可以通過AllegroSigritySI仿真軟件來仿真CLK信號。

(1)產(chǎn)品選擇：從產(chǎn)品菜單中選擇AllegroSigritySI產(chǎn)品。

(2)在產(chǎn)品選擇界面選項中選擇AllegroSigritySI(forboard)。

(3)在AllegroSigritySI界面中打開DDR_文件。

(4)選擇菜單Setup-*Crosssection..,設置電路板層疊參數(shù)。

將DDRController和Memory器件的IBIS模型和文件放在當前DDR_文件的同一目錄下，這樣，工具會自動査找到目錄下的器件模型。 是否可以通過調(diào)整時序設置來解決一致性問題？天津PCI-E測試DDR3測試

至此，DDR3控制器端各信號間的總線關系創(chuàng)建完畢。單擊OK按鈕，在彈出的提示窗 口中選擇Copy,這會將以上總線設置信息作為SystemSI能識別的注釋，連同原始IBIS文件 保存為一個新的IBIS文件。如果不希望生成新的IBIS文件，則也可以選擇Updateo

設置合適的 OnDie Parasitics 和 Package Parasiticso 在本例中。nDie Parasitics 選擇 None, Package Parasitics使用Pin RLC封裝模型。單擊OK按鈕保存并退出控制器端的設置。

On-Die Parasitics在仿真非理想電源地時影響很大，特別是On-Die Capacitor,需要根據(jù) 實際情況正確設定。因為實際的IBIS模型和模板自帶的IBIS模型管腳不同，所以退出控制器 設置窗口后，Controller和PCB模塊間的連接線會顯示紅叉，表明這兩個模塊間連接有問題， 暫時不管，等所有模型設置完成后再重新連接。 北京DDR3測試TX/RXDDR3內(nèi)存的一致性測試包括哪些內(nèi)容？

DDR3一致性測試是一種用于檢查和驗證DDR3內(nèi)存模塊在數(shù)據(jù)操作和傳輸方面一致性的測試方法。通過進行一致性測試，可以確保內(nèi)存模塊在工作過程中能夠按照預期的方式讀取、寫入和傳輸數(shù)據(jù)。

一致性測試通常涵蓋以下方面：

電氣特性測試：對內(nèi)存模塊的電壓、時鐘頻率、時序等電氣特性進行測試，以確保其符合規(guī)范要求。

讀寫測試：驗證內(nèi)存模塊的讀取和寫入功能是否正常，并確保數(shù)據(jù)的正確性和一致性。

數(shù)據(jù)一致性檢查：通過檢查讀取的數(shù)據(jù)與預期的數(shù)據(jù)是否一致來驗證內(nèi)存模塊的數(shù)據(jù)傳輸準確性。

時序一致性測試：確認內(nèi)存模塊的時序設置是否正確，并檢查內(nèi)存模塊對不同命令和操作的響應是否符合規(guī)范。

并發(fā)訪問測試：測試內(nèi)存模塊在并發(fā)訪問和多任務環(huán)境下的性能和穩(wěn)定性。

一致性測試有助于檢測潛在的內(nèi)存問題，如數(shù)據(jù)傳輸錯誤、時序不一致、并發(fā)訪問等，以確保內(nèi)存模塊在計算機系統(tǒng)中的正常運行。這種測試可以提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性、可靠性，并減少不一致性可能帶來的數(shù)據(jù)損壞或系統(tǒng)故障。

從DDR1、DDR2、DDR3至U DDR4,數(shù)據(jù)率成倍增加，位寬成倍減小，工作電壓持續(xù)降 低，而電壓裕量從200mV減小到了幾十毫伏。總的來說，隨著數(shù)據(jù)傳輸速率的增加和電壓裕 量的降低，DDRx內(nèi)存子系統(tǒng)對信號完整性、電源完整性及時序的要求越來越高，這也給系 統(tǒng)設計帶來了更多、更大的挑戰(zhàn)。

Bank> Rank及內(nèi)存模塊

1.BankBank是SDRAM顆粒內(nèi)部的一種結(jié)構(gòu)，它通過Bank信號BA(BankAddress)控制，可以把它看成是對地址信號的擴展，主要目的是提高DRAM顆粒容量。對應于有4個Bank的內(nèi)存顆粒，其Bank信號為BA[1:O],而高容量DDR2和DDR3顆粒有8個Bank,對應Bank信號為BA[2:0],在DDR4內(nèi)存顆粒內(nèi)部有8個或16個Bank，通過BA信號和BG(BankGroup)信號控制。2GB容量的DDR3SDRAM功能框圖，可以從中看到芯片內(nèi)部由8個Bank組成(BankO,Bankl,…，Bank7),它們通過BA[2:0]這三條信號進行控制。 在DDR3一致性測試期間能否繼續(xù)進行其他任務？

高速DDRx總線概述

DDR SDRAM 全稱為 Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory? 中 文名可理解為“雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器”。DDR SDRAM是在原單倍速率SDR SDRAM 的基礎上改進而來的，嚴格地說DDR應該叫作DDR SDRAM,人們習慣稱之為DDR。

DDRx發(fā)展簡介

代DDR （通常稱為DDR1）接口規(guī)范于2000年由JEDEC組織 發(fā)布。DDR經(jīng)過幾代的發(fā)展，現(xiàn)在市面上主要流行DDR3,而的DDR4規(guī)范也巳經(jīng)發(fā) 布，甚至出現(xiàn)了部分DDR4的產(chǎn)品。Cadence的系統(tǒng)仿真工具SystemSI也支持DDR4的仿真 分析了。 是否可以使用可編程讀寫狀態(tài)寄存器（SPD）來執(zhí)行DDR3一致性測試？天津PCI-E測試DDR3測試

DDR3一致性測試是否可以檢測出硬件故障？天津PCI-E測試DDR3測試

DDR 規(guī)范的時序要求

在明確了規(guī)范中的 DC 和 AC 特性要求之后，下一步，我們還應該了解規(guī)范中對于信號的時序要求。這是我們所設計的 DDR 系統(tǒng)能夠正常工作的基本條件。

在規(guī)范文件中，有很多時序圖，筆者大致計算了一下，有 40 個左右。作為高速電路設計的工程師，我們不可能也沒有時間去做全部的仿真波形來和規(guī)范的要求一一對比驗證，那么哪些時序圖才是我們關注的重點？事實上，在所有的這些時序圖中，作為 SI 工程師，我們需要關注的只有兩個，那就是規(guī)范文件的第 69 頁，關于數(shù)據(jù)讀出和寫入兩個基本的時序圖（注意，這里的讀出和寫入是從 DDR 控制器，也即 FPGA 的角度來講的）。為方便讀者閱讀，筆者把這兩個時序圖拼在了一起，而其他的時序圖的實現(xiàn)都是以這兩個圖為基礎的。在板級系統(tǒng)設計中，只要滿足了這兩個時序圖的質(zhì)量，其他的時序關系要求都是對這兩個時序圖邏輯功能的擴展，應該是 DDR 控制器的邏輯設計人員所需要考慮的事情。 天津PCI-E測試DDR3測試