國瑞熱控半導體測試用加熱盤，專為芯片性能測試環節的溫度環境模擬設計，可精細復現芯片工作時的溫度條件！設備溫度調節范圍覆蓋-40℃至150℃，支持快速升溫和降溫，速率分別達25℃/分鐘和20℃/分鐘，能模擬不同工況下的溫度變化！加熱盤表面采用柔性導熱墊層，適配不同厚度的測試芯片，確保熱量均勻傳遞至芯片表面，溫度控制精度達±0.5℃！配備可編程溫度控制系統，可預設多段溫度曲線，滿足長時間穩定性測試需求！設備運行時無電磁場干擾，避免對測試數據產生影響，同時具備過溫、過流雙重保護功能，為半導體芯片的性能驗證與質量檢測提供專業溫度環境！高效穩定耐用三大優勢，國瑞加熱盤經得起時間考驗。上海陶瓷加熱盤供應商

針對12英寸及以上大尺寸晶圓的制造需求，國瑞熱控大尺寸半導體加熱盤以創新結構設計實現高效溫控！產品采用多模塊拼接式結構，單模塊加熱面積可達1500cm2，通過標準化接口可靈活組合成更大尺寸加熱系統，適配不同產能的生產線需求！每個模塊配備**溫控單元，通過**控制系統協同工作，確保整個加熱面溫度均勻性控制在±1.5℃以內！采用輕量化**度基材，在保證結構穩定性的同時降低設備重量，便于安裝與維護！表面經精密加工確保平整度，與大尺寸晶圓完美貼合，減少熱傳導損耗，為先進制程中大規模晶圓的均勻加熱提供可靠解決方案！湖南涂膠顯影加熱盤非標定制模塊化設計，便于維護更換，減少停機提升產能。

國瑞熱控針對半導體量子點制備需求，開發**加熱盤適配膠體化學合成工藝！采用聚四氟乙烯密封腔體與不銹鋼加熱基體復合結構，耐有機溶劑腐蝕，且無金屬離子溶出污染量子點溶液！內置高精度溫度傳感器，測溫精度達±0.1℃，溫度調節范圍25℃-300℃，支持0.1℃/分鐘的慢速升溫，為量子點成核、生長提供精細熱環境！配備磁力攪拌協同系統，使溶液溫度與攪拌速率同步可控，確保量子點尺寸均一性（粒徑偏差小于5%）！與中科院化學所等科研團隊合作，成功制備CdSe、PbS等多種量子點，其熒光量子產率達80%以上，為量子點顯示、生物成像等領域提供**制備設備！

國瑞熱控快速退火**加熱盤以高頻響應特性適配RTP工藝需求，采用紅外輻射與電阻加熱復合技術，升溫速率突破50℃/秒，可在數秒內將晶圓加熱至1000℃以上！加熱盤選用低熱慣性的氮化鋁陶瓷材質，搭配多組**溫控模塊，通過PID閉環控制實現溫度快速調節，降溫速率達30℃/秒，有效減少熱預算對晶圓性能的影響！表面噴涂抗熱震涂層，可承受反復快速升降溫循環而無開裂風險，使用壽命超20000次循環！設備集成溫度實時監測系統，與應用材料Centura、東京電子Trias等主流爐管設備兼容，為先進制程中的離子***、缺陷修復工藝提供可靠支持！高效穩定耐用三大優勢，廣泛應用于塑料封裝材料合成等領域。

面向深紫外光刻工藝對晶圓預處理的需求，國瑞熱控配套加熱盤以微米級溫控助力圖形精度提升！采用鋁合金基體與石英玻璃復合結構，加熱面平面度誤差小于0.01mm，確保晶圓與光刻掩膜緊密貼合！通過紅外加熱與接觸式導熱協同技術，升溫速率達15℃/分鐘，溫度調節范圍60℃-120℃，控溫精度±0.3℃，適配光刻膠軟烘、堅膜等預處理環節！表面經防反射涂層處理，減少深紫外光反射干擾，且具備快速冷卻功能，從120℃降至室溫*需8分鐘，縮短工藝間隔！與上海微電子光刻機適配，使光刻圖形線寬偏差控制在5nm以內，滿足90nm至28nm制程的精密圖形定義需求！嚴格老化測試檢驗，確保產品零缺陷，品質保證。常州晶圓鍵合加熱盤定制

適用半導體、醫療、科研等多個領域，是您理想的加熱解決方案。上海陶瓷加熱盤供應商

國瑞熱控推出加熱盤節能改造方案，針對存量設備能耗高問題提供系統升級！采用石墨烯導熱涂層技術提升熱傳導效率，配合智能溫控算法優化加熱功率輸出，使單臺設備能耗降低20%以上！改造內容包括加熱元件更換、隔熱層升級與控制系統迭代，保留原有設備主體結構，改造成本*為新設備的40%！升級后的加熱盤溫度響應速度提升30%，溫度波動控制在±1℃以內，符合半導體行業節能標準！已為華虹半導體等企業完成200余臺設備改造，年節約電費超百萬元，助力半導體工廠實現綠色生產轉型！上海陶瓷加熱盤供應商

無錫市國瑞熱控科技有限公司匯集了大量的優秀人才，集企業奇思，創經濟奇跡，一群有夢想有朝氣的團隊不斷在前進的道路上開創新天地，繪畫新藍圖，在江蘇省等地區的電工電氣中始終保持良好的信譽，信奉著“爭取每一個客戶不容易，失去每一個用戶很簡單”的理念，市場是企業的方向，質量是企業的生命，在公司有效方針的領導下，全體上下，團結一致，共同進退，**協力把各方面工作做得更好，努力開創工作的新局面，公司的新高度，未來無錫市國瑞熱控科技供應和您一起奔向更美好的未來，即使現在有一點小小的成績，也不足以驕傲，過去的種種都已成為昨日我們只有總結經驗，才能繼續上路，讓我們一起點燃新的希望，放飛新的夢想！