國(guó)瑞熱控氮化鋁陶瓷加熱盤(pán)以99.5%高純氮化鋁為基材，通過(guò)干壓成型與1800℃高溫?zé)Y(jié)工藝制成，完美適配半導(dǎo)體高溫工藝需求！其熱導(dǎo)率可達(dá)220W/mK，熱膨脹系數(shù)*4.03×10??/℃，與硅晶圓熱特性高度匹配，有效避免高溫下因熱應(yīng)力導(dǎo)致的晶圓翹曲！內(nèi)部嵌入鎢制加熱元件，經(jīng)共燒工藝實(shí)現(xiàn)緊密結(jié)合，加熱面溫度均勻性控制在±1℃以內(nèi)，工作溫度上限提升至800℃，遠(yuǎn)超傳統(tǒng)鋁合金加熱盤(pán)的450℃極限！表面經(jīng)精密研磨拋光處理，平面度誤差小于0.01mm，可耐受等離子體長(zhǎng)期轟擊無(wú)損傷，在晶圓退火、氧化等高溫工藝中表現(xiàn)穩(wěn)定，為國(guó)產(chǎn)替代提供高性能材質(zhì)解決方案！精確穩(wěn)定溫度環(huán)境，提升產(chǎn)品良率，助力降本增效。吉林高精度均溫加熱盤(pán)非標(biāo)定制

為解決加熱盤(pán)長(zhǎng)期使用后的溫度漂移問(wèn)題，國(guó)瑞熱控開(kāi)發(fā)**校準(zhǔn)模塊，成為半導(dǎo)體生產(chǎn)線的精度保障利器！模塊采用鉑電阻與熱電偶雙傳感設(shè)計(jì)，測(cè)溫精度達(dá)±0.05℃，可覆蓋室溫至800℃全溫度范圍，適配不同材質(zhì)加熱盤(pán)的校準(zhǔn)需求！配備便攜式數(shù)據(jù)采集終端，支持實(shí)時(shí)顯示溫度分布曲線與偏差分析，數(shù)據(jù)可通過(guò)USB導(dǎo)出形成校準(zhǔn)報(bào)告！校準(zhǔn)過(guò)程無(wú)需拆卸加熱盤(pán)，通過(guò)磁吸式貼合加熱面即可完成檢測(cè)，單臺(tái)設(shè)備校準(zhǔn)時(shí)間縮短至30分鐘以內(nèi)！適配國(guó)瑞全系列半導(dǎo)體加熱盤(pán)，同時(shí)兼容Kyocera、CoorsTek等國(guó)際品牌產(chǎn)品，幫助企業(yè)建立完善的溫度校準(zhǔn)體系，確保工藝參數(shù)的一致性與可追溯性！連云港高精度均溫加熱盤(pán)供應(yīng)商精益求精每個(gè)環(huán)節(jié)，溫度一致響應(yīng)快，性能優(yōu)異。

國(guó)瑞熱控封裝測(cè)試**加熱盤(pán)聚焦半導(dǎo)體后道工藝需求，采用輕量化鋁合金材質(zhì)，通過(guò)精密加工確保加熱面平整度誤差小于0.05mm，適配不同尺寸封裝器件的測(cè)試需求！加熱元件采用片狀分布設(shè)計(jì)，熱響應(yīng)速度快，可在5分鐘內(nèi)將測(cè)試溫度穩(wěn)定在-40℃至150℃之間，滿足高低溫循環(huán)測(cè)試、老化測(cè)試等場(chǎng)景要求！表面采用防粘涂層處理，減少測(cè)試過(guò)程中污染物附著，且易于清潔維護(hù)！配備可編程溫控系統(tǒng)，支持自定義測(cè)試溫度曲線，可存儲(chǔ)100組以上測(cè)試參數(shù)，方便不同型號(hào)器件的測(cè)試切換！與長(zhǎng)電科技、通富微電等封裝測(cè)試企業(yè)合作，適配其自動(dòng)化測(cè)試生產(chǎn)線，為半導(dǎo)體器件可靠性驗(yàn)證提供精細(xì)溫度環(huán)境，助力提升產(chǎn)品良率！

