針對(duì)12英寸及以上大尺寸晶圓的制造需求，國(guó)瑞熱控大尺寸半導(dǎo)體加熱盤以創(chuàng)新結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)高效溫控！產(chǎn)品采用多模塊拼接式結(jié)構(gòu)，單模塊加熱面積可達(dá)1500cm2，通過標(biāo)準(zhǔn)化接口可靈活組合成更大尺寸加熱系統(tǒng)，適配不同產(chǎn)能的生產(chǎn)線需求！每個(gè)模塊配備**溫控單元，通過**控制系統(tǒng)協(xié)同工作，確保整個(gè)加熱面溫度均勻性控制在±1.5℃以內(nèi)！采用輕量化**度基材，在保證結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性的同時(shí)降低設(shè)備重量，便于安裝與維護(hù)！表面經(jīng)精密加工確保平整度，與大尺寸晶圓完美貼合，減少熱傳導(dǎo)損耗，為先進(jìn)制程中大規(guī)模晶圓的均勻加熱提供可靠解決方案！獨(dú)特加熱元件設(shè)計(jì)，熱效率大幅提升，節(jié)能環(huán)保同時(shí)保證長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。嘉定區(qū)半導(dǎo)體晶圓加熱盤定制

針對(duì)半導(dǎo)體濕法工藝中溶液溫度控制需求，國(guó)瑞熱控濕法**加熱盤采用耐腐蝕不銹鋼材質(zhì)，經(jīng)電解拋光與鈍化處理，可耐受酸堿溶液長(zhǎng)期浸泡無腐蝕。加熱盤內(nèi)置密封式加熱元件，與溶液完全隔離，避免漏電風(fēng)險(xiǎn)，同時(shí)具備 1500V/1min 的電氣強(qiáng)度，使用安全可靠。通過底部加熱與側(cè)面保溫設(shè)計(jì)，使溶液溫度均勻性控制在 ±1℃以內(nèi)，溫度調(diào)節(jié)范圍覆蓋 25℃至 100℃，滿足濕法刻蝕、清洗等工藝的溫度要求。配備高精度溫度傳感器，實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)溶液溫度，當(dāng)溫度超出設(shè)定范圍時(shí)自動(dòng)啟動(dòng)加熱或冷卻調(diào)節(jié)，確保化學(xué)反應(yīng)平穩(wěn)進(jìn)行。設(shè)備適配不同規(guī)格的濕法工藝槽體，可根據(jù)槽體尺寸定制加熱盤形狀與功率，為半導(dǎo)體濕法工藝的穩(wěn)定性與重復(fù)性提供保障。陜西半導(dǎo)體加熱盤生產(chǎn)廠家多重安全保護(hù)機(jī)制，過溫過載自動(dòng)防護(hù)，讓您使用更安心放心。

國(guó)瑞熱控針對(duì)離子注入后雜質(zhì)***工藝，開發(fā)**加熱盤適配快速熱退火需求！采用氮化鋁陶瓷基材，熱導(dǎo)率達(dá)200W/mK，熱慣性小，升溫速率達(dá)60℃/秒，可在幾秒內(nèi)將晶圓加熱至1000℃，且降溫速率達(dá)40℃/秒，減少熱預(yù)算對(duì)晶圓的影響！加熱面采用激光打孔工藝制作微小散熱孔，配合背面惰性氣體冷卻，實(shí)現(xiàn)晶圓正反面溫度均勻（溫差小于2℃）！配備紅外高溫計(jì)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)晶圓表面溫度，測(cè)溫精度±2℃，通過PID控制確保溫度穩(wěn)定，適配硼、磷等不同雜質(zhì)的***溫度需求（600℃-1100℃）！與應(yīng)用材料離子注入機(jī)適配，使雜質(zhì)***率提升至95%以上，為半導(dǎo)體器件的電學(xué)性能調(diào)控提供關(guān)鍵支持！

國(guó)瑞熱控刻蝕工藝加熱盤，專為半導(dǎo)體刻蝕環(huán)節(jié)的精細(xì)溫控設(shè)計(jì)，有效解決刻蝕速率不均與圖形失真問題！產(chǎn)品采用藍(lán)寶石覆層與鋁合金基體復(fù)合結(jié)構(gòu)，表面經(jīng)拋光處理至鏡面效果，減少刻蝕副產(chǎn)物粘附，且耐受等離子體轟擊無損傷！加熱盤與靜電卡盤協(xié)同適配，通過底部導(dǎo)熱紋路優(yōu)化，使熱量快速傳導(dǎo)至晶圓背面，溫度響應(yīng)時(shí)間縮短至10秒以內(nèi)！支持溫度階梯式調(diào)節(jié)功能，可根據(jù)刻蝕深度需求設(shè)定多段溫度曲線，適配硅刻蝕、金屬刻蝕等不同工藝場(chǎng)景！設(shè)備整體符合半導(dǎo)體潔凈車間Class1標(biāo)準(zhǔn)，拆卸維護(hù)無需特殊工具，大幅降低生產(chǎn)線停機(jī)時(shí)間！工作溫度范圍寬泛，滿足低溫烘烤至高溫?zé)Y(jié)需求。

