可靠性是大規模生產的基礎保障。中清航科對中心部件進行嚴格的可靠性測試，其中激光振蕩器經過10萬小時連續運行驗證，機械導軌的壽命測試達到200萬次往復運動無故障。設備平均無故障時間（MTBF）突破1000小時，遠超行業800小時的平均水平，為客戶提供穩定可靠的生產保障。

晶圓切割/裂片是芯片制造過程中的重要工序，屬于先進封裝(advancedpackaging)的后端工藝(back-end)之一，該工序可以將晶圓分割成單個芯片，用于隨后的芯片鍵合。隨著技術的不斷發展，對高性能和更小型電子器件的需求增加，晶圓切割/裂片精度及效率控制日益不可或缺。晶圓切割的重要性在于它能夠在不損壞嵌入其中的精細結構和電路的情況下分離單個芯片，成功與否取決于分離出來的芯片的質量和產量，以及整個過程的效率。為了實現這些目標，目前已經開發了多種切割技術，每種技術都有其獨特的優點和缺點。中清航科晶圓切割代工廠通過ISO14644潔凈認證，量產經驗足。

大規模量產場景中，晶圓切割的穩定性與一致性至關重要。中清航科推出的全自動切割生產線，集成自動上下料、在線檢測與NG品分揀功能，單臺設備每小時可處理30片12英寸晶圓，且通過工業互聯網平臺實現多設備協同管控，設備綜合效率（OEE）提升至90%以上，明顯降低人工干預帶來的質量波動。隨著芯片集成度不斷提高，晶圓厚度逐漸向超薄化發展，目前主流晶圓厚度已降至50-100μm，切割過程中極易產生變形與破損。中清航科創新采用低溫輔助切割技術，通過局部深冷處理增強晶圓材料剛性，配合特制真空吸附平臺，確保超薄晶圓切割后的翹曲度小于20μm，為先進封裝工藝提供可靠的晶圓預處理保障。晶圓切割培訓課程中清航科每月開放，已認證工程師超800名。徐州芯片晶圓切割代工廠

中清航科真空吸附晶圓托盤，解決超薄晶圓切割變形難題。徐州半導體晶圓切割寬度

中清航科注重與科研機構的合作創新，與國內多所高校共建半導體切割技術聯合實驗室。圍繞晶圓切割的前沿技術開展研究，如原子層切割、超高頻激光切割等，已申請發明專利50余項，其中“一種基于飛秒激光的晶圓超精細切割方法”獲得國家發明專利金獎，推動行業技術進步。晶圓切割設備的軟件系統是其智能化的中心，中清航科自主開發了切割控制軟件，具備友好的人機交互界面與強大的功能。支持多種格式的晶圓版圖文件導入，可自動生成切割路徑，同時提供離線編程功能，可在不影響設備運行的情況下完成新程序的編制與模擬，提高設備利用率。徐州半導體晶圓切割寬度