針對原子層沉積工藝對溫度的嚴苛要求,國瑞熱控 ALD **加熱盤采用多分區溫控設計,通過仿真優化加熱絲布局,確保表面溫度分布均勻性符合精密制程標準。設備溫度調節范圍覆蓋室溫至 600℃,升溫速率可達 25℃/ 分鐘,搭配鉑電阻傳感器實現 ±0.1℃的控溫精度,滿足 ALD 工藝中前驅體吸附與反應的溫度窗口需求。采用氮化鋁陶瓷基底與密封結構,在真空環境下無揮發性物質釋放,且能抵御反應腔體內腐蝕性氣體侵蝕。適配 8 英寸至 12 英寸晶圓規格,通過標準化接口與拓荊、中微等廠商的 ALD 設備無縫兼容,為原子層沉積的高保形性薄膜制備提供保障。精密溫控系統加持,溫度波動范圍小,為科研實驗提供可靠熱源保障。江蘇加熱盤

針對車載半導體高可靠性需求,國瑞熱控測試加熱盤適配 AEC-Q100 標準。采用**級鋁合金基材,通過 - 55℃至 150℃高低溫循環測試 5000 次無變形,加熱面平整度誤差小于 0.03mm。溫度調節范圍覆蓋 - 40℃至 200℃,升降溫速率達 30℃/ 分鐘,可模擬車載芯片在極端環境下的工作狀態。配備 100 組可編程溫度曲線,支持持續 1000 小時老化測試,與比亞迪半導體、英飛凌等企業適配,通過溫度沖擊、濕熱循環等可靠性驗證,為新能源汽車電控系統提供質量保障。重慶刻蝕晶圓加熱盤定制密封式設計可選,防潮防塵耐腐蝕,適用復雜環境。

針對等離子體刻蝕環境的特殊性,國瑞熱控配套加熱盤采用藍寶石覆層與氮化鋁基底的復合結構,表面硬度達莫氏 9 級,可耐受等離子體長期轟擊而無材料脫落。加熱盤內部嵌入鉬制加熱絲,經后嵌工藝固定,避免高溫下電極氧化影響加熱性能,工作溫度范圍覆蓋室溫至 500℃,控溫精度 ±1℃。底部設計環形冷卻通道,與加熱元件形成熱平衡調節系統,快速響應刻蝕過程中的溫度波動。設備采用全密封結構,電氣強度達 2000V/1min,在氟基、氯基刻蝕氣體環境中絕緣性能穩定,適配中微半導體刻蝕機等主流設備,為圖形轉移工藝提供可靠溫控。
針對 12 英寸及以上大尺寸晶圓的制造需求,國瑞熱控大尺寸半導體加熱盤以創新結構設計實現高效溫控。產品采用多模塊拼接式結構,單模塊加熱面積可達 1500cm2,通過標準化接口可靈活組合成更大尺寸加熱系統,適配不同產能的生產線需求。每個模塊配備**溫控單元,通過**控制系統協同工作,確保整個加熱面溫度均勻性控制在 ±1.5℃以內。采用輕量化**度基材,在保證結構穩定性的同時降低設備重量,便于安裝與維護。表面經精密加工確保平整度,與大尺寸晶圓完美貼合,減少熱傳導損耗,為先進制程中大規模晶圓的均勻加熱提供可靠解決方案。研發團隊持續探索,新材料新工藝,效能不斷提升。

國瑞熱控建立半導體加熱盤全生命周期服務體系,為客戶提供從選型咨詢到報廢回收的全流程支持。售前提供工藝適配咨詢,結合客戶制程需求推薦合適型號或定制方案;售中提供安裝調試指導,確保加熱盤與設備精細對接,且提供操作培訓服務;售后提供7×24小時技術支持,設備故障響應時間不超過2小時,維修周期控制在5個工作日以內,同時提供定期巡檢服務(每季度1次),提前排查潛在問題。此外,針對報廢加熱盤提供環保回收服務,對可回收材質(如不銹鋼、鋁合金)進行分類處理,符合國家環保標準。該服務體系已覆蓋國內30余省市的半導體企業,累計服務客戶超200家,以專業服務保障客戶生產線穩定運行,構建長期合作共贏關系。高效穩定耐用三大優勢,廣泛應用于塑料封裝材料合成等領域。江蘇加熱盤
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國瑞熱控半導體測試用加熱盤,專為芯片性能測試環節的溫度環境模擬設計,可精細復現芯片工作時的溫度條件。設備溫度調節范圍覆蓋 - 40℃至 150℃,支持快速升溫和降溫,速率分別達 25℃/ 分鐘和 20℃/ 分鐘,能模擬不同工況下的溫度變化。加熱盤表面采用柔性導熱墊層,適配不同厚度的測試芯片,確保熱量均勻傳遞至芯片表面,溫度控制精度達 ±0.5℃。配備可編程溫度控制系統,可預設多段溫度曲線,滿足長時間穩定性測試需求。設備運行時無電磁場干擾,避免對測試數據產生影響,同時具備過溫、過流雙重保護功能,為半導體芯片的性能驗證與質量檢測提供專業溫度環境。江蘇加熱盤
無錫市國瑞熱控科技有限公司是一家有著先進的發展理念,先進的管理經驗,在發展過程中不斷完善自己,要求自己,不斷創新,時刻準備著迎接更多挑戰的活力公司,在江蘇省等地區的電工電氣中匯聚了大量的人脈以及**,在業界也收獲了很多良好的評價,這些都源自于自身的努力和大家共同進步的結果,這些評價對我們而言是比較好的前進動力,也促使我們在以后的道路上保持奮發圖強、一往無前的進取創新精神,努力把公司發展戰略推向一個新高度,在全體員工共同努力之下,全力拼搏將共同無錫市國瑞熱控科技供應和您一起攜手走向更好的未來,創造更有價值的產品,我們將以更好的狀態,更認真的態度,更飽滿的精力去創造,去拼搏,去努力,讓我們一起更好更快的成長!