國瑞熱控 8 英寸半導(dǎo)體加熱盤聚焦成熟制程需求，以高性價比與穩(wěn)定性能成為中低端芯片制造的推薦。采用鋁合金基體經(jīng)陽極氧化處理，表面平整度誤差小于 0.03mm，加熱面溫度均勻性控制在 ±2℃以內(nèi)，滿足 65nm 至 90nm 制程的溫度要求。內(nèi)部采用螺旋狀鎳鉻加熱絲，熱效率達 85% 以上，升溫速率 15℃/ 分鐘，工作溫度上限 450℃，適配 CVD、PVD 等常規(guī)工藝。設(shè)備配備標(biāo)準(zhǔn)真空吸附接口與溫控信號端口，可直接替換 ULVAC、Evatec 等國際品牌同規(guī)格產(chǎn)品，安裝無需調(diào)整現(xiàn)有生產(chǎn)線布局。通過 1000 小時高溫老化測試，故障率低于 0.1%，為功率器件、傳感器等成熟制程芯片制造提供穩(wěn)定支持。研發(fā)團隊持續(xù)探索，新材料新工藝，效能不斷提升。松江區(qū)晶圓鍵合加熱盤非標(biāo)定制

借鑒空間站 “雙波長激光加熱” 原理，國瑞熱控開發(fā)半導(dǎo)體激光加熱盤，適配極端高溫材料制備。采用氮化鋁陶瓷基體嵌入激光吸收層，表面可承受 3000℃以上局部高溫，配合半導(dǎo)體激光與二氧化碳激光協(xié)同加熱，實現(xiàn) “表面強攻 + 內(nèi)部滲透” 的加熱效果。加熱區(qū)域直徑可在 10mm-200mm 間調(diào)節(jié)，溫度響應(yīng)時間小于 1 秒，控溫精度 ±1℃，支持脈沖式加熱模式。設(shè)備配備紅外測溫與激光功率閉環(huán)控制系統(tǒng)，在鎢合金、鈮合金等耐熱材料研發(fā)中應(yīng)用，為航空航天等**領(lǐng)域提供極端環(huán)境模擬工具。浦東新區(qū)半導(dǎo)體加熱盤定制均勻熱場分布，避免局部過熱，保護敏感樣品工藝質(zhì)量。

國瑞熱控12英寸半導(dǎo)體加熱盤專為先進制程量產(chǎn)需求設(shè)計，采用氮化鋁陶瓷與高純銅復(fù)合基材，通過多道精密研磨工藝，使加熱面平面度誤差控制在0.015mm以內(nèi)，完美貼合大尺寸晶圓的均勻受熱需求！內(nèi)部采用分區(qū)式加熱元件布局，劃分8個**溫控區(qū)域，配合高精度鉑電阻傳感器，實現(xiàn)±0.8℃的控溫精度，滿足7nm至14nm制程對溫度均勻性的嚴(yán)苛要求！設(shè)備支持真空吸附與靜電卡盤雙重固定方式，適配不同類型的反應(yīng)腔結(jié)構(gòu)，升溫速率達20℃/分鐘，工作溫度范圍覆蓋室溫至600℃，可兼容PVD、CVD、刻蝕等多道關(guān)鍵工藝！通過與中芯國際、長江存儲等企業(yè)的深度合作，已實現(xiàn)與國產(chǎn)12英寸晶圓生產(chǎn)線的無縫對接，為先進制程規(guī)模化生產(chǎn)提供穩(wěn)定溫控支撐！

國瑞熱控薄膜沉積**加熱盤以精細(xì)溫控助力半導(dǎo)體涂層質(zhì)量提升，采用鋁合金基體與陶瓷覆層復(fù)合結(jié)構(gòu)，表面粗糙度Ra控制在0.08μm以內(nèi)，減少薄膜沉積過程中的界面缺陷！加熱元件采用螺旋狀分布設(shè)計，配合均溫層優(yōu)化，使加熱面溫度均勻性達±0.5℃，確保薄膜厚度偏差小于5%！設(shè)備支持溫度階梯式調(diào)節(jié)功能，可根據(jù)沉積材料特性設(shè)定多段溫度曲線，適配氧化硅、氮化硅等不同薄膜的生長需求！工作溫度范圍覆蓋100℃至500℃，升溫速率12℃/分鐘，且具備快速冷卻通道，縮短工藝間隔時間！通過與拓荊科技、北方華創(chuàng)等設(shè)備廠商的聯(lián)合調(diào)試，已實現(xiàn)與國產(chǎn)薄膜沉積設(shè)備的完美適配，為半導(dǎo)體器件的絕緣層、鈍化層制備提供穩(wěn)定加熱環(huán)境！模塊化設(shè)計理念，維護更換簡單快捷，大幅降低運維成本。

