國瑞熱控刻蝕工藝加熱盤，專為半導(dǎo)體刻蝕環(huán)節(jié)的精細(xì)溫控設(shè)計(jì)，有效解決刻蝕速率不均與圖形失真問題。產(chǎn)品采用藍(lán)寶石覆層與鋁合金基體復(fù)合結(jié)構(gòu)，表面經(jīng)拋光處理至鏡面效果，減少刻蝕副產(chǎn)物粘附，且耐受等離子體轟擊無損傷。加熱盤與靜電卡盤協(xié)同適配，通過底部導(dǎo)熱紋路優(yōu)化，使熱量快速傳導(dǎo)至晶圓背面，溫度響應(yīng)時(shí)間縮短至 10 秒以內(nèi)。支持溫度階梯式調(diào)節(jié)功能，可根據(jù)刻蝕深度需求設(shè)定多段溫度曲線，適配硅刻蝕、金屬刻蝕等不同工藝場景。設(shè)備整體符合半導(dǎo)體潔凈車間 Class 1 標(biāo)準(zhǔn)，拆卸維護(hù)無需特殊工具，大幅降低生產(chǎn)線停機(jī)時(shí)間。高效電熱轉(zhuǎn)換效率，降低運(yùn)營成本，實(shí)現(xiàn)綠色生產(chǎn)目標(biāo)。浙江刻蝕晶圓加熱盤非標(biāo)定制

針對(duì) 12 英寸及以上大尺寸晶圓的制造需求，國瑞熱控大尺寸半導(dǎo)體加熱盤以創(chuàng)新結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)高效溫控。產(chǎn)品采用多模塊拼接式結(jié)構(gòu)，單模塊加熱面積可達(dá) 1500cm2，通過標(biāo)準(zhǔn)化接口可靈活組合成更大尺寸加熱系統(tǒng)，適配不同產(chǎn)能的生產(chǎn)線需求。每個(gè)模塊配備**溫控單元，通過**控制系統(tǒng)協(xié)同工作，確保整個(gè)加熱面溫度均勻性控制在 ±1.5℃以內(nèi)。采用輕量化**度基材，在保證結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性的同時(shí)降低設(shè)備重量，便于安裝與維護(hù)。表面經(jīng)精密加工確保平整度，與大尺寸晶圓完美貼合，減少熱傳導(dǎo)損耗，為先進(jìn)制程中大規(guī)模晶圓的均勻加熱提供可靠解決方案。甘肅加熱盤供應(yīng)商創(chuàng)新熱傳導(dǎo)技術(shù)，熱量集中不散失，有效降低能源消耗成本。

電控晶圓加熱盤：半導(dǎo)體工藝的準(zhǔn)確溫控重點(diǎn)。無錫國瑞熱控的電控晶圓加熱盤，以創(chuàng)新結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)解釋半導(dǎo)體制造的溫控難題。其底盤內(nèi)置螺旋狀發(fā)熱電纜與均溫膜，通過熱量傳導(dǎo)路徑優(yōu)化，使加熱面均溫性達(dá)到行業(yè)高標(biāo)準(zhǔn)，確保晶圓表面溫度分布均勻，為光刻膠涂布等關(guān)鍵工藝提供穩(wěn)定環(huán)境。搭配高精度溫度傳感器與限溫開關(guān)，溫度波動(dòng)可控制在極小范圍，適配 6 英寸至 12 英寸不同規(guī)格晶圓需求。設(shè)備采用卡接組件連接上盤與底盤，通過轉(zhuǎn)盤驅(qū)動(dòng)齒輪結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)快速拆裝，大幅降低檢修維護(hù)的停機(jī)時(shí)間，完美契合半導(dǎo)體量產(chǎn)線的高效運(yùn)維需求。

借鑒晶圓鍵合工藝的技術(shù)需求，國瑞熱控鍵合**加熱盤創(chuàng)新采用真空吸附與彈簧壓塊復(fù)合結(jié)構(gòu)，通過彈簧壓力限制加熱平臺(tái)受熱膨脹，高溫下表面平整度誤差控制在 0.02mm 以內(nèi)。加熱盤主體采用因瓦合金與氮化鋁復(fù)合基材，兼具低熱膨脹系數(shù)與高導(dǎo)熱性，溫度均勻性達(dá) ±1.5℃，適配室溫至 450℃的鍵合溫度需求。底部設(shè)計(jì)雙層隔熱結(jié)構(gòu)，***層阻隔熱量向下傳導(dǎo)，第二層快速散熱避免設(shè)備腔體溫升過高。配備精細(xì)壓力控制模塊，可根據(jù)鍵合類型調(diào)整吸附力，在硅 - 硅直接鍵合、金屬鍵合等工藝中確保界面貼合緊密，提升鍵合良率。多重安全保護(hù)設(shè)計(jì)，漏電過載超溫防護(hù)，構(gòu)建安全工作環(huán)境。

