真空氣氛爐在量子點發光二極管（QLED）材料制備中的應用：QLED 材料對制備環境的潔凈度與溫度控制要求苛刻，真空氣氛爐提供專業解決方案。在合成量子點材料時，將有機配體、金屬前驅體置于反應釜內，放入爐中抽至 10?? Pa 真空，排除氧氣與水汽。通過程序控制升溫速率，在 150 - 300℃溫度區間進行熱注射反應，精確控制量子點的尺寸與發光波長。爐內的手套箱集成系統可實現物料轉移、封裝等操作全程在惰性氣氛保護下進行，避免量子點氧化與團聚。經該工藝制備的量子點，熒光量子產率達到 90%，半峰寬小于 25 nm，應用于 QLED 器件后，顯示屏的色域覆蓋率提升至 157% NTSC，明顯改善顯示效果。電子元器件的高溫處理，真空氣氛爐保障元件性能。河北大型真空氣氛爐

真空氣氛爐在文物青銅器保護修復中的應用：青銅器文物因長期埋藏易受腐蝕，真空氣氛爐可用于制備保護性涂層。將除銹后的青銅器置于爐內，采用化學氣相沉積（CVD）工藝，通入六甲基二硅氮烷（HMDS）氣體，在 500℃高溫和 10?3 Pa 真空環境下，氣體分解并在青銅器表面沉積形成致密的硅氮化合物涂層。通過控制氣體流量和沉積時間，可精確調節涂層厚度在 0.5 - 2μm 之間。該涂層能有效隔絕氧氣和水汽，經鹽霧測試，處理后的青銅器腐蝕速率降低 90%。同時，爐內配備的顯微觀察系統可實時監測涂層生長過程，確保涂層均勻覆蓋，為青銅器文物的長期保存提供了科學有效的保護手段。大型真空氣氛爐性能真空氣氛爐的維護需使用非腐蝕性清潔劑擦拭表面。

真空氣氛爐在鈣鈦礦太陽能電池材料制備中的應用：鈣鈦礦太陽能電池材料對制備環境極為敏感，真空氣氛爐為此提供了準確可控的工藝條件。在制備鈣鈦礦前驅體薄膜時，將配置好的溶液旋涂在基底上后，立即放入爐內。爐內先抽至 10?3 Pa 的真空度排除空氣和水汽，隨后通入高純氮氣與微量甲胺氣體的混合氣氛。通過程序控制升溫速率，以 0.5℃/min 的速度從室溫升至 100℃，使溶劑緩慢揮發；再快速升溫至 150℃，促使鈣鈦礦晶體快速結晶。在此過程中，利用石英晶體微天平實時監測薄膜生長厚度，結合光譜儀分析晶體結構變化。經該工藝制備的鈣鈦礦薄膜，晶粒尺寸均勻，晶界缺陷減少，電池光電轉換效率可達 25%，較傳統制備方法提升 3 個百分點。

真空氣氛爐的脈沖等離子體表面處理技術：脈沖等離子體表面處理技術可明顯改善材料表面性能。在真空氣氛爐內，通過脈沖電源激發氣體產生等離子體，利用等離子體中的高能粒子轟擊材料表面。在對鈦合金進行表面硬化處理時，通入氬氣和氮氣混合氣體，在 10?2 Pa 氣壓下，以 100Hz 的脈沖頻率產生等離子體。等離子體中的氮離子與鈦原子反應，在材料表面形成氮化鈦（TiN）硬質涂層，涂層硬度可達 HV2800，相比未處理的鈦合金表面硬度提升 4 倍。該技術還能有效去除材料表面的油污和氧化物，提高表面活性，在后續的鍍膜或粘接工藝中，結合強度提高 30%，廣泛應用于航空航天、醫療器械等領域。真空氣氛爐在材料科學中用于納米顆粒燒結，控制晶粒形貌。

真空氣氛爐在核退役工程放射性金屬去污處理中的應用：核退役工程中放射性金屬的去污處理難度大，真空氣氛爐采用真空蒸餾與高溫熔鹽洗滌結合的工藝。將放射性污染金屬置于爐內坩堝，抽真空至 10?? Pa 后升溫至金屬沸點以下，使易揮發放射性核素（如銫 - 137）蒸餾分離；隨后加入高溫熔鹽（如硝酸鈉 - 硝酸鉀混合鹽），在 500 - 700℃下洗滌金屬表面，溶解吸附的放射性物質。通過連續蒸餾和熔鹽循環，可使金屬表面放射性活度降低至清潔解控水平。處理后的金屬經檢測，放射性殘留量低于 1 Bq/g，實現放射性金屬的安全再利用或處置，降低核退役工程成本和環境風險。真空氣氛爐的維護需定期更換真空密封件，防止泄漏。大型真空氣氛爐性能

真空氣氛爐在冶金實驗室中用于合金鋼退火處理。河北大型真空氣氛爐

真空氣氛爐的多物理場耦合仿真與工藝預研平臺：多物理場耦合仿真平臺基于有限元分析技術，模擬真空氣氛爐內的熱傳導、流體流動、電磁效應等多物理場交互。在研發新型材料的熱處理工藝前，輸入材料物性參數、爐體結構與工藝條件，平臺可仿真預測溫度分布、應力變化與組織轉變。在鈦合金的真空時效處理仿真中，發現傳統工藝會在工件內部產生局部應力集中，通過調整溫度曲線與裝爐方式，優化后的工藝使工件殘余應力降低 70%，變形量控制在 0.05 mm 以內。該平臺減少 80% 的物理實驗次數，縮短研發周期，降低試錯成本，為新材料、新工藝的開發提供高效的虛擬驗證手段。河北大型真空氣氛爐