高壓SOI工藝在MEMS芯片中的應用創新：高壓SOI（絕緣體上硅）工藝是制備高耐壓、低功耗MEMS芯片的**技術，公司在0.18μm節點實現了發射與開關電路的集成創新。通過SOI襯底的埋氧層（厚度1μm）隔離高壓器件與低壓控制電路，耐壓能力達200V以上，漏電流＜1nA，適用于神經電刺激、超聲驅動等高壓場景。在神經電子芯片中，高壓SOI工藝實現了128通道**驅動，每通道輸出脈沖寬度1-1000μs可調，幅度0-100V可控，脈沖邊沿抖動＜5ns，確保精細的神經信號調制。與傳統體硅工藝相比，SOI芯片的寄生電容降低40%，功耗節省30%，芯片面積縮小50%。公司優化了SOI晶圓的鍵合與減薄工藝，將襯底厚度控制在100μm以下，支持芯片的柔性化封裝。該技術突破了高壓器件與低壓電路的集成瓶頸，推動MEMS芯片向高集成度、高可靠性方向發展，在植入式醫療設備、工業控制傳感器等領域具有廣闊應用前景。PDMS 金屬流道加工技術可在柔性流道內沉積金屬鍍層，實現電化學檢測與流體控制一體化。安徽MEMS微納米加工是什么

MEMS制作工藝柔性電子的常用材料：

碳納米管（CNT）由于其高的本征載流子遷移率，導電性和機械靈活性而成為用于柔性電子學的有前途的材料，既作為場效應晶體管（FET）中的溝道材料又作為透明電極。管狀碳基納米結構可以被設想成石墨烯卷成一個無縫的圓柱體，它們獨特的性質使其成為理想的候選材料。因為它們具有高的固有載流子遷移率和電導率，機械靈活性以及低成本生產的潛力。另一方面，薄膜基碳納米管設備為實現商業化提供了一條實用途徑。 海南MEMS微納米加工技術指導以PI為特色的柔性電子在太赫茲超表面器件上的應用很廣。

MEMS制作工藝-聲表面波器件SAW：

聲表面波是一種沿物體表面傳播的彈性波，它能夠在兼作傳聲介質和電聲換能材料的壓電基底材料表面進行傳播。它是聲學和電子學相結合的一門邊緣學科。由于聲表面波的傳播速度比電磁波慢十萬倍，而且在它的傳播路徑上容易取樣和進行處理。因此，用聲表面波去模擬電子學的各種功能，能使電子器件實現超小型化和多功能化。隨著微機電系統（MEMS）技術的發展進步，聲表面波研究向諸多領域進行延伸研究。上世紀90年代，已經實現了利用聲表面波驅動固體。進入二十一世紀，聲表面波SAW在微流體應用研究取得了巨大的發展。應用聲表面波器件可以實現固體驅動、液滴驅動、微加熱、微粒集聚\混合、霧化。

MEA柔性電極的MEMS制造工藝：公司開發的腦機接口用MEA（微電極陣列）柔性電極，采用聚酰亞胺或PDMS作為柔性基底，通過光刻、金屬蒸鍍與電化學沉積工藝，構建高密度“觸凸”式電極陣列。電極點直徑可縮至20微米，間距50微米，表面修飾PEDOT:PSS導電聚合物，電荷注入容量（CIC）達2mC/cm2，信噪比（SNR）提升至25dB以上。制造過程中，通過激光切割與等離子體鍵合技術，實現電極與柔性電路的可靠封裝。該工藝支持定制化設計，例如針對癲癇監測的16通道電極，植入后機械應力降低70%，使用壽命延長至3年。此外，電極陣列可集成于類***培養芯片，實時監測神經元放電頻率與網絡同步性，為神經退行性疾病研究提供動態數據支持。MEMS四種ICP-RIE刻蝕工藝的不同需求。

超薄石英玻璃雙面套刻加工技術解析：在厚度100μm以上的超薄石英玻璃基板上進行雙面套刻加工，是實現高集成度微流控芯片與光學器件的關鍵技術。公司采用激光微加工與紫外光刻結合工藝，首先通過CO?激光切割實現玻璃基板的高精度成型（邊緣誤差＜±5μm），然后利用雙面光刻對準系統（精度±1μm）進行微結構加工。正面通過干法刻蝕制備5-50μm深度的微流道，背面采用離子束濺射沉積100nm厚度的金屬電極層，經光刻剝離形成微米級電極陣列。針對玻璃材質的脆性特點，開發了低溫鍵合技術（150-200℃），使用硅基粘合劑實現雙面結構的密封，鍵合強度＞3MPa，耐水壓＞50kPa。該技術應用于光聲成像芯片時，正面微流道實現樣本輸送，背面電極陣列同步激發光聲信號，光-電信號延遲＜10ns，成像分辨率達50μm。此外，超薄玻璃的高透光性（＞95%@400-1000nm）與化學穩定性，使其成為熒光檢測、拉曼光譜分析等**芯片的優先基板，公司已實現4英寸晶圓級批量加工，成品率＞90%，為光學微系統集成提供了可靠的制造平臺。MEMS的超透鏡是什么？MEMS微納米加工市場

基于 0.35/0.18μm 高壓工藝的神經電刺激 SoC 芯片，實現多通道控制與生物相容性優化。安徽MEMS微納米加工是什么

MEMS微納加工的產業化能力與技術儲備：公司在MEMS微納加工領域構建了完整的技術體系與產業化能力，涵蓋從設計仿真（使用COMSOL、Lumerical等軟件）到工藝開發（10+種主流加工工藝）、批量生產（萬級潔凈車間，月產能50,000片）的全鏈條服務。技術儲備方面，持續投入下一代微納加工技術，包括：①納米壓印技術實現10nm級結構復制，支持單分子測序芯片開發；②激光誘導正向轉移（LIFT）技術實現金屬電極的無掩膜直寫，加工速度提升5倍；③可降解聚合物加工工藝，開發聚乳酸基微流控芯片，適用于體內短期植入檢測。在設備端，引進了電子束曝光機（分辨率5nm）、電感耦合等離子體刻蝕機（ICP，刻蝕速率20μm/min）、全自動鍵合機（對準精度±1μm）等裝備，構建了快速打樣與規模生產的柔性制造平臺。未來，公司將聚焦“微納加工+生物傳感+智能集成”的戰略方向，推動MEMS技術在精細醫療、環境監測、消費電子等領域的深度應用，通過持續創新保持技術**地位，成為全球先進的微納器件解決方案供應商。安徽MEMS微納米加工是什么