面向半導(dǎo)體新材料研發(fā)場(chǎng)景，國(guó)瑞熱控高溫加熱盤以寬溫域與高穩(wěn)定性成為科研工具！采用石墨與碳化硅復(fù)合基材，工作溫度范圍覆蓋500℃-2000℃，可通過程序設(shè)定實(shí)現(xiàn)階梯式升溫，升溫速率調(diào)節(jié)范圍0.1-10℃/分鐘！加熱面配備24組測(cè)溫點(diǎn)，實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)溫度分布，數(shù)據(jù)采樣頻率達(dá)10Hz，支持與實(shí)驗(yàn)室數(shù)據(jù)系統(tǒng)對(duì)接！設(shè)備體積緊湊（直徑30cm），重量*5kg，配備小型真空腔體與惰性氣體接口，適配薄膜沉積、晶體生長(zhǎng)等多種實(shí)驗(yàn)需求，已服務(wù)于中科院半導(dǎo)體所等科研機(jī)構(gòu)！嚴(yán)格質(zhì)量管理體系，ISO認(rèn)證工廠生產(chǎn)，品質(zhì)有保障。徐州半導(dǎo)體加熱盤生產(chǎn)廠家

完善技術(shù)文檔提供，安裝指導(dǎo)詳細(xì)清晰，助您快速上手使用。嘉定區(qū)半導(dǎo)體晶圓加熱盤定制

國(guó)瑞熱控推出加熱盤節(jié)能改造方案，針對(duì)存量設(shè)備能耗高問題提供系統(tǒng)升級(jí)！采用石墨烯導(dǎo)熱涂層技術(shù)提升熱傳導(dǎo)效率，配合智能溫控算法優(yōu)化加熱功率輸出，使單臺(tái)設(shè)備能耗降低20%以上！改造內(nèi)容包括加熱元件更換、隔熱層升級(jí)與控制系統(tǒng)迭代，保留原有設(shè)備主體結(jié)構(gòu)，改造成本*為新設(shè)備的40%！升級(jí)后的加熱盤溫度響應(yīng)速度提升30%，溫度波動(dòng)控制在±1℃以內(nèi)，符合半導(dǎo)體行業(yè)節(jié)能標(biāo)準(zhǔn)！已為華虹半導(dǎo)體等企業(yè)完成200余臺(tái)設(shè)備改造，年節(jié)約電費(fèi)超百萬元，助力半導(dǎo)體工廠實(shí)現(xiàn)綠色生產(chǎn)轉(zhuǎn)型！嘉定區(qū)半導(dǎo)體晶圓加熱盤定制

無錫市國(guó)瑞熱控科技有限公司是一家有著先進(jìn)的發(fā)展理念，先進(jìn)的管理經(jīng)驗(yàn)，在發(fā)展過程中不斷完善自己，要求自己，不斷創(chuàng)新，時(shí)刻準(zhǔn)備著迎接更多挑戰(zhàn)的活力公司，在江蘇省等地區(qū)的電工電氣中匯聚了大量的人脈以及**，在業(yè)界也收獲了很多良好的評(píng)價(jià)，這些都源自于自身的努力和大家共同進(jìn)步的結(jié)果，這些評(píng)價(jià)對(duì)我們而言是比較好的前進(jìn)動(dòng)力，也促使我們?cè)谝院蟮牡缆飞媳３謯^發(fā)圖強(qiáng)、一往無前的進(jìn)取創(chuàng)新精神，努力把公司發(fā)展戰(zhàn)略推向一個(gè)新高度，在全體員工共同努力之下，全力拼搏將共同無錫市國(guó)瑞熱控科技供應(yīng)和您一起攜手走向更好的未來，創(chuàng)造更有價(jià)值的產(chǎn)品，我們將以更好的狀態(tài)，更認(rèn)真的態(tài)度，更飽滿的精力去創(chuàng)造，去拼搏，去努力，讓我們一起更好更快的成長(zhǎng)！