針對(duì)半導(dǎo)體晶圓研磨后的應(yīng)力釋放需求，國(guó)瑞熱控**加熱盤(pán)以溫和溫控助力晶圓性能穩(wěn)定！采用鋁合金基體與柔性導(dǎo)熱墊層復(fù)合結(jié)構(gòu)，導(dǎo)熱墊層硬度ShoreA30，可貼合研磨后晶圓表面微小凹凸，確保熱量均勻傳遞！溫度調(diào)節(jié)范圍30℃-150℃，控溫精度±0.8℃，支持階梯式升溫（每階段升溫5℃-10℃，保溫10-30分鐘），緩慢釋放晶圓內(nèi)部機(jī)械應(yīng)力！配備氮?dú)獗Ｗo(hù)系統(tǒng)，避免加熱過(guò)程中晶圓表面氧化，且加熱盤(pán)表面粗糙度Ra小于0.05μm，無(wú)顆粒劃傷晶圓風(fēng)險(xiǎn)！與硅產(chǎn)業(yè)集團(tuán)、中環(huán)股份等晶圓廠商合作，使研磨后晶圓翹曲度降低20%以上，提升后續(xù)光刻、刻蝕工藝的良率！細(xì)節(jié)處精心設(shè)計(jì)，接口布線密封優(yōu)良，性能穩(wěn)定持久。

國(guó)瑞熱控針對(duì)硒化銦等二維半導(dǎo)體材料制備需求，開(kāi)發(fā)**加熱盤(pán)適配“固-液-固”相變生長(zhǎng)工藝！采用高純不銹鋼基體加工密封腔體，內(nèi)置銦原子蒸發(fā)溫控模塊，可精細(xì)控制銦蒸汽分壓，確保硒與銦原子比穩(wěn)定在1:1！加熱面溫度均勻性控制在±0.5℃，升溫速率可低至0.5℃/分鐘，為非晶薄膜向高質(zhì)量晶體轉(zhuǎn)化提供穩(wěn)定熱環(huán)境！設(shè)備支持5厘米直徑晶圓級(jí)制備，配合惰性氣體保護(hù)系統(tǒng)，避免材料氧化，與北京大學(xué)等科研團(tuán)隊(duì)合作驗(yàn)證，助力高性能晶體管陣列構(gòu)建，其電學(xué)性能指標(biāo)可達(dá)3納米硅基芯片的3倍！多重安全保護(hù)機(jī)制，過(guò)溫過(guò)載自動(dòng)防護(hù)，讓您使用更安心放心。湖南晶圓級(jí)陶瓷加熱盤(pán)

密封式設(shè)計(jì)防潮防塵耐腐蝕，適用于復(fù)雜環(huán)境特殊氣氛。吉林高精度均溫加熱盤(pán)非標(biāo)定制

國(guó)瑞熱控針對(duì)離子注入后雜質(zhì)***工藝，開(kāi)發(fā)**加熱盤(pán)適配快速熱退火需求！采用氮化鋁陶瓷基材，熱導(dǎo)率達(dá)200W/mK，熱慣性小，升溫速率達(dá)60℃/秒，可在幾秒內(nèi)將晶圓加熱至1000℃，且降溫速率達(dá)40℃/秒，減少熱預(yù)算對(duì)晶圓的影響！加熱面采用激光打孔工藝制作微小散熱孔，配合背面惰性氣體冷卻，實(shí)現(xiàn)晶圓正反面溫度均勻（溫差小于2℃）！配備紅外高溫計(jì)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)晶圓表面溫度，測(cè)溫精度±2℃，通過(guò)PID控制確保溫度穩(wěn)定，適配硼、磷等不同雜質(zhì)的***溫度需求（600℃-1100℃）！與應(yīng)用材料離子注入機(jī)適配，使雜質(zhì)***率提升至95%以上，為半導(dǎo)體器件的電學(xué)性能調(diào)控提供關(guān)鍵支持！吉林高精度均溫加熱盤(pán)非標(biāo)定制

無(wú)錫市國(guó)瑞熱控科技有限公司匯集了大量的優(yōu)秀人才，集企業(yè)奇思，創(chuàng)經(jīng)濟(jì)奇跡，一群有夢(mèng)想有朝氣的團(tuán)隊(duì)不斷在前進(jìn)的道路上開(kāi)創(chuàng)新天地，繪畫(huà)新藍(lán)圖，在江蘇省等地區(qū)的電工電氣中始終保持良好的信譽(yù)，信奉著“爭(zhēng)取每一個(gè)客戶不容易，失去每一個(gè)用戶很簡(jiǎn)單”的理念，市場(chǎng)是企業(yè)的方向，質(zhì)量是企業(yè)的生命，在公司有效方針的領(lǐng)導(dǎo)下，全體上下，團(tuán)結(jié)一致，共同進(jìn)退，**協(xié)力把各方面工作做得更好，努力開(kāi)創(chuàng)工作的新局面，公司的新高度，未來(lái)無(wú)錫市國(guó)瑞熱控科技供應(yīng)和您一起奔向更美好的未來(lái)，即使現(xiàn)在有一點(diǎn)小小的成績(jī)，也不足以驕傲，過(guò)去的種種都已成為昨日我們只有總結(jié)經(jīng)驗(yàn)，才能繼續(xù)上路，讓我們一起點(diǎn)燃新的希望，放飛新的夢(mèng)想！