MEMS制作工藝壓電器件的常用材料：

氧化鋅是一種眾所周知的寬帶隙半導體材料（室溫下3.4 eV，晶體），它有很多應用，如透明導體，壓敏電阻，表面聲波，氣體傳感器，壓電傳感器和UV檢測器。并因為可能應用于薄膜晶體管方面正受到相當的關注。同時氧化鋅還具有相當良好的生物相容性，可降解性。E.Fortunato教授介紹了基于氧化鋅的新型薄膜晶體管所帶來的主要優勢，這些薄膜晶體管在下一代柔性電子器件中非常有前途。除此之外，還有眾多的二維材料被應用于柔性電子領域，包括石墨烯、半導體氧化物，納米金等。2014年發表在chemical review和nature nanotechnology上的兩篇經典綜述詳盡闡述了二維材料在柔性電子的應用。 MEMS的單分子免疫檢測是什么？本地MEMS微納米加工之聲表面波器件定制

MEMS繼電器與開關。其優勢是體積小（密度高，采用微工藝批量制造從而降低成本），速度快，有望取代帶部分傳統電磁式繼電器，并且可以直接與集成電路IC集成，極大地提高產品可靠性。其尺寸微小，接近于固態開關，而電路通斷采用與機械接觸（也有部分產品采用其他通斷方式），其優勢劣勢基本上介于固態開關與傳統機械開關之間。MEMS繼電器與開關一般含有一個可移動懸臂梁，主要采用靜電致動原理，當提高觸點兩端電壓時，吸引力增加，引起懸臂梁向另一個觸電移動，當移動至總行程的1/3時，開關將自動吸合（稱之為pullin現象）。pullin現象在宏觀世界同樣存在，但是通過計算可以得知所需的閾值電壓高得離譜，所以我們日常中幾乎不會看到。云南MEMS微納米加工設計MEMS的主要材料是什么？

MEMS制作工藝柔性電子的研究發展：

  在近的10年間，康奈爾大學、普林斯頓大學、哈佛大學、西北大學、劍橋大學等國際有名的大學都先后建立了柔性電子技術專門研究機構，對柔性電子的材料、器件與工藝技術進行了大量研究。柔性電子技術同樣引起了我國研究人員的高度關注與重視，在柔性電子有機材料制備、有機電子器件設計與應用等方面開展了大量的基礎研究工作，并取得了一定進展。中國科學院長春應用化學研究所、中國科學院化學研究所、中國科學技術大學、華南理工大學、清華大學、西北工業大學、西安電子科技大學、天津大學、浙江大學、武漢大學、復旦大學、南京郵電大學、上海大學等單位在有機光電（高）分子材料和器件、發光與顯示、太陽能電池、場效應管、場發射、柔性電子表征和制備、平板顯示技術、半導體器件和微圖案加工等方面進行了頗有成效的研究。近年來，華中科技大學在RFID封裝和卷到卷制造、廈門大學在靜電紡絲等方面取得了研究進展。

但是在產業化和定制加工方面，基于柔性PI的器件研究開發，深圳的民營科技走在前列。例如基于柔性PI襯底的太赫茲器件、柔性電生理電極、腦機接口柔性電極、電刺激/記錄電極、柔性PI超表面器件等等

MEMS組合慣性傳感器不是一種新的MEMS傳感器類型，而是指加速度傳感器、陀螺儀、磁傳感器等的組合，利用各種慣性傳感器的特性，立體運動的檢測。組合慣性傳感器的一個被廣為熟悉的應用領域就是慣性導航，比如飛機/導彈飛行控制、姿態控制、偏航阻尼等控制應用、以及中程導彈制導、慣性GPS導航等制導應用。

慣性傳感器分為兩大類：一類是角速率陀螺；另一類是線加速度計。角速率陀螺又分為：機械式干式﹑液浮﹑半液浮﹑氣浮角速率陀螺；撓性角速率陀螺；MEMS硅﹑石英角速率陀螺（含半球諧振角速率陀螺等）；光纖角速率陀螺；激光角速率陀螺等。線加速度計又分為：機械式線加速度計；撓性線加速度計；MEMS硅﹑石英線加速度計（含壓阻﹑壓電線加速度計）；石英撓性線加速度計等。 基于柔性PI材料的MEMS太赫茲超表面器件在military project領域和生物科技上應用非常有前景。

微機電系統是指集微型傳感器、執行器以及信號處理和控制電路、接口電路、通信和電源于一體的微型機電系統，是一個智能系統。主要由傳感器、作動器和微能源三大部分組成。微機電系統具有以下幾個基本特點，微型化、智能化、多功能、高集成度。微機電系統。它是通過系統的微型化、集成化來探索具有新原理、新功能的元件和系統微機電系統。微機電系統涉及航空航天、信息通信、生物化學、醫療、自動控制、消費電子以及兵器等應用領域。微機電系統的制造工藝主要有集成電路工藝、微米/納米制造工藝、小機械工藝和其他特種加工工種。微機電系統技術基礎主要包括設計與仿真技術、材料與加工技術、封裝與裝配技術、測量與測試技術、集成與系統技術等。全球及中國mems芯片市場有哪些？個性化MEMS微納米加工生物芯片

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MEMS制作工藝深硅刻蝕即ICP刻蝕工藝：硅等離子體刻蝕工藝的基本原理干法刻蝕是利用射頻電源使反應氣體生成反應活性高的離子和電子，對硅片進行物理轟擊及化學反應，以選擇性的去除我們需要去除的區域。被刻蝕的物質變成揮發性的氣體，經抽氣系統抽離，然后按照設計圖形要求刻蝕出我們需要實現的深度。干法刻蝕可以實現各向異性，垂直方向的刻蝕速率遠大于側向的。其原理如圖所示，生成CF基的聚合物以進行側壁掩護，以實現各向異性刻蝕刻蝕過程一般來說包含物理濺射性刻蝕和化學反應性刻蝕。對于物理濺射性刻蝕就是利用輝光放電，將氣體解離成帶正電的離子，再利用偏壓將離子加速，濺擊在被蝕刻物的表面，而將被蝕刻物質原子擊出(各向異性)。對于化學反應性刻蝕則是產生化學活性極強的原(分)子團，此原(分)子團擴散至待刻蝕物質的表面，并與待刻蝕物質反應產生揮發性的反應生成物(各向同性)，并被真空設備抽離反應腔本地MEMS微納米加工之聲表面波器件定制

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