主要由傳感器、作動器（執行器）和微能源三大部分組成，但現在其主要都是傳感器比較多。

特點：1.和半導體電路相同，使用刻蝕，光刻等微納米MEMS制造工藝，不需要組裝，調整；2.進一步的將機械可動部，電子線路，傳感器等集成到一片硅板上；3.它很少占用地方，可以在一般的機器人到不了的狹窄場所或條件惡劣的地方使用4.由于工作部件的質量小，高速動作可能；5.由于它的尺寸很小，熱膨脹等的影響小；6.它產生的力和積蓄的能量很小，本質上比較安全。 PVD磁控濺射、PECVD氣相沉積、IBE刻蝕、ICP-RIE深刻蝕是構成MEMS技術的必備工藝。采用微納米加工的MEMS微納米加工廠家電話

MEMS制作工藝-聲表面波器件SAW：

聲表面波是一種沿物體表面傳播的彈性波，它能夠在兼作傳聲介質和電聲換能材料的壓電基底材料表面進行傳播。它是聲學和電子學相結合的一門邊緣學科。由于聲表面波的傳播速度比電磁波慢十萬倍，而且在它的傳播路徑上容易取樣和進行處理。因此，用聲表面波去模擬電子學的各種功能，能使電子器件實現超小型化和多功能化。隨著微機電系統（MEMS）技術的發展進步，聲表面波研究向諸多領域進行延伸研究。上世紀90年代，已經實現了利用聲表面波驅動固體。進入二十一世紀，聲表面波SAW在微流體應用研究取得了巨大的發展。應用聲表面波器件可以實現固體驅動、液滴驅動、微加熱、微粒集聚\混合、霧化。 甘肅MEMS微納米加工售后服務微流控與金屬片電極鑲嵌工藝，解決流道與電極集成的接觸電阻問題并提升檢測穩定性。

MEMS制作工藝柔性電子出現的意義：

柔性電子技術有可能帶來一場電子技術進步，引起全世界的很多的關注并得到了迅速發展。美國《科學》雜志將有機電子技術進展列為2000年世界幾大科技成果之一，與人類基因組草圖、生物克隆技術等重大發現并列。美國科學家艾倫黑格、艾倫·馬克迪爾米德和日本科學家白川英樹由于他們在導電聚合物領域的開創性工作獲得2000年諾貝爾化學獎。

柔性電子技術是行業新興領域，它的出現不但整合電子電路、電子組件、材料、平面顯示、納米技術等領域技術外，同時橫跨半導體、封測、材料、化工、印刷電路板、顯示面板等產業，可協助傳統產業，如塑料、印刷、化工、金屬材料等產業的轉型。其在信息、能源、醫療、制造等各個領域的應用重要性日益凸顯，已成為世界多國和跨國企業競相發展的前沿技術。美國、歐盟、英國、日本等相繼制定了柔性電子發展戰略并投入大量科研經費，旨在未來的柔性電子研究和產業發展中搶占先機。

SU8微流控模具加工技術與精度控制：SU8作為負性光刻膠，廣泛應用于6英寸以下硅片、石英片的單套或套刻微流控模具加工，可實現5-500μm高度的三維結構制造。加工流程包括：基板清洗→底涂處理→SU8涂膠（轉速500-5000rpm，控制厚度1-500μm）→前烘→曝光（紫外光強度50-200mJ/cm2）→后烘→顯影（PGMEA溶液，時間1-10分鐘）。通過優化曝光劑量與顯影時間，可實現側壁垂直度＞88°，**小線寬10μm，高度誤差＜±2%。在多層套刻加工中，采用對準標記視覺識別系統（精度±1μm），確保上下層結構偏差＜5μm，適用于復雜三維流道模具制備。該模具可用于PDMS模塑成型，復制精度達95%以上，流道表面粗糙度Ra＜100nm。典型應用如細胞培養芯片模具，其微柱陣列（直徑50μm，高度200μm，間距100μm）可模擬細胞外基質環境，促進干細胞定向分化，細胞黏附率提升40%。公司具備從模具設計、加工到復制成型的全鏈條能力，支持SU8與硅、玻璃等多種基板的復合加工，為微流控芯片開發者提供了高精度、高性價比的模具解決方案。磁傳感器和MEMS磁傳感器有什么區別？

MEA柔性電極：MEMS工藝開發的MEA（微電極陣列）柔性電極，是腦機接口（BCI）與類***電生理研究的**技術載體。該電極采用超薄柔性基底材料（如聚酰亞胺或PDMS），厚度可精細控制在10-50微米范圍內，表面通過光刻與金屬沉積工藝集成高密度“觸凸”式微電極陣列。在腦機接口領域，柔性電極通過微創手術植入大腦皮層，用于癲癇病灶的精細定位與閉環電刺激***。在類***研究中，電極陣列與腦類***共培養系統結合，可長期監測神經元網絡的自發電活動與突觸可塑性變化，為阿爾茨海默病藥物篩選提供高分辨率電生理數據。此外，公司開發的“仿生褶皺結構”柔性電極，通過力學匹配設計進一步降低植入后的機械應力，延長器件使用壽命至少5年以上。高壓 SOI 工藝實現芯片內高壓驅動與低壓控制集成，耐壓超 200V 并降低寄生電容 40%。甘肅MEMS微納米加工設計規范

熱壓印技術支持 PMMA/COC 等材料微結構快速成型，較注塑工藝縮短工期并降低成本。采用微納米加工的MEMS微納米加工廠家電話

超聲影像芯片的全集成MEMS設計與性能突破：針對超聲PZT換能器及CMUT/PMUT新型傳感器的收發需求，公司開發了**SoC超聲收發芯片，采用0.18mm高壓SOI工藝實現發射與開關復用，大幅節省芯片面積的同時提升性能。在發射端，通過MEMS高壓驅動電路設計，實現±100V峰值輸出電壓與1A持續輸出電流，較TI同類產品提升30%，滿足深部組織成像的能量需求；接收端集成12位ADC，采樣率可達100Msps，信噪比（SNR）達73.5dB，有效提升弱信號檢測能力。芯片采用多層金屬布線與硅通孔（TSV）技術，實現3D堆疊集成，封裝尺寸較傳統方案縮小40%。在二次諧波抑制方面，通過優化版圖布局與寄生參數補償，將5MHz信號的二次諧波降至-40dBc，優于行業基準-45dBc，***提升圖像分辨率。目前TX芯片已完成流片，與掌上超聲企業合作開發便攜式超聲設備，可實現腹部、心血管等部位的實時成像，探頭尺寸*30mm×20mm，重量＜50g，推動超聲診斷設備向小型化、智能化邁進，助力基層醫療場景普及。采用微納米加工的MEMS微納米加工廠家電話