針對12英寸及以上大尺寸晶圓的制造需求，國瑞熱控大尺寸半導體加熱盤以創新結構設計實現高效溫控！產品采用多模塊拼接式結構，單模塊加熱面積可達1500cm2，通過標準化接口可靈活組合成更大尺寸加熱系統，適配不同產能的生產線需求！每個模塊配備**溫控單元，通過**控制系統協同工作，確保整個加熱面溫度均勻性控制在±1.5℃以內！采用輕量化**度基材，在保證結構穩定性的同時降低設備重量，便于安裝與維護！表面經精密加工確保平整度，與大尺寸晶圓完美貼合，減少熱傳導損耗，為先進制程中大規模晶圓的均勻加熱提供可靠解決方案！專業研發團隊支持，持續創新改進，產品性能不斷提升。寶山區陶瓷加熱盤非標定制

為解決加熱盤長期使用后的溫度漂移問題，國瑞熱控開發**校準模塊，成為半導體生產線的精度保障利器！模塊采用鉑電阻與熱電偶雙傳感設計，測溫精度達±0.05℃，可覆蓋室溫至800℃全溫度范圍，適配不同材質加熱盤的校準需求！配備便攜式數據采集終端，支持實時顯示溫度分布曲線與偏差分析，數據可通過USB導出形成校準報告！校準過程無需拆卸加熱盤，通過磁吸式貼合加熱面即可完成檢測，單臺設備校準時間縮短至30分鐘以內！適配國瑞全系列半導體加熱盤，同時兼容Kyocera、CoorsTek等國際品牌產品，幫助企業建立完善的溫度校準體系，確保工藝參數的一致性與可追溯性！中國香港加熱盤電熱轉換效率高，降低運營成本，實現綠色生產。

國瑞熱控快速退火**加熱盤以高頻響應特性適配RTP工藝需求，采用紅外輻射與電阻加熱復合技術，升溫速率突破50℃/秒，可在數秒內將晶圓加熱至1000℃以上！加熱盤選用低熱慣性的氮化鋁陶瓷材質，搭配多組**溫控模塊，通過PID閉環控制實現溫度快速調節，降溫速率達30℃/秒，有效減少熱預算對晶圓性能的影響！表面噴涂抗熱震涂層，可承受反復快速升降溫循環而無開裂風險，使用壽命超20000次循環！設備集成溫度實時監測系統，與應用材料Centura、東京電子Trias等主流爐管設備兼容，為先進制程中的離子***、缺陷修復工藝提供可靠支持！

面向半導體實驗室研發場景，國瑞熱控小型加熱盤以高精度與靈活性成為科研得力助手！產品尺寸可定制至10cm×10cm，適配小規格晶圓與實驗樣本的加熱需求，溫度調節范圍覆蓋室溫至500℃，**小調節精度達1℃！采用陶瓷加熱元件與鉑電阻傳感器組合，控溫穩定性達±0.5℃，滿足材料研發中對溫度參數的精細控制！設備支持USB數據導出功能，可實時記錄溫度變化曲線，便于實驗數據追溯與分析！整體采用便攜式設計，重量*1.5kg，且具備過熱保護功能，當溫度超過設定閾值時自動斷電，為半導體新材料研發、工藝參數優化等實驗工作提供可靠溫控工具！遠程監控功能可選，實時掌握設備狀態，智能便捷管理。

借鑒晶圓鍵合工藝的技術需求，國瑞熱控鍵合**加熱盤創新采用真空吸附與彈簧壓塊復合結構，通過彈簧壓力限制加熱平臺受熱膨脹，高溫下表面平整度誤差控制在0.02mm以內！加熱盤主體采用因瓦合金與氮化鋁復合基材，兼具低熱膨脹系數與高導熱性，溫度均勻性達±1.5℃，適配室溫至450℃的鍵合溫度需求！底部設計雙層隔熱結構，***層阻隔熱量向下傳導，第二層快速散熱避免設備腔體溫升過高！配備精細壓力控制模塊，可根據鍵合類型調整吸附力，在硅-硅直接鍵合、金屬鍵合等工藝中確保界面貼合緊密，提升鍵合良率！多重安全保護設計，漏電過載超溫防護，安全可靠。楊浦區晶圓鍵合加熱盤生產廠家

工作溫度范圍寬泛，滿足低溫烘烤至高溫燒結需求。寶山區陶瓷加熱盤非標定制

針對半導體退火工藝中對溫度穩定性的高要求，國瑞熱控退火**加熱盤采用紅外加熱與電阻加熱協同技術，實現均勻且快速的溫度傳遞！加熱盤主體選用低熱慣性的氮化硅陶瓷材質，熱導率達30W/mK，可在30秒內將晶圓溫度提升至900℃，且降溫過程平穩可控，避免因溫度驟變導致的晶圓晶格損傷！表面噴涂耐高溫抗氧化涂層，在長期高溫退火環境下無物質揮發，符合半導體潔凈生產標準！配備多組溫度監測點，實時反饋晶圓不同區域溫度數據，通過PID閉環控制系統動態調整加熱功率，確保溫度波動小于±1℃！適配離子注入后的退火、金屬硅化物形成等工藝環節，與應用材料、東京電子等主流退火設備兼容，為半導體器件性能優化提供關鍵溫控保障！寶山區陶瓷加熱盤非標定制

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