針對等離子體刻蝕環(huán)境的特殊性，國瑞熱控配套加熱盤采用藍寶石覆層與氮化鋁基底的復(fù)合結(jié)構(gòu)，表面硬度達莫氏 9 級，可耐受等離子體長期轟擊而無材料脫落。加熱盤內(nèi)部嵌入鉬制加熱絲，經(jīng)后嵌工藝固定，避免高溫下電極氧化影響加熱性能，工作溫度范圍覆蓋室溫至 500℃，控溫精度 ±1℃。底部設(shè)計環(huán)形冷卻通道，與加熱元件形成熱平衡調(diào)節(jié)系統(tǒng)，快速響應(yīng)刻蝕過程中的溫度波動。設(shè)備采用全密封結(jié)構(gòu)，電氣強度達 2000V/1min，在氟基、氯基刻蝕氣體環(huán)境中絕緣性能穩(wěn)定，適配中微半導(dǎo)體刻蝕機等主流設(shè)備，為圖形轉(zhuǎn)移工藝提供可靠溫控。多種規(guī)格尺寸可選，支持個性化定制，滿足不同行業(yè)的特殊應(yīng)用需求。無錫陶瓷加熱盤廠家

表面噴涂特殊涂層，防腐防氧化，延長設(shè)備使用壽命。松江區(qū)晶圓鍵合加熱盤非標(biāo)定制

國瑞熱控 12 英寸半導(dǎo)體加熱盤專為先進制程量產(chǎn)需求設(shè)計，采用氮化鋁陶瓷與高純銅復(fù)合基材，通過多道精密研磨工藝，使加熱面平面度誤差控制在 0.015mm 以內(nèi)，完美貼合大尺寸晶圓的均勻受熱需求。內(nèi)部采用分區(qū)式加熱元件布局，劃分 8 個**溫控區(qū)域，配合高精度鉑電阻傳感器，實現(xiàn) ±0.8℃的控溫精度，滿足 7nm 至 14nm 制程對溫度均勻性的嚴(yán)苛要求。設(shè)備支持真空吸附與靜電卡盤雙重固定方式，適配不同類型的反應(yīng)腔結(jié)構(gòu)，升溫速率達 20℃/ 分鐘，工作溫度范圍覆蓋室溫至 600℃，可兼容 PVD、CVD、刻蝕等多道關(guān)鍵工藝。通過與中芯國際、長江存儲等企業(yè)的深度合作，已實現(xiàn)與國產(chǎn) 12 英寸晶圓生產(chǎn)線的無縫對接，為先進制程規(guī)?；a(chǎn)提供穩(wěn)定溫控支撐。松江區(qū)晶圓鍵合加熱盤非標(biāo)定制

無錫市國瑞熱控科技有限公司是一家有著先進的發(fā)展理念，先進的管理經(jīng)驗，在發(fā)展過程中不斷完善自己，要求自己，不斷創(chuàng)新，時刻準(zhǔn)備著迎接更多挑戰(zhàn)的活力公司，在江蘇省等地區(qū)的電工電氣中匯聚了大量的人脈以及**，在業(yè)界也收獲了很多良好的評價，這些都源自于自身的努力和大家共同進步的結(jié)果，這些評價對我們而言是比較好的前進動力，也促使我們在以后的道路上保持奮發(fā)圖強、一往無前的進取創(chuàng)新精神，努力把公司發(fā)展戰(zhàn)略推向一個新高度，在全體員工共同努力之下，全力拼搏將共同無錫市國瑞熱控科技供應(yīng)和您一起攜手走向更好的未來，創(chuàng)造更有價值的產(chǎn)品，我們將以更好的狀態(tài)，更認(rèn)真的態(tài)度，更飽滿的精力去創(chuàng)造，去拼搏，去努力，讓我們一起更好更快的成長！