國瑞熱控針對(duì)氮化鎵外延生長工藝，開發(fā)**加熱盤適配 MOCVD 設(shè)備需求。采用高純石墨基材表面噴涂氮化鋁涂層，在 1200℃高溫下熱膨脹系數(shù)與藍(lán)寶石襯底匹配，避免襯底開裂風(fēng)險(xiǎn)，熱導(dǎo)率達(dá) 150W/mK，確保熱量均勻傳遞至襯底表面。內(nèi)部設(shè)計(jì) 8 組**加熱模塊，通過 PID 精密控制實(shí)現(xiàn) ±0.5℃的控溫精度，精細(xì)匹配氮化鎵外延層生長的溫度窗口（1050℃-1150℃）。設(shè)備配備惰性氣體導(dǎo)流通道，減少反應(yīng)氣體湍流導(dǎo)致的薄膜缺陷，與中微公司 MOCVD 設(shè)備聯(lián)合調(diào)試，使外延層厚度均勻性誤差控制在 3% 以內(nèi)，為 5G 射頻器件、電力電子器件量產(chǎn)提供**溫控支持。多重安全保護(hù)設(shè)計(jì)，漏電過載超溫防護(hù)，安全可靠。連云港刻蝕晶圓加熱盤廠家

精密實(shí)驗(yàn)理想熱源，控溫精度高熱分布均勻，確保實(shí)驗(yàn)結(jié)果準(zhǔn)確可靠。浙江刻蝕晶圓加熱盤非標(biāo)定制

國瑞熱控快速退火**加熱盤以高頻響應(yīng)特性適配 RTP 工藝需求，采用紅外輻射與電阻加熱復(fù)合技術(shù)，升溫速率突破 50℃/ 秒，可在數(shù)秒內(nèi)將晶圓加熱至 1000℃以上。加熱盤選用低熱慣性的氮化鋁陶瓷材質(zhì)，搭配多組**溫控模塊，通過 PID 閉環(huán)控制實(shí)現(xiàn)溫度快速調(diào)節(jié)，降溫速率達(dá) 30℃/ 秒，有效減少熱預(yù)算對(duì)晶圓性能的影響。表面噴涂抗熱震涂層，可承受反復(fù)快速升降溫循環(huán)而無開裂風(fēng)險(xiǎn)，使用壽命超 20000 次循環(huán)。設(shè)備集成溫度實(shí)時(shí)監(jiān)測系統(tǒng)，與應(yīng)用材料 Centura、東京電子 Trias 等主流爐管設(shè)備兼容，為先進(jìn)制程中的離子***、缺陷修復(fù)工藝提供可靠支持。浙江刻蝕晶圓加熱盤非標(biāo)定制

無錫市國瑞熱控科技有限公司是一家有著先進(jìn)的發(fā)展理念，先進(jìn)的管理經(jīng)驗(yàn)，在發(fā)展過程中不斷完善自己，要求自己，不斷創(chuàng)新，時(shí)刻準(zhǔn)備著迎接更多挑戰(zhàn)的活力公司，在江蘇省等地區(qū)的電工電氣中匯聚了大量的人脈以及**，在業(yè)界也收獲了很多良好的評(píng)價(jià)，這些都源自于自身的努力和大家共同進(jìn)步的結(jié)果，這些評(píng)價(jià)對(duì)我們而言是比較好的前進(jìn)動(dòng)力，也促使我們?cè)谝院蟮牡缆飞媳３謯^發(fā)圖強(qiáng)、一往無前的進(jìn)取創(chuàng)新精神，努力把公司發(fā)展戰(zhàn)略推向一個(gè)新高度，在全體員工共同努力之下，全力拼搏將共同無錫市國瑞熱控科技供應(yīng)和您一起攜手走向更好的未來，創(chuàng)造更有價(jià)值的產(chǎn)品，我們將以更好的狀態(tài)，更認(rèn)真的態(tài)度，更飽滿的精力去創(chuàng)造，去拼搏，去努力，讓我們一起更好更快的成長！