面向柔性半導體基板（如聚酰亞胺基板）加工需求，國瑞熱控**加熱盤以柔性貼合設計適配彎曲基板。采用薄型不銹鋼加熱片（厚度 0.2mm）與硅膠導熱層復合結構，可隨柔性基板彎曲（彎曲半徑**小 5mm）而無結構損壞，加熱面溫度均勻性達 ±1.5℃，溫度調節范圍 50℃-250℃，適配柔性基板鍍膜、光刻膠烘烤等工藝。配備真空吸附槽道，可牢固固定柔性基板，避免加熱過程中褶皺導致的工藝缺陷。與維信諾、柔宇科技等柔性顯示廠商合作，支持柔性 OLED 驅動芯片的制程加工，為柔性電子設備的輕量化、可彎曲特性提供制程保障。嚴格老化測試性能檢驗，確保產品零缺陷，品質有保障。徐州涂膠顯影加熱盤非標定制

借鑒晶圓鍵合工藝的技術需求，國瑞熱控鍵合**加熱盤創新采用真空吸附與彈簧壓塊復合結構，通過彈簧壓力限制加熱平臺受熱膨脹，高溫下表面平整度誤差控制在 0.02mm 以內。加熱盤主體采用因瓦合金與氮化鋁復合基材，兼具低熱膨脹系數與高導熱性，溫度均勻性達 ±1.5℃，適配室溫至 450℃的鍵合溫度需求。底部設計雙層隔熱結構，***層阻隔熱量向下傳導，第二層快速散熱避免設備腔體溫升過高。配備精細壓力控制模塊，可根據鍵合類型調整吸附力，在硅 - 硅直接鍵合、金屬鍵合等工藝中確保界面貼合緊密，提升鍵合良率。甘肅晶圓加熱盤精確穩定溫度環境，提升產品良率，助力降本增效。

國瑞熱控開發加熱盤智能診斷系統，通過多維度數據監測實現故障預判！系統集成溫度波動分析、絕緣性能檢測、功率曲線對比三大模塊，可識別加熱元件老化、密封失效等12類常見故障，提**0天發出預警！采用邊緣計算芯片實時處理數據，延遲小于100ms，通過以太網上傳至云平臺，支持手機端遠程查看設備狀態！配備故障診斷數據庫，已積累1000+設備運行案例，診斷準確率達95%以上！適配國瑞全系列加熱盤，與半導體工廠MES系統兼容，使設備維護從“事后修理”轉為“事前預判”，減少非計劃停機時間！

國瑞熱控刻蝕工藝加熱盤，專為半導體刻蝕環節的精細溫控設計，有效解決刻蝕速率不均與圖形失真問題。產品采用藍寶石覆層與鋁合金基體復合結構，表面經拋光處理至鏡面效果，減少刻蝕副產物粘附，且耐受等離子體轟擊無損傷。加熱盤與靜電卡盤協同適配，通過底部導熱紋路優化，使熱量快速傳導至晶圓背面，溫度響應時間縮短至 10 秒以內。支持溫度階梯式調節功能，可根據刻蝕深度需求設定多段溫度曲線，適配硅刻蝕、金屬刻蝕等不同工藝場景。設備整體符合半導體潔凈車間 Class 1 標準，拆卸維護無需特殊工具，大幅降低生產線停機時間。多重安全保護設計，漏電過載超溫防護，安全可靠。

國瑞熱控 12 英寸半導體加熱盤專為先進制程量產需求設計，采用氮化鋁陶瓷與高純銅復合基材，通過多道精密研磨工藝，使加熱面平面度誤差控制在 0.015mm 以內，完美貼合大尺寸晶圓的均勻受熱需求。內部采用分區式加熱元件布局，劃分 8 個**溫控區域，配合高精度鉑電阻傳感器，實現 ±0.8℃的控溫精度，滿足 7nm 至 14nm 制程對溫度均勻性的嚴苛要求。設備支持真空吸附與靜電卡盤雙重固定方式，適配不同類型的反應腔結構，升溫速率達 20℃/ 分鐘，工作溫度范圍覆蓋室溫至 600℃，可兼容 PVD、CVD、刻蝕等多道關鍵工藝。通過與中芯國際、長江存儲等企業的深度合作，已實現與國產 12 英寸晶圓生產線的無縫對接，為先進制程規模化生產提供穩定溫控支撐。寬泛工作溫度范圍，滿足低溫烘烤到高溫燒結不同需求。無錫晶圓加熱盤

結構緊湊安裝便捷，多重安全保護，使用安心無顧慮。徐州涂膠顯影加熱盤非標定制

針對半導體晶圓研磨后的應力釋放需求，國瑞熱控**加熱盤以溫和溫控助力晶圓性能穩定。采用鋁合金基體與柔性導熱墊層復合結構，導熱墊層硬度 Shore A 30，可貼合研磨后晶圓表面微小凹凸，確保熱量均勻傳遞。溫度調節范圍 30℃-150℃，控溫精度 ±0.8℃，支持階梯式升溫（每階段升溫 5℃-10℃，保溫 10-30 分鐘），緩慢釋放晶圓內部機械應力。配備氮氣保護系統，避免加熱過程中晶圓表面氧化，且加熱盤表面粗糙度 Ra 小于 0.05μm，無顆粒劃傷晶圓風險。與硅產業集團、中環股份等晶圓廠商合作，使研磨后晶圓翹曲度降低 20% 以上，提升后續光刻、刻蝕工藝的良率。徐州涂膠顯影加熱盤非標定制

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