面向柔性半導體基板（如聚酰亞胺基板）加工需求，國瑞熱控**加熱盤以柔性貼合設計適配彎曲基板！采用薄型不銹鋼加熱片（厚度0.2mm）與硅膠導熱層復合結構，可隨柔性基板彎曲（彎曲半徑**小5mm）而無結構損壞，加熱面溫度均勻性達±1.5℃，溫度調節范圍50℃-250℃，適配柔性基板鍍膜、光刻膠烘烤等工藝！配備真空吸附槽道，可牢固固定柔性基板，避免加熱過程中褶皺導致的工藝缺陷！與維信諾、柔宇科技等柔性顯示廠商合作，支持柔性OLED驅動芯片的制程加工，為柔性電子設備的輕量化、可彎曲特性提供制程保障！多種安裝方式可選，靈活適配不同設備，安裝簡便快捷。重慶加熱盤非標定制

面向半導體熱壓鍵合工藝，國瑞熱控**加熱盤以溫度與壓力協同控制提升鍵合質量！采用陶瓷加熱芯與銅合金散熱基體復合結構，加熱面平面度誤差小于0.005mm，確保鍵合區域壓力均勻傳遞！溫度調節范圍室溫至400℃，升溫速率達40℃/秒，可快速達到鍵合溫度并保持穩定（溫度波動±0.5℃），適配金-金、銅-銅等不同金屬鍵合工藝！配備壓力傳感器與位移監測模塊，實時反饋鍵合過程中的壓力變化與芯片位移，通過閉環控制實現壓力（0.1-10MPa）與溫度的精細匹配！與ASM太平洋鍵合設備適配，使鍵合界面電阻降低至5mΩ以下，為高可靠性芯片互聯提供保障！陜西陶瓷加熱盤定制深厚熱控經驗積累，提供針對性選型建議，解決應用難題。

國瑞熱控氮化鋁陶瓷加熱盤以99.5%高純氮化鋁為基材，通過干壓成型與1800℃高溫燒結工藝制成，完美適配半導體高溫工藝需求！其熱導率可達220W/mK，熱膨脹系數*4.03×10??/℃，與硅晶圓熱特性高度匹配，有效避免高溫下因熱應力導致的晶圓翹曲！內部嵌入鎢制加熱元件，經共燒工藝實現緊密結合，加熱面溫度均勻性控制在±1℃以內，工作溫度上限提升至800℃，遠超傳統鋁合金加熱盤的450℃極限！表面經精密研磨拋光處理，平面度誤差小于0.01mm，可耐受等離子體長期轟擊無損傷，在晶圓退火、氧化等高溫工藝中表現穩定，為國產替代提供高性能材質解決方案！

面向半導體新材料研發場景，國瑞熱控高溫加熱盤以寬溫域與高穩定性成為科研工具！采用石墨與碳化硅復合基材，工作溫度范圍覆蓋500℃-2000℃，可通過程序設定實現階梯式升溫，升溫速率調節范圍0.1-10℃/分鐘！加熱面配備24組測溫點，實時監測溫度分布，數據采樣頻率達10Hz，支持與實驗室數據系統對接！設備體積緊湊（直徑30cm），重量*5kg，配備小型真空腔體與惰性氣體接口，適配薄膜沉積、晶體生長等多種實驗需求，已服務于中科院半導體所等科研機構！人性化操作界面，參數設置簡單明了，降低人員操作難度。

國瑞熱控半導體加熱盤**散熱系統，為設備快速降溫與溫度穩定提供有力支持！系統采用水冷與風冷復合散熱方式，水冷通道圍繞加熱盤均勻分布，配合高轉速散熱風扇，可在10分鐘內將加熱盤溫度從500℃降至室溫，大幅縮短工藝間隔時間！散熱系統配備智能溫控閥，根據加熱盤實時溫度自動調節水流量與風扇轉速，避免過度散熱導致的能耗浪費！采用耐腐蝕管路與密封件，在長期使用過程中無漏水風險，且具備壓力監測與報警功能，確保系統運行安全！適配高溫工藝后的快速降溫需求，與國瑞加熱盤協同工作，形成完整的溫度控制閉環，為半導體制造中多工藝環節的連續生產提供保障！精密溫控系統加持，溫度波動范圍小，為科研實驗提供可靠熱源保障。安徽半導體晶圓加熱盤非標定制

多重安全保護設計，漏電過載超溫防護，構建安全工作環境。重慶加熱盤非標定制

國瑞熱控清洗槽**加熱盤以全密封結構設計適配高潔凈需求，采用316L不銹鋼經電解拋光處理，表面粗糙度Ra小于0.05μm，無顆粒脫落風險！加熱元件采用氟塑料密封封裝，與清洗液完全隔離，耐受酸堿濃度達90%的腐蝕環境，電氣強度達2000V/1min！通過底部波浪形加熱面設計，使槽內溶液形成自然對流，溫度均勻性達±0.8℃，溫度調節范圍25℃-120℃！配備防干燒與泄漏檢測系統，與盛美上海等清洗設備廠商適配，符合半導體制造Class1潔凈標準，為晶圓清洗后的表面質量提供保障！重慶加熱盤非標定制

無錫市國瑞熱控科技有限公司是一家有著先進的發展理念，先進的管理經驗，在發展過程中不斷完善自己，要求自己，不斷創新，時刻準備著迎接更多挑戰的活力公司，在江蘇省等地區的電工電氣中匯聚了大量的人脈以及**，在業界也收獲了很多良好的評價，這些都源自于自身的努力和大家共同進步的結果，這些評價對我們而言是比較好的前進動力，也促使我們在以后的道路上保持奮發圖強、一往無前的進取創新精神，努力把公司發展戰略推向一個新高度，在全體員工共同努力之下，全力拼搏將共同無錫市國瑞熱控科技供應和您一起攜手走向更好的未來，創造更有價值的產品，我們將以更好的狀態，更認真的態度，更飽滿的精力去創造，去拼搏，去努力，讓我們一起更好更快的成長！