針對晶圓清洗后的烘干環節，國瑞熱控**加熱盤以潔凈高效的特性適配嚴苛需求！產品采用高純不銹鋼基材，表面經電解拋光與鈍化處理，粗糙度Ra小于0.2μm，減少水分子附著與雜質殘留！加熱面采用蜂窩狀導熱結構，使熱量均勻分布，晶圓表面溫度差控制在±2℃以內，避免因局部過熱導致的晶圓翹曲！溫度調節范圍覆蓋50℃至150℃，支持階梯式升溫程序，適配不同清洗液的烘干需求！設備整體采用無死角結構設計，清潔時*需用高純酒精擦拭即可，符合半導體制造的高潔凈標準，為清洗后晶圓的干燥質量與后續工藝銜接提供保障！個性化定制服務，根據工藝需求特殊設計，完美匹配應用。中國澳門半導體晶圓加熱盤非標定制

針對等離子體刻蝕環境的特殊性，國瑞熱控配套加熱盤采用藍寶石覆層與氮化鋁基底的復合結構，表面硬度達莫氏9級，可耐受等離子體長期轟擊而無材料脫落！加熱盤內部嵌入鉬制加熱絲，經后嵌工藝固定，避免高溫下電極氧化影響加熱性能，工作溫度范圍覆蓋室溫至500℃，控溫精度±1℃！底部設計環形冷卻通道，與加熱元件形成熱平衡調節系統，快速響應刻蝕過程中的溫度波動！設備采用全密封結構，電氣強度達2000V/1min，在氟基、氯基刻蝕氣體環境中絕緣性能穩定，適配中微半導體刻蝕機等主流設備，為圖形轉移工藝提供可靠溫控！山西晶圓加熱盤定制表面硬度強化處理，耐磨耐刮擦，保持長期美觀實用。

國瑞熱控光刻膠烘烤加熱盤以微米級溫控精度支撐光刻工藝，采用鋁合金基體與陶瓷覆層復合結構，表面粗糙度Ra小于0.1μm，減少光刻膠涂布缺陷！加熱面劃分6個**溫控區域，通過仿真優化的加熱元件布局，使溫度均勻性達±0.5℃，避免烘烤過程中因溫度差異導致的光刻膠膜厚不均！溫度調節范圍覆蓋60℃至150℃，升溫速率10℃/分鐘，搭配無接觸紅外測溫系統，實時監測晶圓表面溫度并動態調節！設備兼容6英寸至12英寸光刻機配套需求，與ASML、尼康等設備的制程參數匹配，為光刻膠的軟烘、堅膜等關鍵步驟提供穩定溫控環境！

在半導體離子注入工藝中，國瑞熱控配套加熱盤以穩定溫控助力摻雜濃度精細控制！其采用耐高溫合金基材，經真空退火處理消除內部應力，可在400℃高溫下長期穩定運行而不變形！加熱盤表面噴涂絕緣耐離子轟擊涂層，避免電荷積累對注入精度的干擾，同時具備優良的導熱性能，能快速將晶圓預熱至設定溫度并保持恒定！設備配備雙路溫度監測系統，分別監控加熱元件與晶圓表面溫度，當出現偏差時自動啟動調節機制，溫度控制精度達±1℃！適配不同型號離子注入機，通過標準化接口實現快速安裝，為半導體摻雜工藝的穩定性與重復性提供有力支持！多重安全保護設計，漏電過載超溫防護，構建安全工作環境。

國瑞熱控針對硒化銦等二維半導體材料制備需求，開發**加熱盤適配“固-液-固”相變生長工藝！采用高純不銹鋼基體加工密封腔體，內置銦原子蒸發溫控模塊，可精細控制銦蒸汽分壓，確保硒與銦原子比穩定在1:1！加熱面溫度均勻性控制在±0.5℃，升溫速率可低至0.5℃/分鐘，為非晶薄膜向高質量晶體轉化提供穩定熱環境！設備支持5厘米直徑晶圓級制備，配合惰性氣體保護系統，避免材料氧化，與北京大學等科研團隊合作驗證，助力高性能晶體管陣列構建，其電學性能指標可達3納米硅基芯片的3倍！精確穩定溫度環境，提升產品質量一致性，是關鍵工藝保障。甘肅涂膠顯影加熱盤非標定制

結構緊湊安裝便捷，多重安全保護，使用安心無顧慮。中國澳門半導體晶圓加熱盤非標定制

面向先進封裝Chiplet技術需求，國瑞熱控**加熱盤以高精度溫控支撐芯片互聯工藝！采用鋁合金與陶瓷復合基材，加熱面平面度誤差小于0.02mm，確保多芯片堆疊時受熱均勻！內部采用微米級加熱絲布線，實現1mm×1mm精細溫控分區，溫度調節范圍覆蓋室溫至300℃，控溫精度±0.3℃，適配混合鍵合、倒裝焊等工藝環節！配備壓力與溫度協同控制系統，在鍵合過程中同步調節溫度與壓力參數，減少界面缺陷！與長電科技、通富微電等企業適配，支持2.5D/3D封裝架構，為AI服務器等高算力場景提供高密度集成解決方案！中國澳門半導體晶圓加熱盤非標定制

無錫市國瑞熱控科技有限公司是一家有著雄厚實力背景、信譽可靠、勵精圖治、展望未來、有夢想有目標，有組織有體系的公司，堅持于帶領員工在未來的道路上大放光明，攜手共畫藍圖，在江蘇省等地區的電工電氣行業中積累了大批忠誠的客戶粉絲源，也收獲了良好的用戶口碑，為公司的發展奠定的良好的行業基礎，也希望未來公司能成為*****，努力為行業領域的發展奉獻出自己的一份力量，我們相信精益求精的工作態度和不斷的完善創新理念以及自強不息，斗志昂揚的的企業精神將**無錫市國瑞熱控科技供應和您一起攜手步入輝煌，共創佳績，一直以來，公司貫徹執行科學管理、創新發展、誠實守信的方針，員工精誠努力，協同奮取，以品質、服務來贏得市場，我們一直在路上！