高壓SOI工藝在MEMS芯片中的應用創新：高壓SOI（絕緣體上硅）工藝是制備高耐壓、低功耗MEMS芯片的**技術，公司在μm節點實現了發射與開關電路的集成創新。通過SOI襯底的埋氧層（厚度1μm）隔離高壓器件與低壓控制電路，耐壓能力達200V以上，漏電流＜1nA，適用于神經電刺激、超聲驅動等高壓場景。在神經電子芯片中，高壓SOI工藝實現了128通道**驅動，每通道輸出脈沖寬度1-1000μs可調，幅度0-100V可控，脈沖邊沿抖動＜5ns，確保精細的神經信號調制。與傳統體硅工藝相比，SOI芯片的寄生電容降低40%，功耗節省30%，芯片面積縮小50%。公司優化了SOI晶圓的鍵合與減薄工藝，將襯底厚度控制在100μm以下，支持芯片的柔性化封裝。該技術突破了高壓器件與低壓電路的集成瓶頸，推動MEMS芯片向高集成度、高可靠性方向發展，在植入式醫療設備、工業控制傳感器等領域具有廣闊應用前景。 硅片、LN 等基板金屬電極加工工藝，通過濺射沉積與剝離技術實現微米級電極圖案化。新疆MEMS微納米加工檢測

MEMS傳感器的主要應用領域有哪些？1、醫療MEMS傳感器應用于無創胎心檢測，檢測胎兒心率是一項技術性很強的工作，由于胎兒心率很快，在每分鐘l20～160次之間，用傳統的聽診器甚至只有放大作用的超聲多普勒儀，用人工計數很難測量準確。具有數字顯示功能的超聲多普勒胎心監護儀，價格昂貴，少數大醫院使用，在中、小型醫院及廣大的農村地區無法普及。此外，超聲振動波作用于胎兒，會對胎兒產生很大的不利作用。盡管檢測劑量很低，也屬于有損探測范疇，不適于經常性、重復性的檢查及家庭使用。而采用PMUT、或者CMUT的超聲技術，可以探測或成像方式來呈現監測對象的準確的測量。河北MEMS微納米加工節能規范MEMS聲表面波（即SAW）器件是什么？

太赫茲柔性電極的雙面結構設計與加工：太赫茲柔性電極以PI為基底，采用雙面結構設計，上層實現太赫茲波發射/接收，下層集成信號處理電路，解決了傳統剛性太赫茲器件的便攜性難題。加工工藝包括：首先在雙面拋光的PI基板上，利用電子束光刻制備亞微米級金屬天線陣列（如蝴蝶結、螺旋結構），特征尺寸達500nm，周期1-2μm，實現對0.1-1THz頻段的高效耦合；背面通過薄膜沉積技術制備氮化硅絕緣層，濺射銅箔形成共面波導傳輸線，線寬控制精度±10nm，特性阻抗匹配50Ω。電極整體厚度＜50μm，彎曲狀態下信號衰減＜3dB，適用于人體安檢、非金屬材料檢測等場景。在生物醫學領域，太赫茲柔性電極可非侵入式檢測皮膚水分含量，分辨率達0.1%，檢測時間＜1秒，較傳統電阻法精度提升5倍。公司開發的納米壓印技術實現了天線陣列的低成本復制，單晶圓（4英寸）產能達1000片以上，良率＞85%，推動太赫茲技術從實驗室走向便攜式設備，為無損檢測與生物傳感提供了全新維度的解決方案。

聲學與振動器件對微型化、高頻率響應的需求，推動 MEMS 微納米加工技術的深度應用，深圳市勃望初芯半導體科技有限公司憑借定制化加工能力，為該領域提供創新解決方案。在聲學器件加工中，公司通過 MEMS 技術制作微型聲表面波（SAW）傳感器 —— 在壓電襯底（如 LiNbO3）上，通過光刻與鍍膜工藝制作納米級叉指電極（指寬 50-100nm、間距 50-100nm），電極通過磁控濺射沉積鋁或金金屬層，確保聲學信號的高效傳輸。這種 SAW 傳感器可用于液體成分檢測，如石油化工領域的燃油含水率分析，通過聲波在不同含水率液體中的傳播速度差異，實現精細檢測，檢測誤差小于 0.5%；在振動器件加工中，制作微型振動傳感器的懸臂梁結構（硅基梁厚 2-5μm、長度 50-100μm），通過干法刻蝕實現梁結構的高平整度（粗糙度 Ra≤5nm），確保傳感器對微小振動（小可檢測 0.1g 加速度）的高靈敏度響應。某汽車電子客戶借助勃望初芯的加工服務，開發出微型振動傳感器，用于發動機振動監測，傳感器體積比傳統器件縮小 80%，且成本降低 50%，體現了 MEMS 微納米加工在聲學與振動領域的優勢。微納加工產業化能力覆蓋設計、工藝、量產全鏈條，月產能達 50,000 片并持續技術創新。

熱壓印技術在硬質塑料微流控芯片中的應用：熱壓印技術是實現PMMA、PS、COC、COP等硬質塑料微結構快速成型的**工藝，較傳統注塑工藝具有成本低、周期短、圖紙變更靈活等優勢。工藝流程包括：首先利用光刻膠在硅片上制備高精度模具，微結構高度5-100μm，側壁垂直度＞89°；然后將塑料基板加熱至玻璃化轉變溫度以上（如PMMA為110℃），在5-10MPa壓力下將模具結構轉印至基板，冷卻后脫模。該技術可實現0.5μm的特征尺寸分辨率，流道尺寸誤差＜±1%，適用于微流道、微孔陣列、透鏡陣列等結構加工。以數字PCR芯片為例，熱壓印制備的50μm直徑微腔陣列，單芯片可容納20,000個反應單元，配合熒光檢測實現核酸分子的***定量，檢測靈敏度達0.1%突變頻率。公司開發的快速換模系統可在30分鐘內完成模具更換，支持小批量生產（100-10,000片），從設計圖紙到樣品交付**短*需10個工作日，較注塑縮短70%周期。此外，通過表面涂層處理（如疏水化、親水化），可定制芯片表面潤濕性，滿足不同檢測場景的流體控制需求，成為研發階段快速迭代與中小批量生產的優先工藝。MEMS四種ICP-RIE刻蝕工藝的不同需求。河北MEMS微納米加工材料區別

柔性電極表面改性技術通過 PEG 復合涂層，降低蛋白吸附 90% 并提升體內植入生物相容性。新疆MEMS微納米加工檢測

MEMS四種刻蝕工藝的不同需求：高深寬比：硅蝕刻工藝通常需要處理高深寬比的問題，如應用在回轉儀(gyroscopes)及硬盤機的讀取頭等微機電組件即為此例。另外，此高深寬比的特性也是發展下一代晶圓級的高密度構造連接上的解決方案。考慮到有關高深寬比的主要問題，是等離子進出蝕刻反應區的狀況：包括蝕刻劑進入蝕刻接口的困難程度(可借助離子擊穿高分子蔽覆層實現)，以及反應副產品受制于孔洞中無法脫離。在一般的等離子壓力條件下，離子的準直性(loncollimation)運動本身就會將高深寬比限制在約50:1。另外，隨著具線寬深度特征離子的大量轉移，這些細微變化可能會改變蝕刻過程中的輪廓。一般說來，隨著蝕刻深度加深，蝕刻劑成分會減少。導致過多的高分子聚合反應，和蝕刻出漸窄的線寬。針對上述問題，設備制造商已發展出隨著蝕刻深度加深，在工藝條件下逐漸加強的硬件及工藝，這樣即可補償蝕刻劑在大量離子遷徙的變化所造成的影響。新疆MEMS微納米加工檢測